【选型】可PTP替代NCE30H11BG的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管，管脚定义一致
YJG105N03A是扬杰科技推出的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS和▽VDS测试，采用沟槽功率中压MOSFET技术，以及具有出色散热能力的封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。当NCE30H11BG方案缺货或者需求备选方案时，YJG105N03A可实现PIN-TO-PIN替代。其两者主要参数对比如下：
图1：NCE30H11BG与YJG105N03A主要参数对比表
1、 两者的漏-源电压VDS都是30V，两者都具备SiC MOS中压的特性及较好的耐压冲击能力；
2、 YJG105N03A的连续导通电流规格在TC =25℃时为105A，在TC=100℃时是66A，相比NCE NCE30H11BG的110A和77.8A，两者在常温以及高温下过电流能力相差不大；
3、导通损耗方面，YJG105N03A导通内阻Rds(max)为3mΩ，与NCE NCE30H11BG导通内阻值一样；
4、YJG105N03A和NCE30H11BG封装上，虽然两者命名不同，但是实际两者的尺寸差异不大，管脚定义一致，可PIN TO PIN替换，如下图所示 ：
图2: YJG105N03A（左图）和NCE30H11BG（右图）封装以及引脚定义
除了以上参数对比，世强备货YJG105N03A库存充足，批量有价格优惠，在NCE30H11BG缺货情况下，推荐使用世强公司代理的YJG105N03A替换NCE30H11BG进行设计。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
|
Package
|
Status
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ESD
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Configuration
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Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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