【产品】IDT新推出用于高性能、高密度固态硬盘的ONFI 4.1 1：4闪存扩展卡

时间： 2019-08-16 来源：IDT（Renesas收购）

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2019年8月7日，瑞萨电子公司（RENESAS）的全资子公司IDT宣布推出一款新的闪存扩展卡，允许设计人员开发针对数据中心和企业应用的高容量、高性能固态硬盘（SSD）。MX0141扩展卡使SSD能够使用现有ONFI 4.1组件来改善控制器和NAND闪存之间整体信号的完整性，并且允许更大的NAND设备阵列以最大的NV-DDR3接口速度运行。

为了满足高容量SSD的要求，设计人员需要在控制器的每个通道放置16个或更多的裸芯片。随着NAND性能要求提高到1200 MT/s，总线上的容性负载引入了信号完整性问题，无法实现更高的速度。IDT的1：4扩展卡隔离总线上的NAND裸芯片，以实现最高速度运行，是首个在SSD应用中支持高达1600 MT/s的端口速度的扩展卡。

“高带宽存储互连的快速发展，使得人们对有着大量以最大速度运行的闪存的管道需求越来越大。” IDT存储器接口产品副总裁兼总经理Rami Sethi表示， “这款新型闪存扩展卡利用了我们在高速信号完整性产品方面的核心竞争力，以应对下一代存储设备的设计挑战。”

IDT与Marvell合作开发了一款采用MX0141K和Marvell的88SS1098控制器的创新型SSD参考设计，开发了一种U.2解决方案，可最大限度地提高容量和性能而不增加设计尺寸。88SS1098控制器支持高性能和高容量SSD，可满足企业和数据中心环境中具有挑战性的工作负载的需求。

“我们数据中心和企业级用户利用我们最新一代高性能NVMe控制器正在致力于最大限度优化其容量而不过多考虑其性能，”Marvell公司闪存业务部营销副总裁Nigel Alvares表示。“IDT的闪存扩展卡与我们业界领先的控制器相结合，将使我们的客户能够提供具有每TB最优IOPs的高容量SSD。”

MX0141K采用低功耗、紧凑的4 mm × 11 mm 126-FCCSP封装。

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Yuki Lv8. 研究员 2019-11-22

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用户85806204 Lv7. 资深专家 2019-11-19

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Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-11-12

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鄗立恒 Lv8. 研究员 2019-11-12

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廖午武 Lv4. 资深工程师 2019-11-02

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珍珍 Lv7. 资深专家 2019-10-31

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skm Lv5. 技术专家 2019-10-30

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