【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q，可实现低导通电阻和快速开关性能
铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种电源应用。
能够进行2.5V栅极驱动
小尺寸&超低RDS(ON)
符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值（Tj=25℃除非另有说明）
热数据
电气特性（Tj=25℃除非另有说明）
源极-漏极二极管
注意：
1、脉冲宽度受最大结温限制。
2、脉冲测试。
3、表面安装在FR4板的1平方英寸2oz铜焊盘上，t ≤10秒； 135℃/W当安装在最小铜焊盘上时
4、最大电流受封装限制。
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