【产品】国产单向5V大功率浪涌型防护二极管GSD05FDS，采用DFN1610-2L小型封装

时间： 2023-05-01 来源：高特

代理服务

技术支持

采购服务

高特微电子的浪涌型防护二极管（TVS防护器件）GSD05FDS，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为5V，IPP为90A，钳位电压最低可达15V，工作电压下可达2μA的超低漏电电流，符合61000-4-2与61000-4-4的防护标准，静电防护能力可达空气放电±30KV，接触放电±30KV，容值为800pF，采用DFN1610-2L的小型封装，封装尺寸为1.6*1.0*0.5mm，不含卤素，符合RoHS、REACH标准。

GSD05FDS可以应用于便携式电子设备及其配件、基于MCU设计的的产品、手机及手机配件、个人数字助理（PDA）、笔记本、台式机、服务器、便携式仪表，网络支持及外设寻呼机等。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由银河系转载自高特，原文标题为:【产品】国产单向5V大功率TVS防护器件GSD05FDS, DFN1610-2L小型封装，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】国产双向5V浪涌型防护二极管GBLC05C，静电防护能力可达空气放电±15KV，采用SOD-323小型封装

高特微电子的浪涌型防护二极管（TVS防护器件）GBLC05C，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为5V，IPP在8A的条件下钳位电压最大仅有18.3V，工作电压下仅有1μA的超低漏电电流。

2023-05-24 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】国产双向24V浪涌型防护二极管GBLC24C，容值为0.8pF，采用SOD-323小型封装

高特微电子的浪涌型防护二极管（TVS防护器件）GBLC24C，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为24V，IPP在3A的条件下钳位电压最大仅有56V，工作电压下仅有1μA的超低漏电电流。

2023-05-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】高特微国产单向3.3V超低电容ESD防护器件GESD0302TL，SOT-23小型封装，工作电压3.3V

高特微电子的浪涌型防护二极管（ESD防护器件）GESD0302TL，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。其工作电压为3.3V，IPP在4A的条件下钳位电压最大仅有14V，工作电压下仅有0.1μA的超低漏电电流，符合61000-4-2与61000-4-4的防护标准，静电防护能力可达空气放电±20KV，接触放电20KV。

2023-07-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

【选型】手机Type-C接口防护电路推荐TVS保护器件AR0521P0L，尺寸小，防护等级±20kV

Type-C接口是智能手机的标配，可以充电和传输数据，易收到静电损坏，需要ESD防护电路，要求具有体积小、高ESD防护能力、结电容低的特性。推荐应能微TVS ARO521P0L，其采用硅工艺制造，可提供±20kV（接触放电）/±25kV（空气放电）的ESD保护。

2021-11-23 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

如何为手机SIM卡接口ESD防护选择一款合适的过压保护器件？

为避免手机SIM卡接口因带电插拔或人体静电导致相关敏感电子器件被静电打死，推荐选择Littelfuse（力特）推出的四通道TVS阵列SP3002-04UTG，最大反向工作电压VRWM为6V，最大反向漏电流ILEAK为0.5μA，最大钳位电压13V，输入/输出的电容为二极管结电容典型值仅为0.85pF，通过IEC61000-4-2 ±12kV（contact）、±15kV（Air）ESD测试认证。

2018-12-12 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

D2315-5R0L TVS二极管认证表

描述- 本资料介绍了型号为D2315-5R0L的双向TVS二极管。该器件具有保护两个I/O线路的功能，适用于多种电子设备。其主要特性包括低漏电流、低钳位电压、符合IEC标准的高电涌防护能力，采用DFN1006-2L封装。应用领域涵盖手机、便携式仪器、数码相机等。

型号- D2315-5R0L

2020.08.11 - NICHTEK - 数据手册 - V.1 代理服务技术支持采购服务

【选型】超低电容tvs管是RF天线ESD防护器件的首选

射频电路不仅要考虑ESD安全，还要注意RF性能，不能因为用了ESD器件后，就不管RF天线和RF器件之间的阻抗匹配，同样会使得系统失配，进而影响系统性能甚至安全。我们知道，ESD防护器件比如二级管都是有寄生电容的，该电容在RF电路中有其等效电阻。因此，超低电容的tvs管是RF天线的首选，以高特半导体的GESD0501BU为例，其电容仅有0.25pf。

2019-07-10 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

D2315-240 TVS二极管认证表

描述- 本资料介绍了型号为D2315240的TVS二极管（瞬态电压抑制器）。该器件具有保护数据或电源线的能力，工作电压为24V，采用超小型DFN1006-2L封装。其主要特性包括极低漏电流、低钳位电压、双引脚无铅封装，符合IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT) 和 IEC 61000-4-5 (Lightning) 的防护标准。

型号- D2315-240

2020.06.12 - NICHTEK - 数据手册 - V.2 代理服务技术支持采购服务

【选型】矽航（XI HANG）ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET选型指南

目录- ESD防护器件 EOS防护器件/稳压二极管 TVS二极管/肖特基二极管低压/高压MOSFET 封装种类

型号- XE3DLC5VB,XSBD1DF40V3,XNM05N50F,XSBD1DF40V2,XNM05N50E,XSBD1DF40V1,SMAFJ440CA,XE23T5VB,XNM10N65F,XE3DLC12VB,XNM10N65E,SMCJ440CA,XT1DTF15VB,XE2XLC5VU,SMAJ5_0(C)A-,XE3DHC3V3B,XE2XSC5VB,XBAT54,XZ5D75VB,XNMIRF630,SMF5.0CA,XNM02N65F,XNM02N65E,XT3D15VU,XE9DLC5VB,XT1DFT24VU,XSBD1DF120V2,XSBD1DF120V1,XSBD1DF120V3,XE23T12VU,XTDP4V5B,SMCJ5_0(C)A_,XE3DLC24VB,SMF220(C)A,XSBDBF40V2,XE2XLC5VB,XT1DFT24VB,XNM4946DS,XNM4422S,XE23T712B,XNM2N7002K,XNM05N60E,XT3D9VU,XNM05N60F,XPM2305N,SMBFJ5.0CA,XE10NLC5VU,XE23T24VU,XZ3D75VB,XNMIRF830F,XE9DSC5VB,XZ1D2V0B-,XTDP12VU,XE3F5VB,XNM9926TS,XE3DHC5VB,XE23T12VB,XE6TLC5VU,XNM4946S,XZ1D2V0B,XE23T36VU,XZ2F75VZ,SMF5.0A,XE5DHC12VU,XNM6968S,XTDP5VU,XE23T5VU,XE6TSC5VU,XE23T24VB,XT1DTF15VU,SMBFJ5.0(C)A-,XNM01N60SA,XE5DHC7VU,SMF220A,XZ2F2V0C-,XE23T3V3U,XT3N15VU,XNM01N60SI,XNM01N60SJ,XE2F5VB2,XE2FLC5VU,XNM02N60SI,XNM02N60SJ,XNM02N60SE,XE2X12VB,XE5D4V5B,SMCJ440(C)A,XNM02N60SF,XE23T36VB,XSBD1DF80V1,XNMIRF830,XE2FLC5VB,XSBD1DF80V3,XSBD1DF80V2,XE2FUC5VB,XNM6968CTS,XT3DHC15VB,XNM35N03J,XBAT54S,XT3N7V5U,SMBJ440CA,SMAFJ440(C)A,XNMSG301DK,XE23T3V3B,XE2F12VB,XBAT54C,XSBDAF100V2,XZ5D2V0B,XNMIRF840,XBAT54A,SMAJ5.0A,XT3D7VU,XSBDAF45V5,XPM2301N,XSBD1DF150V2,XSBD1DF20V1,XSBD1DF150V1,SMAFJ5.0CA,XE2FHC5VU,XE5DUC5VB,XZ2F2V0C,XE2FHC5VB,XNM04N60F,XT1DTF12VB,XNM04N60E,XNM2N7000,XNM2N7002,XE5DLC5VB,XNMIRF730,XE2X4V5B,XSBD1DF20V2,XSBD1DF20V3,XNM2N7002SN,XT1DTF7VB,XSBD1DF100V2,XSBD1DF100V1,XSBD1DF100V3,XE2F4V5B,XT1DTF7VU,XNM10N60F,XNM10N60E,XNMIRF740,XT2N26VU,XE5DHC5VU,XE3DHC12VB,XNMIRF630F,XE2XUC5VB,XE2F3V3B,SMAJ440(C)A,XNM50N03J,XTDP15VU,XE3D5VB,XE3FUC5VU,XZ3D2V0B-,XT3D4V5U,XNMIRF740F,XT3N24VU,XNM03N60F,XE9DUC5VB,XNM03N60E,XT3DHC36VB,SMF220CA,XE5D3V3B,XNM12N65F,XNM12N65E,XE9D4V5B,XT3F15VU,XT1DTF12VU,XNM2302N,XT3D12VU,SMAJ440A,XE3DLC15VB,XT1DTF18VB,XT3D5VU,XSBD1DF60V1,XSBD1DF60V2,XSBD1DF60V3,XE2X5VB,XE3FUC5VB,XSBD1DF200V2,XSBD1DF200V1,XE23TLC3V3B,XSBDC100V3,XNM07N60F,XT3D4V5B,XTDP9VU,XNM07N60E,SMAJ440CA,XE2FLC3V3B,XNM04N65E,XE2X3V3B,XNM04N65F,SMBJ5.0A,XNM8205,XNM9926N,XNMIRF840F,XNM9926S,XT2N4V5B,SMCJ440A,SMBJ5.0(C)A-,SMAJ5.0CA,XT3N4V5B,XE9D3V3B,XZ5D2V0B-,SMBFJ5.0A,XNM2N7002KSN,XNM02N60J,XNM02N60I,XNM02N60F,XNM02N60E,XT1DTF18VU,SMBJ440A,SMAFJ440A,XNM07N65F,XE2F5VB,XE3DLC8VB,XNM07N65E,SMCJ5.0CA,XPM4435S,XT3N12VU,XT3DHC24VB,SMBJ440(C)A,XNM3005LJ,XNM12N60F,XNM12N60E,XNM3055MJ,XE2FHC15VU,XZ3D2V0B,SMAFJ5.0(C)A-,XT3D3V3U,XNMIRF730F,SMF5.0(C)A-,XE10NLC3V3U,XE3DLC3V3B,SMCJ5.0A,SMAFJ5.0A,XE9D5VB,XE143TLC5VU,XTDP7VU,XZ1D75VB,XE143TUC5VU,XNM3055LJ,XNM8205A,XPM9435S,XNM06N60F,XNM06N60E,SMBJ5.0CA

矽航 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

应能微拥有先进的ESD＆EOS防护设计技术，推出手机充电端VBUS和Vbattery的最佳EOS防护方案

应能微（APM）针对手机充电端VBUS和Vbattery的EOS防护，提供高紧凑度、大电流、低钳位电压、低漏电、超高稳定性的EOS防护器件系列TVS以及完整的器件组合，根据手机充电端VBUS和Vbattery浪涌电压电流要求和被保护IC的灵敏度选择合适的产品。

2024-03-06 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】满足工业自动化、汽车电子控制系统领域需求的LIN总线ESD防护TVS选型推荐，可兼容12/24V电源系统

为保证LIN总线免受ESD静电影响导致相关敏感电子器件受损，一般需要对LIN总线做ESD防护，推荐选择PANJIT（强茂）双向非对称TVS管PJEC2415VM1WS-AU实现，过AEC-Q101认证；推荐littelfuse（力特）单向TVS管SD15C-01FTG和SD24C-01FTG搭配使用实现；推荐国产高特双向非对称TVS管GESD1524实现，主推用于工业自动化领域。

2019-12-10 - 器件选型

智能手机产品应用方案

描述- 本文详细介绍了世晶半导体（深圳）有限公司在智能手机产品中的应用方案，包括摄像头、听筒、天线、ESD/TVS、OVP、MIC、MOS、LED、按键、电池、SIM卡、SD卡、3.5mm JACK、喇叭等元器件的选型和防护方案。文中还涉及了静电浪涌防护、静电防护方案、MOS、I2C通讯、电平转换电路、手电筒灯应用电路、马达应用电路等内容。

型号- SE5VLBN102,SEO4V5FN203,SE5VFBN102,SD40A1N102,SEO24VFHN203,SD31A01N062,SE5VLBN062,SVP5301,SME20N007SD,SSE3V3XBN062,SEO4V5FD322,SDTC143ZE,SVPA2601,SST1V5XBN062,SM20P15DE,SME60N003SD,SM30P10DE,ST4V5FHN102,SME20N007DD,SE5VFBN062,SDTC143N102

2023/12/14 - 世晶半导体 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【应用】使用硕凯电子的TVS和ESD二极管，设计USB Type-C接口静电防护方案

针对Type-C接口的静电防护需求及实际电路环境，硕凯电子设计了静电防护方案，在Type-C接口的电源部分，用一颗大通流的TVS对地做浪涌和静电防护；信号部分用了阵列式ESD，体积小，节约PCB空间，便于设计；采用低容值ESD器件，满足高速传输要求。

2019-03-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】USB Type-C端口的瞬态干扰防护

Littelfuse提供了高速信号线的最佳保护方案，具有超强的浪涌防护能力、超低的寄生电容和电感。

2019-07-29 - 新应用代理服务技术支持采购服务

WS36DF-B瞬态电压抑制器

描述- 本资料介绍了型号为WS36DF-B的瞬态电压抑制器（TVS）。该器件具有430瓦峰值脉冲功率，适用于保护单个I/O或电源线。其工作电压为36伏，具备低泄漏电流和低钳位电压的特点。符合IEC标准，包括静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击浪涌防护。产品采用DFN1006-2L封装，适用于笔记本电脑、手机、数码相机和个人数字助理等多种电子设备。

型号- WS36DF-B

2019/11/10 - WAYON - 数据手册 - Rev: B 代理服务技术支持采购服务