【产品】600V重复峰值反向电压的密封型2N3669、2N3670可控硅整流器,可通用于传感电路和控制系统
2N3669和2N3670是美国Central Semiconductor公司全新推出的一款密封型可控硅整流器,该器件在结构上的特点便是选用了TO-3 50 MIL的封装。其机械特点有体积小、壳体坚硬、密封和绝缘性好等等。该器件在性能上的特点,使其更适合用在传感电路和控制系统电路的应用中。另外,2N3669和2N3670可控硅整流器还可根据客户的要求,进行调高电压和调整电气参数的定制型生产。极为机动灵活的定制生产方式,使得该器件一经推出就广受客户的赞誉,并迅速占领市场,经久不衰。
图1 2N3669和2N3670的封装示意图
2N3669和2N3670可控硅整流器的型号区分在于其断态重复峰值电压VDRM,其值分别为2N3669:200V,2N3670:400V,还有反向重复峰值电压VRRM,分别为2N3669:400V,2N3670:600V。无论如何,从数据上能看出,该器件能耐受较高的反向电压而不被击穿,电气可靠性和断态、通态稳定性都较高。另外,2N3669、2N3670可控硅整流器的通态电流有效值阈值IT(RMS)为16A,而单周耐浪涌电流峰值ITSM更是高达200A,这两项耐受数据同门极峰值电流IGM的4.0A和维持电流IH仅在0.5~50mA相比较,器件的耐电流冲击特性显露无疑。较高的电气可靠性和工作稳定性,使得该器件适合在传感电路中使用,信号传送的稳定性能够得到保障。
2N3669和2N3670可控硅整流器的反向重复峰值电流IRRM和断态重复峰值电流IDRM值在100°C壳体温度的条件下分别为1.0mA和2.0mA,即使在极限温度下,其单向导通性依然能保持良好。另外,2N3669、2N3670可控硅整流器的断态电压临界上升率dv/dt的值为400V/μs,可见一旦单向导通后,其反向导通的难度极大,单向导通性能保持稳定。同时其门极响应延迟时间tgd为500ns,关断时间tq为50μs,无论导通响应还是关断,其延迟都是极短的。稳定良好的单向导通性和快速响应能力,使得该器件十分适合用在控制系统的电路中。
图2 2N3669和2N3670的封装尺寸示意图
2N3669、2N3670可控硅整流器的门极触发电压VGT为2.0V,门极触发电流IGT为1.0~40mA,导通损耗极低。其维持电流IH为0.5~50mA,通态峰值电压为1.8V,可见其通态下的功率损耗也是极低的。由此综合,其平均门极功耗最大值PG(AV)仅有0.5W,可称得上是节能型的产品。在温度稳定性方面,2N3669和2N3670可控硅整流器的工作温度范围为-40°C~+125°C,无论在低温还是高温环境中,都能保持良好的稳定性。其结壳热阻θjc仅有1.7°C/W,封装壳体的导热性良好,几乎不影响器件的实际工作温度。
2N3669、2N3670可控硅整流器的主要特点:
• 密封型可控硅整流器
• TO-3 50 MIL封装,体积小、壳体坚硬、密封和绝缘性好
• 电气可靠性高,工作稳定性好
• 单向导通性能稳定
• 响应速度快,tgd=500ns,tq=50μs
• 低功耗,节能型产品
• 结壳热阻θjc仅有1.7°C/W,温度稳定性好
• 工作及存储结点温度范围:-40°C~+125°C
2N3669、2N3670可控硅整流器的典型应用:
• 传感器电路
• 控制系统电路
• 调速系统,调功系统,随动系统
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lm11 Lv6. 高级专家 2018-11-05学习一下
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terrydl Lv9. 科学家 2018-11-05学习了
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大模王 Lv3. 高级工程师 2018-11-05有用
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自信 Lv5. 技术专家 2018-11-05学习
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用户56731903 Lv9. 科学家 2018-11-05性能不错!!
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型号- 2N3669,2N3670
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