【产品】N沟道功率MOSFET CJFB30H20，采用DFNWB5×6-8L-E封装，最大漏源电压30V
长晶科技推出的CJFB30H20是DFNWB5×6-8L-E塑封的N沟道功率MOSFET。该器件使用先进的沟槽技术来提供超低的导通阻抗和低栅极电荷。可以被应用到多种场合。
图一：引脚配置及丝印和等效电路图
丝印注释：“FB30H20 ”为 零件号；实心点为1脚的位置；“XX”为产品日期代码
图二：在不同栅源电压下的导通电阻
图三：DFNWB5×6-8L-E塑料封装和引脚排序图
CJFB30H20产品特性
•全桥开关
•负荷开关
• 高密度单元设计实现极低的导通电阻
• 全面表征雪崩电压和电流
• 高EAS使具有良好的稳定性和一致性
• 出色的封装使散热效果良好
• 特殊工艺技术可实现高静电放电能力
CJFB30H20应用领域
• 开关电源和通用应用
• 硬开关和高频电路
最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）
CJFB30H20的电气特性（Ta=25℃，除非另有说明）：
注1.脉冲试验：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
注2.通过设计保证，无需进行生产测试。
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