【产品】栅源电压为±10V的P沟道增强型MOSFET PT2301A，采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业。其推出的P沟道增强型MOSFET PT2
301A，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-20V，栅源电压为±10V，连续漏极电流为-3A。
产品外观和示意图
特点：
●VDS=-20V
●RDS(ON)<110mΩ（Vgs=-4.5V，Ids=-3.0A）
●RDS(ON)<140mΩ（Vgs=-2.5V，Ids=-2.0A）
●先进的沟槽工艺技术
●采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
注：
1.脉冲宽度受限制于最大结温
2.表面安装在FR4板上，t≤5sec
3.表面安装在FR4板上
电气特性：
脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自金誉半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压-20V的P沟道增强型MOSFET PT2301B，连续漏极电流-2.3A
金誉半导体旗下的迪浦电子推出P沟道增强型MOSFET PT2301B，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，实现超低导通电阻。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为-2.3A。
产品 发布时间 : 2022-08-19
金誉半导体笔记：什么是MCU单片机的SPI、UART、I2C通讯接口
单片机的常用功能包括：定时器（Timer）、I/O口、外部中断、通讯接口、A/D转换、PWM等。之前，金誉半导体已经带领大家重点了解过定时器（Timer）和I/O口这两个功能。接下来，我们将深入了解通讯接口的功能。
产品 发布时间 : 2024-10-29
【产品】-30V/-60A无铅P沟道增强型MOSFET AP90P03Q，具有出色的Cdv/dt效应衰减
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的P沟道增强型MOSFET——AP90P03Q，采用先进的沟槽技术，具有出色的Cdv/dt效应衰减和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-17
金誉半导体场效应管MOSFET选型表
金誉半导体提供包括中低压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）选型;金誉拥有自主晶圆设计能力，多种外形封装，中低压MOSFET12英寸 、8英寸，高压MOSFET6英寸；中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺，高压MOSFET采用平面工艺；超低内阻的芯片设计。
|
产品型号
|
品类
|
VDS
|
ID
|
工作温度
|
等级
|
封装形式
|
最小包装
|
最小订货量
|
|
PT2302A
|
场效应管
|
20V
|
3A
|
-55℃~+150℃
|
商业级
|
SOT-23
|
3000
|
3000
|
选型表 - 金誉半导体 立即选型
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论