【产品】 P沟道增强型MOSFET AS4407S，漏源电压-30V、连续漏极电流-12A
安邦推出的P沟道增强型MOSFET AS4407S，具有先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计可实现超低导通电阻等特点，漏源电压为-30V，连续漏极电流为-12A；最大结温为150℃，存储温度范围为-55℃~+150℃，能够适应高温的工作环境。其采用SOP-8封装，耗散功率最大为3W，导通延迟时间典型值为9.4ns，关断延迟时间典型值为117ns。可应用于负载开关，PWM应用等领域。
图1 产品实物图
特点
先进的沟槽工艺技术
高密度单元设计，超低导通电阻
应用
负载开关
PWM应用
绝对最大额定值
封装尺寸
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