【产品】采用先进的沟槽技术的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6,ESD保护高达2.0KV(HBM)
铨力半导体推出的采用SOT-23-6L封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6,采用先进的沟槽技术,是无铅产品,ESD保护高达2.0KV(HBM),适用于接口开关,负载开关,逻辑电平转换等应用。
特点
N沟道
◆VDD=20V,ID=1.1A
◆RDS(ON)<250mΩ@VGS=4.5V 典型值:120mΩ
◆RDS(ON)<350mΩ@VGS=2.5V 典型值:160mΩ
P沟道
◆VDD=-20V,ID=-0.8A
◆RDS(ON)<520mΩ@VGS=-4.5V 典型值:430mΩ
◆RDS(ON)<700mΩ@VGS=-2.5V 典型值:624mΩ
◆RDS(ON)<1200mΩ@VGS=-1.8V 典型值:950mΩ
先进的沟槽技术
产品无铅
ESD保护高达2.0KV(HBM)
应用:
接口开关
负载开关
逻辑电平转换
封装标记和订购信息
绝对最大额定值(Ta=25℃除非另有说明)
N沟道电气特性(Ta=25℃除非另有说明)
P沟道电气特性(Ta=25℃除非另有说明)
Notes:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
3.表面贴装在FR4板,t≤10s
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