【产品】EPC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器,可实现2 MHz的开关频率
EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合,可实现高达2 MHz的开关频率,从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9160,这是一款双输出同步降压转换器参考设计,开关频率为2 MHz,可将9 V~24 V的输入电压转换为3.3 V或5 V的输出电压,两个输出的连续电流可高达15 A。由于开关频率高,转换器的尺寸非常小,两个输出都只有23 mm x 22 mm和电感器的厚度只有3 mm。
这个解决方案具有高功率密度、纤薄和开关频率为2 MHz,是车用控制台应用和需要小型、纤薄方案的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN®FET具备快速开关、高效率和小尺寸等优势,可以满足这些前沿应用对高功率密度的严格要求。
EPC9160参考设计采用了增强型GaN FET(EPC2055)和带有GaN集成驱动器的两相模拟降压控制器(LTC7890)。
100 V、具有低 Iq、双路、两相的同步降压控制器(LTC7890)经过全面优化,可驱动 EPC eGaN FET,并集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零,开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流(VIN = 48 V、VOUT = 5 V、仅CH1)可实现非常低的待机功耗和卓越的轻负载效率。
40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)内实现3 mOhm的最大导通电阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢复(QRR),可提供高达29 A的连续电流和161 A的峰值电流。优越的动态参数可以在2 MHz开关频率下,实现非常小的开关损耗。
EPC9160的效率在5 V输出和24 V输入时超过93%。除了轻载工作模式和可调死区时间外,该板还提供欠压锁定、过流保护和power good输出。
宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow表示:"氮化镓场效应晶体管具备超低开关损耗的优势,使它能够在2 MHz以上的频率工作,并配以新型模拟控制器,让客户可实现2 MHz工作频率以上的整个生态系统。我们很高兴与ADI公司合作,将其先进控制器的优势与EPC氮化镓器件的卓越性能结合起来,为客户提供具有最高功率密度和采用少量元件的解决方案,从而提高效率、增加功率密度和降低系统成本"。
ADI公司高级产品市场经理Tae Han说:"ADI公司的LTC7890设计可发挥EPC eGaN FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关优势,实现最高的功率密度。"
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准
EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合,为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
描述- 本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用,重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用,包括高效能计算和电信应用,以及汽车电子领域。此外,还提供了相关产品的详细规格和开发板信息,以帮助工程师进行设计和评估。
型号- EPC2057,N/A,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC90155,EPC90156,EPC90153,EPC2101,EPC2106,EPC2105,EPC90151,EPC2065,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC9014,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC2619,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9195,EPC2019,EPC9166,EPC2252,EPC9047,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC9010C,EPC2305,EPC9177,EPC2020,EPC9179,EPC2023,EPC9174,EPC9055,EPC9170,EPC9006C,EPC2234,EPC2010C,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC90140,EPC9143,EPC90132,EPC90137,EPC91106,EPC90138,EPC90135,EPC91108,EPC9159,EPC2007C,EPC2361,EPC9157,EPC9036,EPC9158,EPC9037,EPC2088,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC90120,EPC9033,EPC90124
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【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用,可减少损耗
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型号- EPC2302,EPC2305,EPC2308,EPC23101,EPC23102
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型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
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型号- EPC2252
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型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124
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描述- 本文介绍了针对eGaN®FET功率转换的生态系统的发展和完善。文章重点阐述了eGaN FET的优势,包括高效率、低成本和更高的功率密度。此外,文章详细介绍了eGaN FET生态系统的三个主要部分:栅极驱动器、控制器和无源元件。文中还提供了相关产品的范例和制造商信息,旨在帮助设计师更好地利用eGaN FET技术。
型号- EPC2036,TEA1998TS,UP1964,TEA1993TS,LM5114,EPC2050,TEA1995T,EPC9204,IXD_604,ADUM4121ARIZ,EPC2012,EPC8010,EPC9081,TPS53632G,ISL8117A,LMG1210,ADUM4120ARIZ,EPC2047,LTC7800,MIC2103/4,UCC27611,NCP4308A,TPS40400,EPC9078,EPC2045,EPC2001,SI8275GB-IM,LMG1205,SI8274GB1-IM,LM5140-Q1,UP1966A,UP1966B,NCP4305A,LM5113-Q1(NRND),PE29101,PE29102,MIC2127A,LMG1020
EPC评估套件选型表
EPC提供评估板的选型:Default Configuration:IToF、Resonant Pulse DToF;VBUS (max)(V):12~160V;VINPUT(max)(V):5 V;Tpin(min)(ns):1 ns/2 ns
产品型号
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品类
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Description
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VIN(V)
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VOUT(V)
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IOUT (A)
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Featured Product
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EPC9163
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评估板
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Synchronous, Buck or Boost, digital controller
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Buck: 20 – 60 V
Boost: 11.3 – 16 V
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Buck: 5 - 16 V
Boost: 20-50 V
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140 A (Buck)
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EPC2218
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选型表 - EPC 立即选型
EPC2901C_55–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书
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型号- EPC2901C_55
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电子商城
现货市场
服务
测量产品要求:凝胶、硅脂、垫片等,产品规格建议≥10mm*10mm;测试精度0.01℃,通过发热管,功率输出器,电偶线温度监控进行简易的散热模拟测试。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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