【产品】75V/210A N沟道增强型功率MOSFET RM210N75HD，采用先进的沟槽技术
丽正国际推出的N沟道增强型功率MOSFET RM210N75HD, 电压VDSS=75V，电流ID=210A采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷Qg，广泛应用于汽车和其它领域。
主要特征：
电压VDSS=75V，电流ID=210A，RDS(ON) < 4mΩ@VGS=10V；
稳定性好和高脉冲雪崩能量；
采用特殊工艺技术，提高抗静电能力；
高密度设计，超低导通阻抗Rdson；
采用优良的封装，降低热损耗；
无卤素材料；
P/N后缀带有V的表示通过AEC-Q101认证；
100%全UIS测试；
100%全ΔVds测试；
应用领域：
汽车应用；
硬件开关和高频电路；
不间断电源
参数如下：
漏极-源极电压为75V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为210A和150A（TC=100℃），漏极脉冲电流为840A，最大耗散功率为330W，单次脉冲雪崩能量为2200mJ，结壳热阻RθJC为0.455℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。
其它参数：
开关导通延时典型值为23ns，上升时间典型值为190ns，关断延时典型值为130ns，下降时间典型值为120ns；
开关总栅极电荷典型值为250nC，栅-源电荷典型值为48nC，栅-漏电荷典型值为98nC；
下图1为产品元件符号与和尺寸图。
图1 产品外形和电路符号
封装尺寸见下图2所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
包装信息：
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