【选型】可PTP替代NCE30H11BG的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管,管脚定义一致
YJG105N03A是扬杰科技推出的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管,已100%通过UIS和▽VDS测试,采用沟槽功率中压MOSFET技术,以及具有出色散热能力的封装,非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。当NCE30H11BG方案缺货或者需求备选方案时,YJG105N03A可实现PIN-TO-PIN替代。其两者主要参数对比如下:
图1:NCE30H11BG与YJG105N03A主要参数对比表
1、 两者的漏-源电压VDS都是30V,两者都具备SiC MOS中压的特性及较好的耐压冲击能力;
2、 YJG105N03A的连续导通电流规格在TC =25℃时为105A,在TC=100℃时是66A,相比NCE NCE30H11BG的110A和77.8A,两者在常温以及高温下过电流能力相差不大;
3、导通损耗方面,YJG105N03A导通内阻Rds(max)为3mΩ,与NCE NCE30H11BG导通内阻值一样;
4、YJG105N03A和NCE30H11BG封装上,虽然两者命名不同,但是实际两者的尺寸差异不大,管脚定义一致,可PIN TO PIN替换,如下图所示 :
图2: YJG105N03A(左图)和NCE30H11BG(右图)封装以及引脚定义
除了以上参数对比,世强备货YJG105N03A库存充足,批量有价格优惠,在NCE30H11BG缺货情况下,推荐使用世强公司代理的YJG105N03A替换NCE30H11BG进行设计。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由梅媛媛提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与友商NMOS SIJA58DP参数性能对比分析
一般NMOS用于同步整流,逆变等电路,在电源上应用广泛,现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A,其功能与Vishay的SIJA58DP相似,本文将针对二者的参数性能进行对比分析。
器件选型 发布时间 : 2022-01-15
【选型】车载冰箱用N沟道增强型场效应晶体管推荐扬杰YJD40N04AQ,具备AECQ认证,40V耐压
某车载冰箱用的N沟道增强型场效应晶体管选型要求,首先,能适用于目前冰箱的12V汽车供电系统,使用环境温度要求到125℃;用在车载模块,要符合车规认证。推荐YJD40N04AQ,漏源电压最大额定值40V,漏极电流达40A。
器件选型 发布时间 : 2023-03-29
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管可与CSD17303Q5 P2P兼容互换,参数基本一致
在DC-DC转换器、电源管理等应用上常用到功率MOS管来做开关作用,YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管,采用沟槽功率中压MOSFET技术,具有出色散热能力的封装,与TI 的CSD17303Q5在应用上可以Pin to Pin互相替换。
器件选型 发布时间 : 2021-10-01
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A,采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A,SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计,可用于高速开关。
新产品 发布时间 : 2020-12-19
【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A,采用高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A,内置两个MOS管,MOS管的漏源电压均为100V,漏电流均为20A(@TC=25°C)。采用高密度单元设计,具有较低RDS(ON),最大不超过22mΩ(@VGS= 10V, ID=15A),较低的导通电阻可降低开关损耗。
新产品 发布时间 : 2020-11-24
【产品】扬杰科技推出的YJJ03G10A型N沟道增强型场效应晶体管,静态漏源导通电阻不超过140mΩ
扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJJ03G10A,采用SOT-23-6L封装,漏源电压最大额定值为110V,栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS(ON),静态漏源导通电阻不超过140mΩ(VGS=10V,ID=3A)。产品具有出色的散热封装和低RDS(ON)等特性,结温和存储温度范围均为-55~+150℃,主要用于DC-DC转换器及电源管理功能等领域。
新产品 发布时间 : 2020-12-30
【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管,采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管,采用DFN3.3×3.3封装,Trench低压功率MOSFET技术,可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃,可以在严苛的温度环境下工作,稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。
新产品 发布时间 : 2021-01-31
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论