【产品】拥有0.15Ω低导通电阻的增强型P沟道MOSFET，阈值电压最大为0.85V

时间： 2018-06-23 来源：CENTRAL

技术问答

CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET，其具有较低的r_DS（ON），阈值电压最大值为0.85V。CMLDM8120TG增强型MOSFET采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。

CENTRAL推出的CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的栅源电压V_GS为8.0V，连续漏极电流I_D为860mA。CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET具有较低的r_DS（ON），最大为0.15Ω@V_GS=4.5V，I_D=0.95A，低导通电阻使该器件拥有较小的开关损耗。其栅极电荷Q_gs为0.36nC，有着极好的开关性能，同时也可降低开关损耗。另外，CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的t_on为20ns，t_off为25ns，有着极快的开关速度。

CENTRAL推出的CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的工作和存储结温均为-65℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET主要用于负载/电源开关，电源转换器电路，电池供电的便携式设备领域。

CENTRAL CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET

图1 CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的实物图

图2 CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的内部结构图

CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的产品特性：

• 采用无卤素设计

• 低r_DS（ON）

• 阈值电压最大值为0.85V

• 逻辑电平兼容

CMLDM8120TG增强型P沟道MOSFET的应用领域：

• 负载/电源开关

• 电源转换器电路

• 电池供电的便携式设备

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