【技术】共源共栅拓扑结构的SiC FET提供更低导通电阻和更快速高效的开关，可直接替代当前Si技术产品
当谈到为新的或现有的设计选择合适的功率晶体管技术时，永远不应该是一个 "不费吹灰之力 "的问题，即使是在关键的优点数字看起来很有说服力的时候。很多经验都告诉我们，"无脑 "的做法往往会导致意想不到的后果，需要进行全面的核实和研究以验证其价值。
在开发新产品时，UnitedSiC一直都面临着这一挑战。该公司拥有一种称为SiC FET的功率开关技术，该技术在堆叠的共源共栅拓扑结构中结合了常开型碳化硅（SiC）JFET和Si MOSFET来构建常关型SiC FET器件。它具有较低的RDS（ON）特性，较低的内部电容和较高的最高工作温度——使其可用于构建具有良好功率密度的高效功率转换电路。
显然，UnitedSiC希望使这项新技术尽可能地为市场所用，因此其产品线通过量身定制和包装，以服务于已有的利基市场。例如，刚刚推出的650V的SiC FET：UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S，RDS(ON)分别为34mΩ和45mΩ，在同一封装中的任何类似开关器件中具有最低的RDS（ON）值。这两款器件均经过精心设计，因此可以与标准Si FET，IGBT和SiC MOSFET相同的方式进行驱动。提供流行的DFN 8×8薄型表面贴装封装，它们广泛应用于空间和功率密度至关重要的应用的电源转换电路中，例如无线和电信市场。
UnitedSiC设备的低内部电容可实现快速，高效的开关，而低内部电阻可减少发热损失，从而实现更高的功率密度。高性能指标，熟悉的驱动特性和广泛使用的封装的结合使这些部件成为了当前Si技术的直接替代品。
处理部分数据从来都不是一个好主意，特别是对于一项新技术，该技术的性能和应用可能会与既定的方法存在细微的变化，并且一些优点指标无法说明全部情况。例如，上面提到的SiC FET也具有开尔文栅极返回，这使设计人员能够开发电路拓扑，从而完全发挥其驱动性能。这是一个小功能，但在某些应用程序中可能是真正的优势。
当涉及到对尝试新产品的 "不费吹灰之力 "的决定时，即使选择看起来很明确，也需要探索全面规范和设计支持文档来验证其技术优势——可能新产品比最初想象的还要好。
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