【产品】IGBT M7芯片技术1200V/200A IGBT功率模块80-M2122PA200M7-K709F70

时间： 2019-10-26 来源：Vincotech

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IGBT功率模块,80-M2122PA200M7-K709F70,Vincotech

VINCOTECH公司推出80-M2122PA200M7-K709F70 IGBT功率模块，属于MiniSKiiP^® DUAL 2产品系列，采用半桥拓扑结构和 IGBT M7芯片技术。击穿电压1200V/额定电流200A，易于安装，一步完成，可用于工业驱动器、电源等应用。

图1 80-M2122PA200M7-K709F70产品图

80-M2122PA200M7-K709F70 IGBT功率模块基本模块信息：

· 零件号：80-M2122PA200M7-K709F70

· 产品系列：MiniSKiiP^® DUAL 2

· 产品状态：批量生产

· 击穿电压：1200V

· 标称芯片额定电流：200A

· 标准包装数量：72

80-M2122PA200M7-K709F70 IGBT功率模块产品详情：

· 拓扑结构：半桥

· 温度传感器

· 芯片技术（主开关）： IGBT M7

· 易于并联

· 低关断损耗

· 低集电极发射极饱和压降

· 正温度系数

· 短拖尾电流

· 基板隔离绝缘材料（例如陶瓷）：Al₂O₃

· 电气互连：弹簧触点

外壳相关细节

· 模块外壳：MiniSKiiP^® DUAL 2

· 封装尺寸：58.9mm x51.9mm

· 高度：16mm

· 易于安装，一步完成

· 柔性PCB设计w/o引脚孔

· 半桥配置

· 免焊弹簧触点

· 坚固的弹簧触点

80-M2122PA200M7-K709F70 IGBT功率模块应用领域：

· 工业驱动器

· 电源

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