【产品】P沟道DMOS工艺增强型硅MOSFET CMPDM202PH，专为高速脉冲放大器和驱动器应用

时间： 2018-12-18 来源：Central

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Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其推出的一款高电流P沟道增强型硅MOSFET——CMPDM202PH，采用P沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。其具体实物图如图1所示。

图1.P沟道增强型硅MOSFET CMPDM202PH实物图

CMPDM202PH 高电流P沟道增强型硅MOSFET的栅源电压V_GS为12V，漏源电压V_DS为20V，阈值电压GS(th)低至0.6V，功率损耗P_D为350mW，功率损耗值极低，具有较低的正向压降；开启状态，其连续的漏极电流I_D为2.3A（稳态），关闭状态，漏电流IDSS最大1.0μA，另外其最大脉冲漏极电流I_DM为9.2A（tp=10μs），可为设计产品提供高电流和低漏电流；其工作温度和存储结温范围均为-55℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。CMPDM202PH封装尺寸和引脚定义图如图2所示。

图2.P沟道增强型硅MOSFET CMPDM202PH封装尺寸和引脚定义图

P沟道增强型硅MOSFET CMPDM202PH具有低导通电阻，在V_GS=2.5V, I_D=1.2A时，导通电阻rDS(ON)最大值为0.093Ω，在V_GS=5.0V, I_D=1.2A时，导通电阻rDS(ON)最大值为0.088Ω。该MOSFET具有快速开关特性，导通打开时间t_on最大值为25ns，导通关断时间t_off最大值为48ns（V_DD=10V, I_D=2.3A, R_G=10Ω）。

CMPDM202PH P沟道增强型硅MOSFET的主要特性：

· 漏源电压（V_DS）：12 V

· 栅源电压（V_GS）： 20 V

· 连续漏极电流（稳态）（ I_D）：2.3 A

· 最大脉冲漏极电流（tp =10μs）（I_DM）：9.2 A

· 关闭状态，漏电流IDSS：1.0μA（max.）@VDS=20V

· 低阈值电压V_GS(th)：0.6V（min.）；1.4V（max.）

· 低rDS（ON）@ I_D=1.2A：0.093ΩMAX@ V_GS = 2.5V；0.088ΩMAX@ V_GS = 5V

· 逻辑电平可兼容性

CMPDM202PH P沟道增强型硅MOSFET的应用：

· 高速脉冲放大器和驱动器

· 负载/电源开关
· 电源转换电路
· 便携式设备

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