【产品】 锐骏新推采用独家内绝缘封装技术的沟道型MOSFET，耐温＞150℃，耐压＞2000V
锐骏半导体主要生产MOSFET，拥有独家的技术，产品广泛用于用于扫地机、无人机、机器人等市场。
技术路线-中压Trench（沟道型）
特点：
Trench MOSFET作为一种垂直导电结构的功率MOSFET，
Reliability
Ruggedness
Low rdson
Low Cgd
掌握Trench MOSFET纵向技术的发展极低的Rds(ON)，使得Id很容易就达到几十A，甚至上百A。
低压大电流MOS已经在通讯、消费、汽车、工控、便携等电子设备里广泛使用。
a)是常规平面MOSFET，b）是锐骏沟道型MOSFET
技术路线-中压SGT（硅栅型）
特点：
(SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进器件。
其主要结构与U-MOSFET功率器件基本一致，是一种深沟槽纵向结构的MOSFET。沟槽从结构的上表面穿过N+源区，P型体区进入N型漂移区。
在沟槽的底部和侧壁通过热氧化形成栅氧后,在沟槽内形成多晶硅的电极。
SGT-MOSFET与U-MOSFET器件结构不同之处在其深沟槽的栅结构上。U-MOSFET沟槽结构仅有一个多晶硅的控制栅电极, SGT通过使栅电极分成上下结构，可以有效的降低米勒电容，并且通过沟道设计，降低Rdson。
SGT除了栅结构，其它部分是标准的采用Trench工艺的MOSFET。栅极被分割成上下两个部分，下部分用一些特殊的材料屏蔽起来，下部分在内部和上部分的栅极相连，而栅极的屏蔽层被连接到源极，从而减小漏极栅极米勒电容。用这种技术设计的MOSFET极大地减小了开关过程中米勒平台的持续的时间，降低了开关损耗。
产品型号：RUH3051M,30100M,3025H,30120M,30150M。
技术路线-独家内绝缘封装技术
特点：
耐温＞150℃，不会因绝缘胶粒耐温度低会融化；
耐压＞2000V，做到多颗管子相互可靠的绝缘，散热器安全可靠的接地而不受影响；
广泛应用在电动车、电源等高压驱动中，有逐步取代革新现有封装形式的趋势；
已得国家发明专利。
锐骏半导体TO220-S结构采用高导热材料内部绝缘，具有相当金属封装优异的散热性能同时兼顾结缘性能，安装使用方便，提高了生产效率，减少结缘成本。
应用-扫地机
扫地机原理框图
推荐型号：
同步整流：RU3070L，RU30L15H/RU30P5H，RU30C30M，RU40120M/RU40140M
BUCK：5V、3.7V、3.3V
多路PMU同步整流输出：RU3070L；RU30L15H/RU30P5H，RU30C30M，RU40120M
应用-无人机
每个电机3个绕组，对应6种开关组合，6颗MOS
推荐型号为：RUH3070L/RU30C30M2/RU40140M/RU40120M等
应用-机器人
机器人组成部分
机器人一般由执行机构、驱动装置、检测装置和控制系统和复杂机械等组成。
机器人种类
教育机器人、商务机器人、扫地机器人、工业机器人、服务机器人、水下机器人、娱乐机器人、军用机器人、农业机器人等等
推荐型号为：RU3030M2/RU3040M2/RU30D20M2/RU30J30M/RU30J30M2/RU30D20H/RUH3051M/RUH3051M2/RUH30120M/RU40120M/RU40140M/RUH4040M2/RU30C30M/RU3070L/RU30P5H等。
锐骏半导体 MOSFET工艺/技术演进
终端客户及性能
科沃斯----1.5KK/M
云鲸---800K/M
乐动---1KK/M
石头科技---1KK/M
杉川机器人---1.2KK/M
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