【产品】采用先进的沟槽技术的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6，ESD保护高达2.0KV（HBM)
铨力半导体推出的采用SOT-23-6L封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6，采用先进的沟槽技术，是无铅产品，ESD保护高达2.0KV（HBM），适用于接口开关，负载开关，逻辑电平转换等应用。
特点
N沟道
◆VDD=20V，ID=1.1A
◆RDS（ON）＜250mΩ@VGS=4.5V 典型值：120mΩ
◆RDS（ON）＜350mΩ@VGS=2.5V 典型值：160mΩ
P沟道
◆VDD=-20V，ID=-0.8A
◆RDS（ON）＜520mΩ@VGS=-4.5V 典型值：430mΩ
◆RDS（ON）＜700mΩ@VGS=-2.5V 典型值：624mΩ
◆RDS（ON）＜1200mΩ@VGS=-1.8V 典型值：950mΩ
先进的沟槽技术
产品无铅
ESD保护高达2.0KV（HBM）
应用：
接口开关
负载开关
逻辑电平转换
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（Ta=25℃除非另有说明）
N沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
P沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3.表面贴装在FR4板，t≤10s
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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