【经验】通过外置匹配将低噪声放大器CHA2069-QDG工作频段由K波段和Ka波段扩展至Ku波段
UMS公司推出的CHA2069-QDG是一款工作在K波段和Ka波段的自偏置三级低噪声放大器,典型的应用场合包括移动通信及军事等。当作为宽带低噪声放大器运用时,在18-30GHz频段内,它的具有良好的小信号特性(噪声系数不超过3dB,增益不低于20dB),也具有较好的线性度(在大电流配置下,三阶交调点大于20dBm),同时还具有低功耗(直流功耗不超过65mA),和较小的尺寸(4x4)。
此外,当简单增加一些外置匹配网络以后,则可将此款低噪声放大器的运用范围从K波段和ka波段拓展到Ku波段。本文将介绍一种运用在17-20GHz范围内的推荐外置匹配设计方法。
通过观察UMS公司提供的测试板95958上的测试结果,可以看到原本设计工作在K波段和ka波段(18-30GHz)的低噪声放大器CHA2069-QDG,经过外置匹配网络后在Ku波段(17-20GHz)频段范围内同样有着优异的射频性能。小信号方面,整体增益大于20dB(高电流配置下),并且在此配置下20-30GHz范围内增益下降不超过5dB。线性度方面,输出1dB压缩点分别大于14dbm(高电流配置)和10dbm(低电流配置),输出三阶交调点分别大于23dBm(高电流配置)和21dBm(低电流配置)。优良的小信号性能和线性度表明可以工作在此频段内。
在本文中,我们的测试和验证都选用的罗杰斯RO4003来进行验证。此款高频PCB的一些特征参数如下:介电常数er=3.38,厚度H=200um(8mil),铜箔选择1/2oz甚至更小。并计算出以上选型时的50Ohm特征阻抗线的宽度应设计为460um(约18mils)。
当将CHA2069-QDG这款低噪声放大器运用在较窄的频段,例如17-20GHz时,我们将运用一些微带线来进行外置匹配设计。而这些微带线的形状可以通过下表中的Sij参数,利用软件自动生成。以下数据和结果均由UMS公司提供。
低电流配置时的Sij(无外置匹配网络)
(环境温度=+25℃,Vd=+4,5V,pads:B,D,E接地。)
(请参考下文中的“Sij参考面定义”)
高电流配置时的Sij(无外置匹配网络)
(环境温度=+25℃,Vd=+4,5V,pads:B,D,E接地。)
(请参考下文中的“Sij参考面定义”)
Sij参考面定义
参考面是根据UMS公司推荐的样板95541中的引脚图来定义的(详见datasheet)。
参考线设为封装的对称轴,输入和输出参考面则分别位于距参考线(即对称轴)±3.18mm的位置上(分别在输入侧和输出侧)。接下来,运行软件将文中所给的Sij文件生成微带线。
推荐测试板“95958”以验证17-20GHz的性能
l 与推荐的引脚图兼容(详见datasheet);
l 基于典型的RO4003/8mil选项;
l 运用微带线或共面波导来完成这个封装;
l 模块中推荐这种设计
测试板“95958”的维度表
典型的PCB测试结果
(环境温度=+25℃,Vd=+4,5V)
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产品型号
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品类
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产品系列
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介电常数(Dk)
|
正切角损耗(Df)
|
介质厚度(mm)(mil)
|
导热系数W/(m·K)
|
铜箔类型
|
铜箔1厚度
|
铜箔2厚度
|
尺寸(inch)
|
5880LZNS 24X18 H1/H1 R4 0100+-001/DI
|
层压板
|
RT/duroid® 5880LZ
|
2
|
0.0027
|
0.254mm(10mil)
|
0.33
|
电解铜
|
H1
|
H1
|
24X18
|
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
|
Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHA1008-99F
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低噪声放大器
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80
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105
|
17
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DC
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5
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DC
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DC
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115
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2.5
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Die
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