【应用】如何使用ClockMatrix时钟芯片8A3xxxx系列对EEPROM进行编程?

2020-06-22 IDT(Renesas收购)
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IDTRENESAS收购)的8A3xxxx系列时钟芯片的设计目的是使用内部资源进行启动和操作。但是在某些情况下,有必要或更方便地使用外部I2C串行EEPROM使设备在复位时获得备用信息。


本文提供有关EEPROM硬件连接的信息、如何使用ClockMatrix芯片对EEPROM进行编程以及其他各种信息。

 

1.  EEPROM综述

来自Renesas的ClockMatrix 8A3xxxx产品系列设计用于启动和使用内部资源进行操作。但是,在某些情况下,可能需要更方便地为设备使用外部I2C串行EEPROM,以便在复位时获得备用信息。

在下列一种或多种情况下可以使用外部EEPROM:

•    设备配置信息块 (配置)

•    微控制器固件完整应用程序加载 (固件应用)

•    微控制器固件补丁 (固件修补)


这些块可以在EEPROM中以任何顺序出现,但只能应用一个FW应用程序或一个FW修复程序。FW 修补程序不能应用于从 EEPROM 加载的 FW 应用程序块;而只有内部(嵌入式)的固件。允许任意数量的配置块.

瑞萨以 .hex 文件的形式提供 EEPROM 映像,该文件根据英特尔十六进制格式进行格式化。EEPROM 结构的详细信息超出了本文档的范围。


以下说明描述了EEPROM的硬件连接、如何使用ClockMatrix芯片对 EEPROM 进行编程以及其他信息。

 

2. 硬件设置

下面是一个硬件设置的示例。

图1 EEPROM电路

 

将 SCLK 和 SDA连接到ClockMatrix器件主 I2C 端口(SCLK 和 SDA)。另一建议是放一个3针连接器连接到 EEPROM的 SCLK、SDA 和 GND 引脚(参见图 1 中的绿色框)。使用此方法,外部编程器可以连接到系统进行编程。请注意,外部编程器可能仅支持 3.3V 电平,因此,如果芯片上的VCC_GPIO是 1.8V 或 2.5V,则需要电平转换器。

 

对于原型板,可以使用 PDIP 插座,如 DILV8P-223TLF(参见图 2)。这样可以轻松取下 EEPROM,以便使用外部板(如Total Phase的EEPROM插座板)对其进行编程。

图2 PDIP插座

 

3. EEPROM编程

有三种可选的EEPROM编程方式:

•    外部EEPROM闪存卡

•    插针

•    Clock Matrix芯片

 

3.1 外部闪存卡

对于这个选项,使用PDIP插座。使用Total Phase的EEPROM转接板对EEPROM进行编程,然后将EEPROM放入转接板中。有关更多信息,请参见使用Total Phase编程8A3x000 EEPROM。或者,也可以使用其他厂商的EEPROM闪存卡。


3.2 插针

对于这个选项,已经在系统板上焊接了EEPROM,如“用Total Phase为8A3x000的EEPROM编程”所述,使用一个附带的3针插针。不论如何,直接连接Total Phase Aardvark卡到3针插针,使用Total Phase软件对EEPROM编程。


3.3 Clock Matrix

对于此选项,ClockMatrix 芯片充当中间工具,将数据从系统设备传输到 EEPROM,如图 3 所示。CPU、FPGA 或其他系统设备将通过主串行端口或辅助串行端口与ClockMatrix器件"对话"并发送固件数据。反过来,ClockMatrix器件会将数据发送到 EEPROM 芯片。请注意,客户需要将 .xx 文件解析为系统可用的格式。


图3  通过Clock Matrix对EEPROM编程

 

时钟ClockMatrix器件包含一个寄存器缓冲区,该缓冲区用作 EEPROM 读/写缓冲区。使用以下寄存器访问缓冲区。有关寄存器偏移值,请参阅与 ROM 中固件对应的 8A3xxxx 系列编程指南。

模块:EEPROM

访问EEPROM


表 369:EEPROM寄存器索引

EEPROM.EEPROM_SIZE

配置读写的字节数


表371:EEPROM.EEPROM_SIZE位地址和说明

 

EEPROM.EEPROM_I2C_ADDR

EEPROM I2C地址


表370:EEPROM.EEPROM_I2C_ADDR位地址和说明

  

EEPROM.EEPROM_OFFSET


表365:EEPROM.EEPROM_OFFSET位地址和说明

 

EEPROM.EEPROM_CMD


表366:EEPROM.EEPROM_OFFSET位地址和说明

 


GENERAL_STATUS.EEPROM_STATUS


 表11:GENERAL_STATUS.EEPROM_STATUS位地址和说明

 

EEPROM 缓冲区寄存器长 128 字节,就是将数据写入 EEPROM 或从 EEPROM 读取的位置。对于 PR4.0,位置为 0xCF80。

下面是 SPI 2 字节寻址序列的示例,该序列演示如何对 EEPROM 的前 128 个字节进行编程。此示例基于 PR4.0 固件。有关其他固件,请参阅相应的 8A3xxxx 系列编程指南。


3.4 Write EEPROM Example

#添加等待时间,让芯片写入 EEPROM。这里为100mS。或者读回EEPROM_STATUS并验证它是 0x8000,然后继续。

对EEPROM数据的每个 128 个字节重复此操作。


3.5 读EEPROM示例

4F 6A 00 00     #Write to CF6A, set offset

4F 6C 01 EE     #Write to CF6C, trigger EEPROM read

#添加等待时间,让芯片写入 EEPROM。这里为100mS。

7F FD 80 10 20  #设置页寄存器

#从CF80读, 回读缓存 (注意,MSB已设置为读取命令)



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全部评论(1

  • maomao Lv8. 研究员 2020-06-22
    不错的资料~~
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