【产品】500V N沟道MOSFET —TMA25N50HF，具有负温度系数，采用TO-220F封装
TMA25N50HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，漏极连续电流最大额定值为25A，耗散功率最大173W。该器件是一种电流垂直流动的VDMOSFET压控双扩散器件，在适当的栅极电压控制下，使器件沟道表面产生反型层，在漏极和源极之间形成导电通道，并流有适量的电流。和双极晶体管相比，这种器件开关速度快和开关损耗小，具有输入阻抗高、驱动功率低，频率特性好的特点，特别是其具有负温度系数。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域，符合RoHS标准。
封装及内部电路图
主要特性：
快速切换
集成快速恢复二极管
100%雪崩测试
提高dv/dt能力
应用领域：
开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）
Note:
1. 重复等级：脉冲宽度受最大结温的限制
2. IAS=16A, VDD=50V, RG=25Ω, 起始TJ=25°C
热特性
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