【产品】EASII IC推出N沟道功率MOSFET系列XTR2N0400，工温宽，通过缩短学习曲线和提供智能功能降低成本
XTR2N0400是一款N沟道功率MOSFET系列，设计用于在很宽的温度范围内可靠工作。在-60℃至+230℃范围内可保证全部功能，超出该温度范围也能工作良好。
XTR2N0400系列器件采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造，可降低漏电流，同时提供高漏极电流和低RDS(on)。这些特性使XTR2N0400器件非常适合开关应用。
XTR2N0400系列器件旨在通过缩短学习曲线和提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。
XTR2N0400系列器件采用坚固耐用的3引线TO257、8引线侧面钎焊的DIP封装。器件也可提供作为测试的裸片。
特点：
• 最小BVDSS=55V
• 允许的VGS范围为–5.5V至+5.5V
• 可在-60℃至+230℃温度范围外工作
• 低RDS(on)
o XTR2N0425：560mΩ@230℃
o XTR2N0450：255mΩ@230℃
• 最大ID：
o XTR2N0425：4.7A@230℃
o XTR2N0450：10.3A@230℃
• 导通时间 （td(on)+tr）：
o XTR2N0425：25纳秒@230℃
o XTR2N0450：30纳秒@230℃
• 关断时间（td(off)+tf）：
o XTR2N0425：56纳秒@230℃
o XTR2N0450：68纳秒@230℃
• 坚固耐用的3引线TO257、8引线侧面钎焊的DIP和带ePAD的8引线SOIC封装
• 也可作为裸片提供
应用：
• 对可靠性至关重要的，汽车，航空航天，井下
• DC/DC转换器，电源切换，电机控制，功率逆变器，功率线性调节器，电源
产品亮点：
订购信息：
绝对最大额定值
注意：超出“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是应力额定值，并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能超出了规范的操作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备的可靠性。
热特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由零点翻译自EASII IC，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏极电压高达80V的N沟道功率MOSFET器件CHT-NMOS8001，最大直流漏极电流为1A
CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司，其推出的CHT-NMOS8001是一款中等功率的80V/1A N沟道功率MOSFET，可在极宽的温度范围内实现高性能，典型工作温度范围为-55°C~+225°C。
【产品】PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET JMSL0612AUQ，连续漏极电流高达38A
捷捷微电推出一款采用PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL0612AUQ，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值高达38A，具有低导通电阻、低栅极电荷特性和高电流处理能力，适用于汽车应用。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET（N-沟道功率MOSFET）的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI255N04PQ,DC/DC CONVERTERS,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,DC DRIVES,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电源,同步整流器,商业的,工业,直流驱动器
DI201N04PQ N沟道功率MOSFET
该资料详细介绍了DI201N04PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI201N04PQ-AQ,DI201N04PQ,DC/DC CONVERTERS,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,DC DRIVES,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,电源,同步整流器,商业的,工业,直流驱动器
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
EASII IC功率MOSFET选型表
EASII IC提供如下功率MOSFET选型，宽工作温度范围：-60℃ to +230℃、-50℃ to +175℃，Maximum Peak ID3.4 A~16.5 A，多种封装可选
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Operating Temperature
|
Minimum BVᴅss
|
RDS(ON)@230℃
|
Maximum Peak ID @230℃
|
|
XTR2N0325-TD
|
P-CHANNEL POWER MOSFETs
|
Tested Die
|
-60℃ to +230℃
|
-30V
|
1.05 Ω
|
7.5 A
|
选型表 - EASII IC 立即选型
DI120N04PQ-AQ N沟道功率MOSFET
本资料介绍了DI120N04PQ-AQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、耐高温等特点，适用于直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI120N04PQ-AQ,DC/DC CONVERTERS,电源,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,同步整流器,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,DC DRIVES,直流驱动器
【应用】车规级N沟道功率MOSFET NCEAP016N85LL用于汽车48V BMS系统，最大持续电流可达385A
NCE（新洁能）车规级N沟道功率MOSFET NCEAP016N85LL，最大持续电流可达385A，可使用在汽车48V BMS系统上。漏源电压85V，可完全覆盖48V BMS系统电压范围，最大持续电流可达385A，更大的电流可减少主回路MOSFET数量，更有利于原理图的设计；导通阻抗1.2mΩ，更低的阻抗可有效减少系统损耗。
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
使用德欧泰克的功率MOSFET DI100N10PQ-AQ的汽车辅助驱动
DIOTEC德欧泰克的DI100N10PQ-AQ是一款100V耐压的N沟道功率MOSFET，可提供高达80A的最大电流需求。其非常低的导通状态电阻典型值为4.5mOhm，有助于降低功率损耗，从而降低结温。该器件广泛应用于水泵、油泵或类似的各种汽车驱动中。
DI280N10TL N沟道功率MOSFET
该资料介绍了DI280N10TL型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。它是一种高性能的电子元件，适用于各种电源转换器和工业应用。资料详细说明了其静态和动态特性，包括导通电阻、开关时间、漏极电流、阈值电压等关键参数。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI280N10TL,DI280N10TL-Q,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,DC/DC CONVERTERS,电源,商业的,POWER TOOLS,DC/DC转换器,电动工具,POWER SUPPLIES,工业,DC DRIVES,直流驱动器
【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流
NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
DI1A0N60D1 N沟道功率MOSFET
本资料详细介绍了DI1A0N60D1型N通道功率MOSFET的特性，包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸以及应用领域。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、同步整流器等。
DIOTEC - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,DI1A0N60D1-Q,DI1A0N60D1-AQ,DI1A0N60D1,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,DC/DC CONVERTERS,电源,SYNCHRONOUS RECTIFIERS,同步整流器,商业的,DC/DC转换器,POWER SUPPLIES,工业,DC DRIVES,直流驱动器
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论