【产品】反向耐压为200V~1000V的硅全波桥式整流器,可用于通用全波整流领域

2018-06-08 CENTRAL
桥式整流器,全波桥式整流器,硅全波桥式整流器,CBR1-D020S 桥式整流器,全波桥式整流器,硅全波桥式整流器,CBR1-D020S 桥式整流器,全波桥式整流器,硅全波桥式整流器,CBR1-D020S 桥式整流器,全波桥式整流器,硅全波桥式整流器,CBR1-D020S

CBR1-D020S系列是CENTRAL半导体公司推出的硅全波桥式整流器,该系列包括5个型号:CBR1-D020S,CBR1-D040S,CBR1-D060S,CBR1-D080S,CBR1-D100S。CENTRAL该CBR1-D020S系列硅全波桥式整流器具有高耐压值、高电流能力、低泄漏电流等特点。该系列器件采用表面贴装SMDIP封装,占用电路板空间较小,可用于转向二极管阵列,通用全波整流领域。

 

CBR1-D020S系列具有较高的反向耐压值,其反向重复峰值电压VRRM分别为200V,400V,600V,800V,1000V。该系列器件具备较强的抗浪涌冲击能力,其峰值正向浪涌电流IFSM高达50A。该系列平均正向电流IO为1.0A,正向压降VF最大值为1.1V@IF=1.0A,导通损耗较低。该系列还具有较低的泄漏电流,其最大值IR为10µA,电流泄漏造成的危害较小。

 

CBR1-D020S系列的工作和存储结温均为-65℃~+150℃,可满足工业上对温度的要求。其结电容CJ典型值为25pF。

图一 CBR1-D020S系列产品图  

               

CENTRAL该CBR1-D020S系列硅全波桥式整流器的产品特性:

• 反向重复峰值电压VRRM分别为200V,400V,600V,800V,1000V 

• 平均正向电流IO为1.0A

• 峰值正向浪涌电流IFSM为50A

• 反向泄漏电流IR最大值为10µA

• 正向压降VF最大值为1.1V@IF=1.0A

• 结电容CJ典型值为25pF

 

CENTRAL该CBR1-D020S系列硅全波桥式整流器的应用领域:

• 转向二极管阵列

• 通用全波整流


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