【产品】漏-源电压60V的P沟道增强型场效应晶体管RC407，符合RoHS标准并无卤素
正芯推出型号为RC407的P沟道增强型场效应晶体管，其采用先进的沟槽技术， 具有出色的RDS(ON)，低栅极电荷和低栅极电阻，且符合RoHS标准并无卤素，其采用的DPAK封装具有优秀的热阻，该器件非常适用于大电流负载应用。
产品特征
VDS(V)=-60V
ID=-12A(VGS=-10V)
RDS(ON)<115mΩ(VGS=-10V)
RDS(ON)<150mΩ(VGS=-4.5V)
绝对最大额定值（若无其他注明，TA =25℃）
热特性
电气特征（若无其他注明，TJ=25℃）
注释
A：RθJA的值是在将设备安装在带有2oz. Copper的1平方英寸的FR-4板上，且在静止的空气环境中，TA=25℃时测量得出。耗散功率PDSM是基于RθJA和允许的最大结温150℃下得出。在任何特定的应用中，这个值取决于用户具体的PCB板设计，如果允许，最高温度可达175℃。
B：耗散功率PD基于TJ(MAX)=175℃，且使用结到管壳的热阻，同时它在管壳使用额外散热装置的情况下，设定耗散上限更为有效。
C：连续额定值，脉冲宽度受结温T J(MAX)=175℃限制。
G：最大的额定电流受到键合金线的限制
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|
产品型号
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品类
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Polarity
|
V(BR)DSS(V)
|
Id(A)
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Pd(W)
|
VGS(V)
|
IDM(A)
|
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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|
RC2312
|
MOSFET
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N
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20V
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7A
|
0.35W
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±8.0V
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20A
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15mΩ
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25mΩ
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