【产品】可代替MLVs的瞬态抑制二极管ESDBF3V3A1，为板级保护提供理想电气特性

时间： 2020-08-31 来源：长晶科技

技术问答

长晶科技 ESDBF3V3A1 瞬态抑制二极管可用来代替便携式应用（例如手机，TWS、手环等）中的多层压敏电阻(MLVs)。与MLVs相比，它的特点是更大芯片接触面积，用于传导高的瞬态电流，为板级保护提供理想的电气特性，如快速响应时间、较低的工作电压、较低的箝位电压和无器件退化，除了基础的防静电功能针对浪涌也有很好的防护。

ESDBF3V3A1的特点

反向工作电压：3.3V

峰值脉冲功率：720W(tp=8/20us)

封装：DFN1006-2L

响应时间：<1ns

保护一条I/O或电源线

低电压钳位

IEC 61000-4-2(ESD)数据线路瞬态保护 ±30 kv(空气)，±30 kv(接触);IEC 61000-4-5 (Lightning) 60A (8/20us)

应用领域

手机及配件

TWS

手表手环

平板等

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全部评论（1）

好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-08-31

学习

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