UMS的GH25 0.25μm 氮化镓工艺助力欧航Pacis 3项目的双通道固态功率放大器开发
由SENER(西班牙)在ESA的Pacis 3合作项目框架内开发的双通道固态功率放大器(DSSPA)产品的初步设计评审已成功完成。第一个测试结果是在10W X波段DSSPA原型上获得的,它展示了令人印象深刻的性能。
SENER的Pacis 3 DSSPA模块原型
Pacis 3是卫星运营商Hisdesat与欧洲航天局(ESA)之间的合作项目(PP),它得到了西班牙工业技术发展中心(CDTI)的支持。ESA电信合作伙伴开发了新的可持续端到端系统,直至在轨验证完成。Pacis 3项目的目标是实现创新型天线的开发和集成,直至实现在轨验证,例如可重新配置的发射和接收X波段有源天线,以及带有可单独操纵的Ka波段天线。这些天线是在西班牙的Airbus Defence and Space的领导下开发的,是工业级产品。
Sener的DSSPA是基于大功率放大器集成电路构建的,这个大功率放大集成电路是由UMS使用其GH25 0.25μm氮化镓(GaN)工艺设计和生产的。该技术能够提供高射频功率水平,并在高温下提供高可靠性和良好性能。因此,它特别适合于许多高要求的应用,例如车载通信卫星的RF功率发射。
考虑到由西班牙Airbus开发的可重新配置的发射天线中将集成数百个有源元件,Sener的轻巧且高性能DSSPA是Pacis 3项目的关键因素。为了满足具有挑战性的工业化和生产的目标,Sener甚至将其员工转移到拥有新的和更大的无尘室的另一家工厂。
Pacis 3是Hisdesat的SpainSat NG总体计划的一部分,该计划包括两架基于Airbus公司新的Eurostar Neo产品线的新一代卫星。两颗卫星均将于2023/2024年末发射,它们用于安全通信。此外,在Pacis 3项目中我们还能够了解到在轨共享和共享的理念,以及该理念队ESA的Govsatcom的先导活动的支持。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由电光刃翻译自UMS,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
设计、生产、封装一条龙晶圆代工服务 满足您的细小需求
全系列服务,领先的GaN、GaAs、SeSi工艺,最高达到400W的输出功率,给您带来独具特色的欧式foundry services服务。
原厂动态 发布时间 : 2016-12-28
UMS推出定制的GaN和GaAs解决方案,可用于高性能、低噪声、高功率的MMIC开发
UMS已开发出经过验证的基于GaAs和GaN的系列工艺,推出定制的GaN和GaAs解决方案,可用于高性能、低噪声、高功率的MMIC。代工客户和UMS广泛大量的使用这些基于GaAs和GaN的工艺,从而为国防,汽车,航天,电信和工业市场提供MMIC解决方案。
原厂动态 发布时间 : 2020-07-24
特瑞堡收购航空航天零部件制造商,提高航空航天密封件生产能力,为航空航天和工业应用提供密封解决方案
特瑞堡集团旗下特瑞堡密封系统业务领域与私营企业4M Company, Inc签订了收购其业务部的合同,专注于为航空航天和工业应用提供密封解决方案;本次收购将有助于提高特瑞堡生产用于各种航空航天部件的弹性体的能力,并有助于扩充其产品范围。
原厂动态 发布时间 : 2023-04-04
【技术】UMS推出三种GaAs PHEMT工艺流程,助力MMIC设计,提供代工服务
UMS(United Monolithic Semiconductors)是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,法国公司Thales&EADS的子公司。主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。此外,UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,拥有GaN、GaAs、GeSi的工艺,可为客户提供Foundry service。PH10、PH15、PH25是UMS推
新技术 发布时间 : 2018-10-20
【产品】RF/LO频率范围76GHz~77GHz的双通道射频混频器CHM2378a,W波段应用首选
UMS公司是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商, 同时也是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS公司近日推出了一款GaAs单片W波段混频器CHM2378a,它采用双通道架构。CHM2378a混频器内部的非线性器件是高质量的肖特基二极管,可产生低转换损耗和非常低的噪声。
新产品 发布时间 : 2019-01-16
【产品】6-18GHz反射式单刀双掷开关,GaN工艺单片微波IC
UMS推出的反射式单刀双掷开关(SPDT)CHS8618-99F,切换时间典型值为30ns,在导通状态下的插入损耗极小,典型值仅为1.3dB,可应用于大多数军事或商业通信系统中。
新产品 发布时间 : 2018-02-26
【产品】1微米肖特基二极管工艺,优化混频器、收发器和功率检测器设计
全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商UMS近期推出了一款截止频率高达3THz的肖特基二极管工艺产品——BES,已成功通过宇航级品质评估,并列入欧空局(ESA)的欧洲优选器件列表(EPPL)。BES为1微米肖特基二极管工艺,为高达百GHZ级别的甚高频混频器或开关应用而优化。
新产品 发布时间 : 2018-08-06
【技术】GH15 GaN工艺:针对高达40GHz的高功率、高功率附加效率和高线性度器件进行了优化
GH15 GaN工艺针对高达40GHz的高功率、高功率附加效率和高线性度器件进行了优化。受到一个热耗散SiC基底板加持,该功率密度高达4.2W/mm。MMIC流程包括MIM电容器,电感器,空气桥,金属电阻器,通过基板的通孔以及两个互联的金属层。
新技术 发布时间 : 2022-07-28
我感觉世强元件代理的都是一些低频的,控制和电源管理等方面的元器件,怎么没有看到微波毫米波类的器件比如低噪放、功放、数控移相器和衰减器类的器件呢?
世强的产品线还是比较全面的,微波毫米波类的器件的产品线有UMS(UMS还是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商。UMS的微波通信芯片覆盖L、S、C及以上波段,并提供微波频段的PA、LNA、VGA、SWITCH等的组合解决方案,真正的做到了产品全、覆盖广。),EMC-RFLBS(EMC在研制DC到Q波段无源温补衰减器和固定衰减器的技术处于世界领先地位,特色产品是具有专利的温补器产品。EMC还是射频微波终端负载前两大供应商之一,具有钻石射频负载专利产品。),ROGERS 提供业界最好的高频板材。
技术问答 发布时间 : 2018-08-01
【选型】为航天级DC-DC电源选择合适的MOSFET:EPC2034,GaN工艺具有天然的抗辐照能力
在DC-DC电源设计中,拓扑结构一般是控制器+MOSFET,传统的MOSFET基本都是基于Si半导体工艺,但在航天级DC-DC电源中Si工艺的MOSFET无法通过抗辐照测试。 针对200V的MOSFET应用,推荐EPC的GaN MOSFET EPC2034,额定电压200V,导通电阻10毫欧,采用GaN工艺具有天然抗辐照特性,适合航天级DC-DC电源应用。
器件选型 发布时间 : 2019-08-07
电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论