【产品】50V/0.35A的N沟道增强型MOSFET PJE138K，提供ESD保护
PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJE138K是PANJIT公司推出的一款采用SOT-523封装的N沟道增强型MOSFET，漏源电压为50V，连续漏极电流为350mA，耗散功率223mW，工作结温和储存温度-55~150℃。
该N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON) , VGS@10V, ID@500mA<1.6Ω
•RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@200mA <2.5Ω
•RDS(ON) , VGS@2.5V, ID@100mA <4.5Ω
•专为电池供电系统、固态继电器驱动器而设计，如继电器、显示器、存储器等
•防静电ESD-HBM能力达到2KV
•符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
•外壳：SOT-523封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.00007盎司，0.002克
表1 该MOSFET最大额定值
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ1938
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Small Signal MOSFET
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DFN1006-3L
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New Product
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-
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ESD
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N
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Single
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50
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20
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0.6
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1450
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1950
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4000
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6000
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-
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32
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1.5
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1.7
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选型表 - PANJIT 立即选型
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授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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