Twente太阳能团队选择UnitedSiC碳化硅FET器件设计太阳能汽车

时间： 2019-11-21 来源：UnitedSiC

来自Twente大学和Saxion Hogeschool的荷兰太阳能汽车团队已从SiC功率半导体制造商UnitedSiC选择了碳化硅（SiC）器件，以参与10月的一次重大太阳能赛车竞赛。

UnitedSiC向Solar Team Twente提供了其FAST系列SiC FET的产品样品，他们选择其的依据是其卓越的性能。目前该团队正在测试用于太阳能汽车创新电子产品的SiC器件。新的太阳能汽车``RED E''旨在在2019年10月13日举行的普利司通世界太阳能挑战赛（BWSC）中取得优异的成绩。来自30多个国家/地区的学校和大学的团队制造了他们自己定制的太阳能驱动的车辆，它们将穿越3,000公里（1,864英里）的澳大利亚内陆地区，从达尔文到阿德莱德，面临炎热的天气和公共道路的艰巨地形。

“在Twente太阳能团队，我们努力使一切都尽可能高效。由于大多数商用电子产品无法满足我们的高要求，因此我们会自行开发。”特温特太阳能团队的电气工程师Devon Screever说。“目前，特温特太阳能团队开发和生产车辆的整个电气系统，包括太阳能电池板，电池甚至动力传动系统。团队还开发了电动机控制器和电动机。为了确保获得最佳性能，我们一直在寻找包括碳化硅在内的新技术。使用SiC，我们可以大幅降低开关损耗，同时仍可确保可靠性和稳定性。”

UnitedSiC的SiC FET基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装，以生产常关SiC FET器件。凭借其标准的栅极驱动特性，SiC FET提供了“嵌入式替换”功能，可在使用硅（Si）IGBT，Si FET，SiC MOSFET或Si超结器件的现有设计中实现更高的性能。

“对于这种太阳能汽车项目之类的新设计，UnitedSiC FAST系列SiC FET将为设计人员从该器件不断提高的开关频率（例如提高效率以及减小无源组件的尺寸和成本）中带来重大的系统收益，” UnitedSiC工程副总裁 Anup Bhalla说“ FAST系列器件不仅提供超低栅极电荷，而且还提供同类额定值任何器件的最佳反向恢复特性。

“ Twente太阳能团队对这些产品的选择表明，UnitedSiC的SiC FET可以为其提供竞争优势，特别是在普利司通世界太阳能挑战赛的挑战性环境中。我们希望团队在十月的比赛之中取得成功。”

如今，总共有14个器件的UnitedSiC UF3C FAST SiC系列采用了TO247-3L，TO247-4L，TO220-3L和D2PAK7-3L四种封装，有四个1200V和十个650V型号可选。

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型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S

2022/4/22 - UNITEDSIC - 选型指南

UJ3C065030B 3650V-27MW SiC FET规格书

描述- 本资料介绍了650V-27mW碳化硅场效应晶体管（SiC FET）的详细规格和应用信息。该器件采用独特的“级联”电路配置，结合了SiC JFET和Si MOSFET，实现低导通电阻、低栅极电荷和优异的反向恢复特性，适用于开关电感负载和标准栅极驱动应用。

型号- UJ3C065030B3

April 2022 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. B

UnitedSiC Rediscovers The Perfect Switch with SiC FETs

Cascading silicon MOSFET and a SiC JFET is dubbed a ‘SiC FET‘ by the manufacturer and technology champion UnitedSiC. It has better figures of merit for overall losses than SiC MOSFETs or GaN HEMT cells.

2021-07-17 - 原厂动态

UJ3N1701K2 1700V-1.1ΩSiC常在JFET数据表上

型号- UJ3N1701K2Z,UJ3N1701K2,UJ3D1202TS

February 2020 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. A

UJ3C065080B3 650V-80mW SiC FET规格书

描述- 本资料介绍了650V-80mW碳化硅场效应晶体管（SiC FET）的详细规格和应用信息。该器件采用独特的“级联”电路配置，结合了SiC JFET和Si MOSFET，实现常关特性，适用于标准栅极驱动，具有低栅极电荷和优异的反向恢复特性，适用于开关电感负载和需要标准栅极驱动的任何应用。

型号- UJ3C065080B3

April 2022 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. B

sicjfet和共源共栅的稳健性

描述- 本文介绍了碳化硅（SiC）垂直沟槽JFET和级联放大器的性能。文章详细讨论了SiC JFET的短路和雪崩行为，以及其在级联配置中的变化。文章还分析了SiC JFET的导通状态特性，短路电流和雪崩能力，以及级联放大器的结构和工作原理。此外，文章还讨论了SiC JFET和级联放大器在短路和雪崩条件下的行为，以及它们在电路设计中的应用。

May 2015 - UNITEDSIC - 技术文档

【应用】SiC JFET UJ3N120035K3S用于SMPS应用，具有热稳定性和很低的FSOA

在许多应用中，开关转换不可避免地与通断状态成比例，或者在转换区域内故意设置工作点。本文介绍了这些应用中使用UnitedSiC 的SiC JFET UJ3N120035K3S的优势——具有很强的热稳定性、很低的导通电阻及FSOA。

2020-05-26 - 应用方案

UF4SC120030K4S 1200V-30MW SiC FET规格书

描述- 本资料介绍了UF4SC120030K4S型1200V、30mW碳化硅场效应晶体管（SiC FET）。该器件采用独特的“级联”电路配置，将通常导通的碳化硅JFET与硅MOSFET共封装，以产生通常关断的碳化硅FET器件。该器件具有标准栅极驱动特性，可实现与硅IGBT、硅FET、碳化硅MOSFET或硅超结器件的真实“即插即用”替换。该器件采用TO-247-4L封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，适用于开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

型号- UF4SC120030K4S

April 2022 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. A

The totem-pole PFC stage comes of age with SiC FETs

The gate drive issue is solved by designing with SiC FETs from UnitedSiC, a cascode combination of a SiC JFET and a silicon MOSFET. The gate now can be driven at ‘normal’ MOSFET or IGBT levels with a large margin of safety to the absolute maximum +/- values, with a stable threshold level when driving the device fully on, largely independent of time and temperature.

2022-05-11 - 原厂动态

全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）

UnitedSiC（联合碳化硅）开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管（FET）、碳化硅结型场效应晶体管（JFET）和碳化硅肖特基二极管（Schottky Diode）等功率半导体器件，且可定制,为电动汽车充电器，DC-DC转换器，牵引变流器等。

2019-11-22 - 品牌简介

UF4SC120023K4S 1200V-23MW SiC FET规格书

描述- UF4SC120023K4S是一款1200V、23mW的碳化硅场效应晶体管（SiC FET），采用独特的“级联”电路配置，将常通型碳化硅JFET与硅MOSFET共封装，实现常关型SiC FET。该器件具有标准栅极驱动特性，可替代Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。适用于开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

型号- UF4SC120023K4S

April 2022 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. A

【产品】1200V碳化硅场效应晶体管UF3SC120009K4S/16K3S/16K4S，导通电阻8.6mΩ/16mΩ

UF3SC120009K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC120016K4S是UnitedSic公司推出的三款碳化硅场效应晶体管。这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装，制造出常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBTs、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件进行真正的“替代”。

2019-12-06 - 新产品