【经验】SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别:驱动电压和内部栅极电阻

2018-12-09 ROHM
SiC-MOSFET,SCT2080KE,S2301,ROHM SiC-MOSFET,SCT2080KE,S2301,ROHM SiC-MOSFET,SCT2080KE,S2301,ROHM SiC-MOSFET,SCT2080KE,S2301,ROHM

本文将介绍ROHM推出的SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。


为使SiC-MOSFET获得低导通电阻,Vgs需要在18V前后,要比Si-MOSFET高。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大,因此外置Rg较小,但需要权衡浪涌保护。


与Si-MOSFET的区别:驱动电压

SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET(SCT2080KE)的导通电阻与Vgs的关系。



导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,以充分获得低导通电阻。也就是说,两者的区别之一是驱动电压要比Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时,还需要探讨栅极驱动器电路。


与Si-MOSFET的区别:内部栅极电阻

SiC-MOSFET元件本身(芯片)的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸。如果是相同设计,则与芯片尺寸成反比,芯片越小栅极电阻越高。同等能力下,SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小,因此栅极电容小,但内部栅极电阻增大。例如,1200V 80mΩ产品(S2301为裸芯片产品)的内部栅极电阻约为6.3Ω。



这不仅局限于SiC-MOSFET,MOSFET的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大,因此要想实现高速开关,需要使外置栅极电阻尽量小,小到几Ω左右。


但是,外置栅极电阻还承担着对抗施加于栅极的浪涌的任务,因此必须注意与浪涌保护之间的良好平衡。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 30

本文由LEA酱的一生转载自ROHM,原文标题为:所谓SiC-MOSFET-与Si-MOSFET的区别,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(30

  • 10531315世强 Lv7. 资深专家 2019-06-05
    支持支持
  • wch7475 Lv8. 研究员 2019-04-27
    学习
  • 用户33601407 Lv7. 资深专家 2019-04-24
    学习了
  • yingqiming Lv7. 资深专家 2019-04-13
    不错
  • 用户85806204 Lv7. 资深专家 2019-02-28
    学习
  • jishizhong Lv9 2019-02-22
    正想学习sic
  • hunter Lv6. 高级专家 2019-01-29
    学习
  • 周鑫 Lv8. 研究员 2019-01-27
    学习学习
  • nemo Lv7. 资深专家 2019-01-24
    学习一下
  • xqy Lv5. 技术专家 2019-01-17
    学习了
展开更多评论

相关推荐

【经验】桥式电路SiC MSOFET驱动电压尖峰产生原理和对策

桥式电路设计时,在SiC MOSFET开关设计上,不仅会发生栅极电压正电压尖峰,也会发生负电压尖峰,这些尖峰会引起SiC MOSFET应用时误导通和超规损坏等问题。本文桥式电路SiC MSOFET驱动电压尖峰产生原理和对策,并以ROHM的SiC MOSFET来说明。

2020-01-30 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别

本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,导通电阻特性的变化呈直线型,因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。

2018-12-24 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势:低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻

ROHM的SCT2080KEHR是1200V,导通电阻是80mΩ,电流40A,封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET,驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V,驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例,对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管,说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。

2020-07-01 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的区别

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势如:低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本文介绍SiC-MOSFET和Si-MOSFET、IGBT的的区别。

2023-10-20 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

A-011。图腾柱无桥PFC Vin=200V,Iin=100A,低频引脚上的二极管整流Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM公司针对Totem-Pole Bridgeless PFC电路的解决方案,包括电路图、可选择的元器件及其特性。资料详细介绍了SiC MOSFET和Si-FRD二极管的选择,并提供了仿真波形和损耗计算模型。此外,还包含了如何更改电路中元器件的说明以及注意事项。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,RFN10TF6S,RFNL15TJ6S,SCT2450KE,RFNL20TJ6S,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,RFN20TF6S,SCT4026DE,SCT3060AL,RFN20TJ6S,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE,RFNL10TJ6S

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。

2023-04-14 -  活动

A-010。图腾柱无桥PFC Vin=200V,Iin=100A,低频引脚上的同步FET Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料介绍了ROHM的Totem-Pole Bridgeless PFC(同步MOSFET)解决方案,包括可选的器件、仿真波形和损失计算模型。资料详细列出了多种SiC MOSFET和SJ-MOSFET的产品型号及其特性,并提供了如何更改仿真电路中器件的说明。此外,还包含了损失计算模型的输出示例,以及注意事项和免责声明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,R6009JNX,SCT2450KE,R6050JNZ4,SCT2H12NZ,SCT3040KL,R6004JNX,SCT3080KL,R6006JNX,R6025JNX,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,R6030JNZ4,SCT4026DE,R6018JNX,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE,R6020JNX

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

E/G型全碳化硅模块评估板第二代碳化硅MOSFET用户指南

描述- 本资料为ROHM公司生产的E/G型全碳化硅模块(BSMGD2G12D24-EVK001)的评估板用户手册。手册详细介绍了评估板的功能、使用方法、安全注意事项、电气特性、电路图和物料清单。评估板适用于研发环境,用于驱动第二代碳化硅MOSFET模块,具备门极驱动、短路保护、过压保护、欠压保护和温度监控等功能。

型号- RB168VAM150TR,LTR18EZPFLR470,MCR01MZPF2202,MCR01MZPF2201,MCR01MZPF2002,NON-C1005,MCR01MZPF6801,BD71L4LG-1GTR,MCR01MZPF4700,MCR01MZPF6800,NON-C2012,MCR01MZPF4701,MCR01MZPF4702,MCR01MZPF6802,2SCR572D3TL1,BSMXXXD12P2GXXX,BSMXXXC12P2EXXX,NFM18CC223R1C3D,MCR01MZPF1000,UMK212B7105KGHT,EMZ6.8NTL,NON-C1608,NON-BSM300,MCR01MZPF1502,UMK105CH101JVHF,BSM180C12P2E202,TFZVTR30B,EMK212BBJ106KGHT,RHU003N03FRAT106,MCR01MZPF3600,UMJ316BC7475KLHTE,LTR18EZPF68R0,MCR03EZPJ000,MCR03EZPFX4702,EMK212AB7475KGHT,3408-6002LCPL,BM60054AFV-CE2,BSM400D12P2G003,BU4S11G2-TR,MCR01MZPF2701,RF071MM2STR,UMK107B7102KAHT,MCR03EZPFX1003,2SAR572D3TL1,MCR03EZPFL3R90,BSM300D12P2E001,NON-LTR18,UMK105B7104KVHF,BU4S81G2-TR,BSMXXXC12P2GXXX,BD450M2EFJ-CE2,BSMXXXD12P2EXXX,S-19110PABH-M6T1U4,MCR01MZPF5101,MCR03EZPFX3301,MCR01MZPJ000,MCR03EZPFX1000,NON-MCR10,BSMGD2G12D24-EVK001,RFN1LAM7STR,MCR01MZPF3902,MCR01MZPF1003,RB160MM-40TR,MCR01MZPF1001,BU7261SG-TR,MCR01MZPF5602,BD7F200EFJ-LBE2,TFZVTR12B,MCR10EZPF6801,LTR18EZPF2701,RB160VAM-60TR,MCR10EZPF4701,MCR01MZPF3901,MCR01MZPF1801,HFTR4CA,TFZVTR6.2B,GMK107AB7105KAHT,BSM180D12P2E002,S-19700A00A-E8T1U4,MCR01MZPF10R0,TMK107B7474KAHT,NON-MCR03,NON-MCR01

SEP.2019  - ROHM  - 用户指南  - Rev.002 代理服务 技术支持 采购服务

A-005。升压PFC Vin=200V,Iin=2.5A,DCM(同步FET)Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM Solution Simulator的电路图信息,包括一个Boost PFC电路的模拟参数和设置。该电路采用同步FETs,输入电压为200V,输入电流为2.5A,工作在DCM模式。资料详细描述了电路的各个参数,如开关频率、温度、驱动电压等,并提供了可选的元器件和产品型号。此外,还展示了电路的仿真波形和损耗计算模型,以及相关的注意事项和免责声明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应

SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样,由于存在米勒电容,都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势,SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下,这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计,使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。

2020-02-14 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET

描述- 本资料提供截至2016年8月1日的罗姆产品信息,包含产品规格和性能介绍。资料强调内容准确性,但不对因错误或打字差错导致的损失负责。资料内容不构成知识产权的准许使用承诺,且对于涉及外国汇兑及外国贸易法的产品或技术,需取得相应许可。

型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE

08.2016  - ROHM  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 采购服务

A-003。升压PFC VIN=200V,IIN=2.5A,CCM(同步FET)Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供ROHM Solution Simulator的Boost PFC电路仿真信息,包括输入电压、电流、输出电压、开关频率等参数设置,以及电路中使用的器件如SiC MOSFET、门驱动器、电感、电容等的选择和特性。资料还展示了仿真波形、效率、功耗等性能指标,并提供了如何更改器件和计算损耗的说明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.005 代理服务 技术支持 采购服务

电动游艇——零排放水上运动,电机驱动由SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ提供动力

DIOTEC的SiC-MOSFET DIF120SIC022-AQ是高效船形驱动逆变器的完美器件。它在100℃的外壳温度下提供1200V的漏源电压和85A的连续漏电流。它采用4脚TO-247封装,配备开尔文源(Kelvin)触点。这使得可以实现高速开关,减少功率损耗和有高可靠运行。它非常适合用于电动游艇的高压电池,现在正被海军部门采用。

2024-07-06 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

ROHM碳化硅MOSFET管SCT2080KE的驱动电压范围是多少?

ROHM碳化硅MOSFET管SCT2080KE的驱动电压范围是-6V到22V。

2019-05-28 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

B-011。3级NPC-T逆变器Pout=10kW Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料介绍了ROHM公司的一款3级NPC逆变器解决方案,主要针对10kW输出功率的应用。资料中详细列出了可选用的SiC MOSFET器件,包括其产品编号、特性和参数。此外,还提供了仿真波形图和如何更改器件的说明,以及损失计算模型的相关信息。资料强调了在使用ROHM产品时的注意事项,包括验证最新规格、适用于特定应用前的咨询以及出口法规遵守等。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct  - ROHM  - 电路原理图  - Rev.007 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:ROHM

品类:MOSFET bare die

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:SiC-MOSFET

价格:¥47.7096

现货: 100

品牌:ROHM

品类:SiC-MOSFET

价格:¥47.7096

现货: 100

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥47.7096

现货: 90

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥47.7096

现货: 70

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥125.9005

现货: 34

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥125.9005

现货: 33

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥125.9005

现货: 24

品牌:ROHM

品类:AC/DC Converter

价格:¥158.8785

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:ROHM

品类:Transistor

价格:¥0.8750

现货:1,256,978

品牌:ROHM

品类:Anti-surge chip resistors

价格:¥0.1098

现货:460,550

品牌:ROHM

品类:电阻

价格:¥0.0065

现货:426,165

品牌:ROHM

品类:Transistor

价格:¥0.1295

现货:270,000

品牌:ROHM

品类:transistor

价格:¥0.1543

现货:250,000

品牌:ROHM

品类:Low-side switch

价格:¥5.8200

现货:200,000

品牌:ROHM

品类:Transistor

价格:¥0.7632

现货:200,000

品牌:ROHM

品类:电阻

价格:¥0.0070

现货:109,944

品牌:ROHM

品类:EEPROM

价格:¥0.8136

现货:103,191

品牌:ROHM

品类:Comparators

价格:¥2.8000

现货:100,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面