【应用】采用 SIC1182K门极驱动IC的SiC-MOSFET通用基板方案，最大阻断电压为1200V
Power Integrations推出一个基于门极驱动器SIC1182K的SiC-MOSFET通用基板方案，可为用于驱动各种SiC-MOSFET的通用基板的电路设计的电源模块提供参考经验。
图1 产品实物图
基于门极驱动器SIC1182K的SiC-MOSFET通用基板设计的主要特点是：
•适用于62mm外壳中的SiC-MOSFET电源模块，最大阻断电压为1200 V
•半桥模块的两个通道
•短路检测
•高级有源钳位
•电气命令输入和状态输出
•0 V / 5 V命令输入逻辑
•0 V / 5 V状态输出逻辑
•最小脉冲抑制
•5 V电源电压
•具有焊入式门极驱动器IC的单PCB解决方案
•可调源控制器
图2 等效电路图
门极电阻设计部分
可以选择SMD（尺寸为1206）封装的门极电阻。可选推荐如表：
短路检测
SIC1182K门极驱动器IC提供了一个传感输入，用于监视功率半导体的短路状况。 该方案设计使用电阻网络可提供短路检测功能。 下表描述了用Wolfspeed CAS300M12BM2测试的实现的装配变体：
高级有源钳位
有源钳位是一种设计用于在设备两端的电压超过预定阈值时部分打开功率半导体的技术。功率半导体然后保持线性运行。基本的有源钳位拓扑实现了从集电极/漏极到瞬态电压的单个反馈路径。
激活有源钳位后，门极驱动器的关断MOSFET将关断，以提高有源钳位的效率并减少TVS二极管中的损耗。同时，SIC1182K的导通MOSFET正在提供（附加到TVS二极管）受控的门极电流，以将功率半导体保持在有源区域中。这种称为高级有源钳位的功能主要集成在SIC1182K的次级侧。下表描述了用Wolfspeed CAS300M12BM2测试的实现的图4中所示的装配变体：
此处，对于1200 V级的功率半导体，理论电压限制级别设置为900V。 使用较低的电压等级时，必须相应地更改此值。
源控制器
为了实现适当的门极开关电压电平，除SIC1182K外还使用了外部源控制器。 提供以下电压电平：
•正电源轨（VVISO-source）：20 V（受控）
•负轨（VSource-COM）：-5 V（取决于负载）
正轨由NXP的稳压器TL431BFDT控制。 使用Vref = 2495 mV和Iref = 2 µA，可通过公式3计算稳压电压
图3 方案装配图
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