【技术】MINI小体积贴片SOD-123FL封装技术,可直接代替SOD-123海鸥脚产品

2021-05-28 固得沃克
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SOD-123FL封装可直接代替SOD-123海鸥脚产品,采用新型封装技术,占位面积比少,采用框架焊接式工艺,提供了高可靠性和电流容量大。封装的瓦特/MM2热特性能,比SOD123提高达149%比SMA提高达90.5%,比 Powermite提高达26.5%。


SOD-123FL封装的引脚结构和线夹设计,允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更好的浪涌电流能力,适合瞬态电压抑制应用。在新型封装内采用低泄漏电流硅技术,可节省能量。

SOD-123FL封装采用100%锡(Sn)涂覆所有外表电镀面,其在260℃下回焊,达到1级潮湿铭感度等级(MSL),同时与现有回焊工艺逆向相容。

厚度(最大为1.2mm)比标准SOD123封装低25%或以上,适宜电路板空间受限的便携应用。

●产品特点:
■大功率、小封装、全框架式的新型封装技术。
■占位面积比SMA少46%,比SMB少65%,比SMC少85%高度比SMA低45%,比SMB低50%,比SMC低50%:
■可直接代替SOD-123海鸥脚产品使用,电流容量大,GPP玻璃钝化涵盖0.5-1A,Schottky肖特基涵盖1-3A。
■采用框架焊接式工艺,提供了高可靠性和电流容量大等特性。
■低热阻低结温高抗浪涌设计,引线平贴器件底部,散热路径短,改进了用于硅芯片散热的片状引线框架的外形,抗正向浪涌能力强,实现了小体积大功率的技术突破。

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1A1,1A2,1A3,1N4743A,1A4,1A5,1A6,1A7,SMAJ40CA,SK58A,SK58B,ES6EC,NUP2105L,MUR830CT,5.0SMDJ170A,SK58C,RSЗAC,1N4742A,MMBT2222,RS3BBF,K53,SMDJ78CA,K52,K55,K54,ES2JBF,K56,RSЗAB,K58,S2MB,S2MA,ES6DC,MBR60150PT,SMCJ14CA,S2MF,1N4745A,ES24B1LA10,5.0SMDJ85A,100P03NF,R4000,SMCJ100CA,SR140S,ES6CC,SMBJ300A,5KP30A,1N4746A,SMF120CA,SMBJ150CA,1N4744A,MUR1680,SK815C,SR140L,SK815B,SMDJ170A,ES24B1LA06,ESD9X7.0A,FR603,FR604,FR605,FR607,SMDJ58A,SS320BF,ES6BC,MBRD10100,SMCJ30A,15N10,MBRF880,2SA1036,MBR20150,MBRF20L60CT,1SMA4731A,ES6AC,SK54C,1F1,1N4748A,1F2,SR180,SK54A,1F3,SK54B,1F4,1F5,1F6,1F7,SMAFJ130A,BZT52C33WS,US8MC,P6KE8.2CA,SMAJ100A,MUR1660,SS210L,SIK,P4KE180A,1SMA4730A,SK53B,5.0SMDJ170CA,SK53C,SS210B,SS210A,SS210F,SK53A,1N4747A,BZT52C20WS,US8JC,SMDJ54A,MBRD20L150CT,SMDJ160CA,SMBJ400CA,SMF36CA,MBRD10150,1SMA4733A,GK3012GD,HER108WS,1H1,1H2,SMAFJ30CA,SK56A,1H3,SK56B,1H4,P4KE22CA,SK56C,1H5,1H6,1H7,1H8,ES05B1LB10,MSB20M,SMCJ220CA,ES38D1MA10,A733,MUR1640,MUR3030PT,1SMA4732A,SK810C,1.5KE51A,SK55A,MBRF1080CT,1N4749A,SK55B,SK810B,SR190,SK55C,KBL606,MBR10L150CT,KBL608,1.5KE36CA,PC817,5KP36A,1SMA4735A,SMAJ18CA,KBL610,1.5KE170CA,MBR20100CT,90N10NF,R1800,5KP90CA,ESD9B3V3A,SMDJ51A,SR1045L,1SMA4734A,SR3200,1.5KE56A,SMCJ188CA,RS2AB,1SMA4737A,RS2AF,5KP24CA,GK280R65F,SK1045C,SK1045B,SMBJ90A,US1B,SMF64A,US1A,SMBJ12CA,BZT52C3V9W,US1J,MUR520,MURF840CT,US1G,ES07S1HB16,US1E,US1D,1SMA4736A,RBS210,US1M,US1K,ES06D1HA03,SMBJ5.0A,SS520A,SS520B,MBR4045PT,MBRD20L45CT,ES3EBF,SS520C,1SMA4739A,SS520F,MBR40L200CT,P6KE180CA,SS1060LB,SS1060LC,ES36D1LA03,ESD5B36C,BZT52C3V3W,MURF1660CT,UMSB30B,UMSB30A,MUR540,1SMA4738A,SS215A,UMSB30K,UMSB30J,SMAFJ440A,5.0SMDJ78CA,MUR16100CT,UMSB30G,SS215B,UMSB30D,BZT52C3V6W,P4KE400A,UMSB30M,SMAFJ90A,1.5KE10CA,SM15,S35VB100,SS215F,SM12,SMF60A,P6KE27CA,5KP33A,20A10,MBRF30200,SM05,MUR560,5KP11CA,AMS1117-2.85,MBR3045,P4KE6.8CA,RS2GB,UG2KB80,SMAFJ12CA,RS2GF,SM36,FDS4559,SMF70A,P4KE20A,KBPC5006W,SMAJ6.5C 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选型指南  -  固得沃克  - 2022/11/22 PDF 中文 下载

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产品型号
品类
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
Max Breakdown Voltage(V)
Junction Capacitance Cj(pF)
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
极性
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
Max Peak Pulse Power PPP(W)
Marking
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
Min Breakdown Voltage VBR(V)
SEL0201P0
ESD Diode
0.2
4.2
4.5
20
2.5
双向
7
55
C02
8
3.1

选型表  -  萨瑞微电子 立即选型

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