【产品】600V重复峰值反向电压的密封型2N3669、2N3670可控硅整流器，可通用于传感电路和控制系统

时间： 2018-11-05 来源：Central Semiconductor

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可控硅整流器,2N3669,2N3670,Central Semiconductor

2N3669和2N3670是美国Central Semiconductor公司全新推出的一款密封型可控硅整流器，该器件在结构上的特点便是选用了TO-3 50 MIL的封装。其机械特点有体积小、壳体坚硬、密封和绝缘性好等等。该器件在性能上的特点，使其更适合用在传感电路和控制系统电路的应用中。另外，2N3669和2N3670可控硅整流器还可根据客户的要求，进行调高电压和调整电气参数的定制型生产。极为机动灵活的定制生产方式，使得该器件一经推出就广受客户的赞誉，并迅速占领市场，经久不衰。

图1 2N3669和2N3670的封装示意图

2N3669和2N3670可控硅整流器的型号区分在于其断态重复峰值电压V_DRM，其值分别为2N3669：200V，2N3670：400V，还有反向重复峰值电压V_RRM，分别为2N3669：400V，2N3670：600V。无论如何，从数据上能看出，该器件能耐受较高的反向电压而不被击穿，电气可靠性和断态、通态稳定性都较高。另外，2N3669、2N3670可控硅整流器的通态电流有效值阈值I_T(RMS)为16A，而单周耐浪涌电流峰值I_TSM更是高达200A，这两项耐受数据同门极峰值电流I_GM的4.0A和维持电流I_H仅在0.5~50mA相比较，器件的耐电流冲击特性显露无疑。较高的电气可靠性和工作稳定性，使得该器件适合在传感电路中使用，信号传送的稳定性能够得到保障。

2N3669和2N3670可控硅整流器的反向重复峰值电流I_RRM和断态重复峰值电流I_DRM值在100°C壳体温度的条件下分别为1.0mA和2.0mA，即使在极限温度下，其单向导通性依然能保持良好。另外，2N3669、2N3670可控硅整流器的断态电压临界上升率dv/dt的值为400V/μs，可见一旦单向导通后，其反向导通的难度极大，单向导通性能保持稳定。同时其门极响应延迟时间t_gd为500ns，关断时间t_q为50μs，无论导通响应还是关断，其延迟都是极短的。稳定良好的单向导通性和快速响应能力，使得该器件十分适合用在控制系统的电路中。

图2 2N3669和2N3670的封装尺寸示意图

2N3669、2N3670可控硅整流器的门极触发电压V_GT为2.0V，门极触发电流I_GT为1.0~40mA，导通损耗极低。其维持电流I_H为0.5~50mA，通态峰值电压为1.8V，可见其通态下的功率损耗也是极低的。由此综合，其平均门极功耗最大值P_G(AV)仅有0.5W，可称得上是节能型的产品。在温度稳定性方面，2N3669和2N3670可控硅整流器的工作温度范围为-40°C~+125°C，无论在低温还是高温环境中，都能保持良好的稳定性。其结壳热阻θ_jc仅有1.7°C/W，封装壳体的导热性良好，几乎不影响器件的实际工作温度。

2N3669、2N3670可控硅整流器的主要特点：

• 密封型可控硅整流器

• TO-3 50 MIL封装，体积小、壳体坚硬、密封和绝缘性好

• 电气可靠性高，工作稳定性好

• 单向导通性能稳定

• 响应速度快，t_gd=500ns，t_q=50μs

• 低功耗，节能型产品

• 结壳热阻θ_jc仅有1.7°C/W，温度稳定性好

• 工作及存储结点温度范围：-40°C~+125°C

2N3669、2N3670可控硅整流器的典型应用：

• 传感器电路

• 控制系统电路

• 调速系统，调功系统，随动系统

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全部评论（6）

lm11 Lv6. 高级专家 2018-11-05

学习一下
terrydl Lv9. 科学家 2018-11-05

学习了
大模王 Lv3. 高级工程师 2018-11-05

有用
自信 Lv5. 技术专家 2018-11-05

学习
用户56731903 Lv9. 科学家 2018-11-05

性能不错！！

聆听者 Lv6. 高级专家 2018-11-05

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