【产品】漏源电压800V、漏极连续电流5A的N沟道超结功率MOSFET RM5N800HD/TI/T2
丽正国际推出的RM5N800HD、RM5N800TI 和RM5N800T2是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在Tc=25°C时，RM5N800HD/TI/T2的漏源电压最大额定值为800V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为5A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，RM5N800HD和RM5N800T2的结到环境热阻为62℃/W（最大值），RM5N800TI 的结到环境热阻为80℃/W（最大值）。其产品图如图1所示。
图1 RM5N800HD/T2/T1的封装（从左到右依次对应）
产品特性
•VDS =800V , ID =5A ， RDS(on)MAX=1200mΩ
•用于高压设备的新技术
•低导通电阻和低传导损耗
•小封装
•超低栅极电荷，驱动要求低
•经过100％雪崩测试
•符合ROHS
•无卤素
应用领域
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源(UPS)
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