【产品】串行接口Flash存储器装置TH25Q-16U，支持读取、编程和擦除操作，电源电压1.65~3.6V
TH25Q-16U是一种串行接口Flash存储器装置，设计用于各种大容量的基于消费者的应用程序，其中程序代码从Flash存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备灵活的擦除架构及其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。
对器件的擦除块大小进行了优化，以满足当今代码和数据存储应用的需要。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须自己驻留在自己的擦除区域中，大扇区和大块擦除闪存设备发生的浪费和未使用的内存空间可以大大减少。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。
该器件还包含一个附加的3*512字节安全寄存器，带有OTP锁（一次性可编程），可用于独特的设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等目的。
该器件专门设计用于多种不同的系统，支持读取、编程和擦除操作，电源电压范围从1.65V到3.6V。编程和擦除不需要单独的电压。
产品概况
单个1.65V至3.60V电源
- 读取、擦除和编程的电源范围1.65V至3.6V
工业温度范围-40~80℃
串行外设接口（SPI）兼容：
- 模式0和模式3
单、双和四IO模式
- 8M x 1位
- 4M x 2位
- 2M x 4位
灵活的代码和数据存储体系结构
- 统一256字节页面编程
- 统一256字节页面擦除
- 统一4K字节扇区擦除
- 统一32K/64K字节块擦除
- 全芯片擦除
性能
快速读取
- 4 I/O 80MHz，2+4dummy cycles，相当于320M
- 2 I/O 80MHz，4dummy cycles，相当于160M
- 1 I/O 80MHz，8dummy cycles
快速编程和擦除速度
- 1.3ms页面编程时间
- 10ms页面擦除时间
- 10ms 4K字节扇区擦除时间
- 10ms 32K字节块擦除时间
- 10ms 64K字节块擦除时间
连续读取
- 8/16/32/64字节环绕式处理
超低功耗
- 0.1μA深度掉电电流
- 12μA待机电流
- 33MHz时的4mA有效读取电流
- 6mA激活程序或擦除电流
高可靠性
- 100,000个程序/擦除周期
- 20年数据保留期
软件特性
一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 带OTP锁的3*512字节安全寄存器
软件保护模式
- 块保护位（BP4，BP3，BP2，BP1，和BP0）规定存储阵列中的部分读而不改。
每个器件的128位唯一ID
编程/擦除暂停和编程/擦除恢复
JEDEC标准制造商和器件ID读取方法
硬件特性
硬件保护模式
- 通过WP引脚对受保护扇区的硬件控制锁定
行业标准绿色封装选项
- 8-pin SOP（150mil/208mil）
- 8-land WSON（6x5mm）
- 8-pin TSSOP
- WLCSP
- 用于SiP的KGD
- |
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产品型号
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品类
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主频（MHz）
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Flash（KB）
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RAM（KB）
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封装
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工作电压（V）
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通用IO
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8位定时器
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16位定时器
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16位低功耗定时器
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11位M-△ADC外部通道
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UART
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低功耗UART
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SPT
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I2C
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7816
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LCD
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RTC
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AES
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比较器
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系列
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FM33G045
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32位MCU
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40
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256
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24
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LQFP48
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1.8~5.5
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41
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4
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4
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1
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4
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5
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1
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3
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1
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1
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-
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RTC
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AES
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1
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FM33G0xx
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产品型号
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品类
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Density(Mb)
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Interfaces
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Vcc(V)
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Frequency(MHz)
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Package
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S3A1004R0M-AI1AT00
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SPI MRAM
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1Mb
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QSPI
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1.8V
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108MHz
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SOP
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