【产品】漏-源电压60V的P沟道增强型场效应晶体管RC407，符合RoHS标准并无卤素
正芯推出型号为RC407的P沟道增强型场效应晶体管，其采用先进的沟槽技术， 具有出色的RDS(ON)，低栅极电荷和低栅极电阻，且符合RoHS标准并无卤素，其采用的DPAK封装具有优秀的热阻，该器件非常适用于大电流负载应用。
产品特征
VDS(V)=-60V
ID=-12A(VGS=-10V)
RDS(ON)<115mΩ(VGS=-10V)
RDS(ON)<150mΩ(VGS=-4.5V)
绝对最大额定值（若无其他注明，TA =25℃）
热特性
电气特征（若无其他注明，TJ=25℃）
注释
A：RθJA的值是在将设备安装在带有2oz. Copper的1平方英寸的FR-4板上，且在静止的空气环境中，TA=25℃时测量得出。耗散功率PDSM是基于RθJA和允许的最大结温150℃下得出。在任何特定的应用中，这个值取决于用户具体的PCB板设计，如果允许，最高温度可达175℃。
B：耗散功率PD基于TJ(MAX)=175℃，且使用结到管壳的热阻，同时它在管壳使用额外散热装置的情况下，设定耗散上限更为有效。
C：连续额定值，脉冲宽度受结温T J(MAX)=175℃限制。
G：最大的额定电流受到键合金线的限制
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|
产品型号
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品类
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Polarity
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V(BR)DSS(V)
|
Id(A)
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Pd(W)
|
VGS(V)
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IDM(A)
|
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
|
RC2312
|
MOSFET
|
N
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20V
|
7A
|
0.35W
|
±8.0V
|
20A
|
15mΩ
|
25mΩ
|
选型表 - 正芯 立即选型
正芯-AOS MOSFET对照表
型号- RC10N10,AO3407A,AO3415A,RC4842,AO4419,RC4807,AO3407A_2C1,RC4606,AO3402,RC4407,AO4612,AON6407,AO3403,RC7P06S8,AO3442,AO4407A,RC3414A,AOD2910E_001,AO3415C,RC6144,RC4441,RC6420,AOD478,AO6401A,RC3420,RC4614B,RC30N10,RC3422,RC4800B,AO3416,AO3418,AO4468,AON7407,AO3413,AO3414,RC3485C,AO3415,AOD2610E,AO4421,RC3401A,RC3413A,AO3415AS_101,RCQ5303,RC4801A,AOD403,RC3415,RC3480C,RC403,AOD409,RCD7N65,RC4468,AOD407,RC407,RC3418,RC409,RC3416A,RC50N03,AOD7N65,AO3420,AO3422,AO4801A,AOD2910E,RC3400A,AO3401A,AO3485C,RC50N06,RC3403,RC3415P,RC3402,RC4612,RC7407,RC3404,AO3404A,RC3442,AO4807,AOD516,AO4606,AO4800B,RC3407,RC4419,AO4842,AON6144,RC6401A,AO4614B,AO3480C,AO4441,AO6420,AO3400A
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