【应用】芯众享量产1200V多种封装形式的SiC SBD和SiC MOSFET系列产品,助力电动汽车快速充电
近年来电动汽车的蓬勃发展带给人们更多选择和新体验,但里程焦虑成为电车车主的“心头大患”,电池容量扩容是一项挑战,提高充电效率成为一大难关。传统汽车加油只需5分钟,而电动汽车充电长达半小时以上,充电难、充电慢的情况迫使车主们纷纷练就了“抢”充电桩的技能。如何提升充电效率,功率半导体不容忽视。
1、交流充电桩与直流充电桩
目前交流充电桩普适性较强,可安装在家庭地库环境中,使用220V交流电,不过其充电速度较慢,常被称为“低压慢充”。效率低的主要原因是车载OBC将交流电转换成直流电的功率较低。相比之下,“高压快充”通常指直流充电桩,可连接380V或以上电压的专用电网,通过充电桩内置AC/DC转换器将交流转换成直流,对车载电池进行充电。由于转换器置于车外,进而有了更大的空间布置散热系统,转化器的功率也能设计的更大。可以看到,影响充电速度关键在于AC/DC转换器的功率大小,而其核心在于功率半导体。
交流充电与直流充电模式
2、SiC器件直流充电桩最佳的选择
在充电技术不断迭代更新的产业环境及市场需求下,高功率密度、高充电效率及高可靠性成为影响直流充电桩发展的关键因素。碳化硅功率器件可实现硅器件做不到的高开关速度和低导通电阻,即使在高温条件下也能显示出优异的电气特性,可大幅降低开关损耗以及周边元器件的小型化。与传统Si基器件相比,SiC器件可增加充电桩近30%输出功率,并减少高达50%功率损耗。同时,碳化硅器件还能够增强充电桩的稳定性。碳化硅器件作为耐高压、速度快、耐高温的大电流器件,不仅简化了直流充电桩模块电路结构,还提高了单元功率品级,使得功率密度显著提高,进而为降低充电桩系统成本铺平了道路,碳化硅功率器件对直流充电桩可谓是最佳选择。
3、充电桩模块技术方案
目前,由于直流充电桩所接入的市电,多数为三相电,所以充电模块也多匹配于三相输入。主流的直流充电模块一般为“前级PFC+后级DC-DC”的电路结构。对于前级PFC而言,针对三相输入,绝大部分厂家都采用VIENNA结构或基于VIENNA的演变结构。对于后级DC-DC而言,多采用移相全桥或LLC以及基于其的演变结构。目前市场主流的直流充电桩功率模块有20KW和30KW,充电桩正朝着大功率方向发展,如功率在350KW和400KW,相对单机15KW模块,30KW模块数量减小一半,充电桩可靠性更高。
充电桩模块技术方案
4、SiC在充电桩应用中的优势
目前,常见的直流充电桩拓扑电路如图1所示,三相交流380V输入电压经过VIENNA AC/DC电路后,得到800V直流母线电压,然后经过两组两电平全桥LLC串联电路,输出250V到950V(或750V)高压给新能源汽车充电使用。其中VIENNA电路AC/DC的开关频率40kHz左右结构。传统前级PFC方案中因1200V硅快速恢复二极管(FRD)反向恢复特性和温度稳定性较差,可以考虑用反向恢复特性和温度稳定性更好的碳化硅二极管(SBD)替换,与Si MOSFET配合使用,可同时降低高频二极管与Si MOSFET的温升,提升VIENNA PFC的稳定性和效率。
电动汽车直流充电桩的DC-DC单元,若采用Si MOSFET,则需两级LLC串联如图1,电路比较复杂,若采用SiC MOSFET,单级LLC便可实现如图2,从而大大提高充电桩的功率单元单机功率。原边可使用芯众享的1200V SiC MOSFET,副边二极管整流损耗较大,可使用芯众享650V或1200V SiC SBD(肖特基二极管)来提升效率。由于SiC MOSFET的高压特性,其在1200V到1700V电压区间具有很大优势,采用SiC MOSFET的DC/DC电路,可从原先的三电平优化为两电平LLC(如图2所示)。因此可以大大简化拓扑电路,减少元器件的数量,控制和驱动更为简单。同时,基于SiC MOSFET的高频特性,可提高LLC电路的开关频率,从而减少磁性器件的尺寸和成本。
5、芯众享SiC器件助力电动汽车充电模块
芯众享面对充电模块等客户,量产了1200V多种封装形式的SiC SBD系列产品和SiC MOSFET系列产品,对应表1和表2。可以满足效率性能、运维成本、功率密度、稳定性等多方面的需求和现有的各种拓扑电路应用,针对其他应用也有650V 6A/10A/15A/20A TO252/TO263/TO220AC/TO247封装等SiC二极管对应产品。
表1 芯众享1200V SiC SBD系列产品选型表
表2 芯众享1200V SiC MOS 系列产品选型表
采用碳化硅器件能够大幅缩小装备体积,并显著降低损耗。因此,不论是应用在新能源汽车充电桩、电控模块还是车载充电模块上,碳化硅技术都能带来较强的优势。目前市场上主流的充电桩电源模块主要沿用通信电源的技术方案,基于硅功率器件进行设计,在效率和功率密度方面存在较大的提升空间。受到硅器件特性制约,传统的电源模块具有较低的器件工作频率和较高的器件开关损耗。较低的器件工作频率迫使电源模块采用较大较重的磁芯元件,降低功率密度的同时,也给电源模块降耗提效带来困难。
此外,过高的器件开关损耗将带来更大的结温波动,影响功率器件寿命,进而影响充电模块的使用寿命。频繁更换电源模块将增大充电桩的运维成本。纵观当前市场,目前应用第三代半导体的大功率液冷充电桩可以做到最大功率600KW,而480KW的大功率充电桩已经在普及阶段。理论上续航1000公里的电池10%~80%充电时间可压缩到10分钟左右。这离不开功率半导体不断迭代更新。从发展势头看,电车充电速度追上加油速度,将不再是镜花水月。
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