【产品】50V/0.35A的N沟道增强型MOSFET PJE138K，提供ESD保护
PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJE138K是PANJIT公司推出的一款采用SOT-523封装的N沟道增强型MOSFET，漏源电压为50V，连续漏极电流为350mA，耗散功率223mW，工作结温和储存温度-55~150℃。
该N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA<1.6Ω
•RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@200mA <2.5Ω
•RDS(ON) , VGS@2.5V, ID@100mA <4.5Ω
•专为电池供电系统、固态继电器驱动器而设计，如继电器、显示器、存储器等
•防静电ESD-HBM能力达到2KV
•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
•外壳：SOT-523封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.00007盎司，0.002克
表1 该MOSFET最大额定值
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