【产品】采用先进高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET AI022NG，具有低栅极电荷，漏源电压150V
杜因特推出的N沟道MOSFET——AI022NG是绿色环保器件，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(on)以及低栅极电荷。此外，该器件还采用了先进的TO-3P封装形式，散热性能良好，可用于各种应用。
特点：
1）VDS=150V，ID=90A（TC=25℃），RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V
2）低栅极电荷
3）绿色环保器件
4）采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的漏源导通电阻RDS(ON)
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
封装图和示意图：
绝对最大额定值（除非另有说明，否则TC=25℃）：
热性能：
注：
*重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
**表面贴装在FR-4板上
***受TJmax限制，起始TJ=25°C，L=0.3mH, VDS=100V，VGS=10V
封装标记和订购信息:
电气特性（除非另有说明，否则TC=25℃）：
注：
*脉冲测试，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由十六翻译自杜因特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
产品 发布时间 : 2023-05-02
【产品】杜因特推出低栅电荷的N沟道MOSFET DB004NG，漏源导通电阻＜3.5mΩ
杜因特推出的N沟道MOSFET DB004NG采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优秀的漏源导通电阻RDS（on）。该器件的应用范围十分广泛，封装优良，散热效果好；属于环保器件。
产品 发布时间 : 2023-02-03
【产品】采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET DO3400DA，漏源电压为30V
杜因特推出的DO3400DA是一款采用SOT-23-3封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为80℃/W，结到环境的热阻最大值为125℃/W。
产品 发布时间 : 2022-04-30
【产品】采用TO-252封装的N沟道MOSFET DE036NG，漏源电压60V，漏源导通电阻最大36mΩ
杜因特推出的N沟道MOSFET DE036NG，采用先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和出色的RDS(on)特性，总栅极电荷典型值为20.3nC（VGS=10V, VDS=30V,ID=10A），漏源导通电阻最大值为36mΩ（VGS=10V,ID=10A）。
产品 发布时间 : 2022-04-25
【产品】采用先进的沟槽技术设计的N沟道MOSFET DO3400C，规格为30V/5A，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO3400C是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，并有广泛的应用领域。其漏源电压为30V，连续漏极电流为5A（Tj=25℃）。
产品 发布时间 : 2022-06-16
【产品】规格为30V/3A的N沟道MOSFET DO2316，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO2316是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为138℃/W，并有广泛的应用领域。
产品 发布时间 : 2022-08-16
【产品】采用先进的沟槽技术设计的N沟道MOSFET DO3019，结到环境的热阻最大值为125℃/W
杜因特推出的DO3019是一款采用SOT-523封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。在热性能方面，结到环境的热阻最大值为125℃/W，有广泛的应用领域。
产品 发布时间 : 2022-08-06
【产品】漏源导通电阻≤120mΩ的N沟道MOSFET DH060NG，漏源电压为100V，持续漏极电流为30A
DH060NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，其漏源电压为100V，持续漏极电流30A（Tc=25℃）。当VGS=10V，ID=10A时，漏源导通电阻最大值为120mΩ，结到壳的热阻最大值为2.27℃/W。
新产品 发布时间 : 2022-05-05
【产品】封装为TO-263的N沟道MOSFET器件，具有低栅极电荷和出色的 RDS(on)特性
杜因特（Doingter）致力于功率半导体的开发、生产和销售。其推出的封装为TO-263的N沟道MOSFET器件BH4R5TG采用先进的SGT技术和设计，具有低栅极电荷和出色的 RDS(on)特性，可用于多种应用中。为-55℃~+150℃，结到壳的热阻值为0.94°C/W。
产品 发布时间 : 2022-02-18
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论