低成本,高可靠性的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),最高频率可达GHz等级
英诺赛科(Innoscience)是国内著名的第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发生产厂家,拥有世界首条8英寸硅基氮化镓(GaN FET)量产线。由其推出的第三代宽禁带半导体氮化镓晶体管(GaN FET),具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
英诺赛科(Innoscience)已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),包括单管GaN FET,半桥GaN FET,GaN IC,具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选,可做到脉宽<2ns的开关速度,最高频率可达GHz等级,效率高,可实现低杂散电感、低损耗,易于PCB布板,且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。其产品被广泛应用于无人驾驶,新能源汽车,人工智能,数据中心,5G通讯,电源及充电设备,OBS等领域。
在8英寸+IDM模式(半导体全产业链商业模式)下,英诺赛科(Innoscience)的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),相比同类厂牌如松下、英飞凌、TI、EPC等的同等性能产品,更具价格优势;而相比普通的Si MOS产品,体积更小,具有更低的驱动损耗、反向恢复损耗和更高的效率;另外,对比6英寸硅基氮化镓(GaN FET)产品,英诺赛科(Innoscience)8英寸的硅基氮化镓(GaN FET)晶圆面积增加了84%,确保了大规模量产的高性能与低成本。
推荐型号:INN40W01、INN100W02,尺寸小,重量轻,超高开关频率和超低RDS(ON),快速且可控下降和上升时间,零反向恢复损失,工作和储存温度都为-40~150℃,可满足工业上对温度的苛刻要求。
世强是英诺赛科(Innoscience)官方授权一级分销商,可供应英诺赛科(Innoscience)各类硅基氮化镓晶体管(GaN FET), 正品低价,交付准时。此外,世强元件电商平台还为客户提供英诺赛科(Innoscience)硅基氮化镓晶体管(GaN FET)的最新产品资讯及技术资料,选型帮助,快速样品购买,在线FAE技术答疑等资源与服务。
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氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET,性能极限高出6000倍
氮化镓(GaN)的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限,已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展,该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管,性能上大幅提升。
新技术 发布时间 : 2020-11-07
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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