【产品】IVCR2403/04/05/06 24V 4A 峰值拉、灌电流双通道驱动器，采用工业标准 SOIC-8 引脚

时间： 2020-07-15 来源：瞻芯电子

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瞻芯电子 IVCR240x是双通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动 MOSFET 以及 IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的 SOIC-8 封装等特点，使得 MOSFET 的开关频率可以达到数百 kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管 MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。驱动器可以通过双通道的并联来增加输出驱动电流。输入引脚阈值电压基于 TTL 电平，并兼容-5V 至 20V 的输入。

图1 引脚分布

4.5V 至 20V 的宽范围 VDD 供电电压能够有效地驱动 MOSFET 或 GaN 功率器件。集成的 UVLO 保护功能可以确保在异常情况下使输出保持为低电平。

-5V 至 20V 的独立输入引脚电压范围能够有效地确保在由于寄生电感引起过冲的情况下稳定工作。输入引脚的电压阈值也兼容 TTL 电平输入。

特性：

• 工业标准 SOIC-8 引脚

• 双通道独立栅极驱动

• 4A 峰值拉、灌电流

• 高达 24V 宽范围 VDD 供电

• 独立的使能输入(IVCR2403/04/05) 和双输入 (IVCR2406) 配置

• 双通道可并联应用于大电流驱动

• VDD 欠压保护

• 兼容 TTL 和 CMOS 输入电平

• 低传播延迟

• 两通道之间 1ns 典型延迟匹配

• 输入浮空时输出为低电平

• -40℃ to 125℃的工作温度范围

应用：

• AC/DC 及 DC/DC 转换器

• 服务器和通讯设备的整流器

• EV/HEV 逆变器及 DC/DC 转换器

• PV 升压以及逆变器

• UPS

• 电机控制

• 用于新兴的宽带隙功率器件驱动

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NSI66x2x-Q1 High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver Datasheet

型号- NSI6602NC- Q1SWKR,NSI6602NA- Q1SWKR,NSI6622VA- Q1SWKR,NSI6622ND- Q1SPOR,NSI6602NB- Q1SWKR,NSI6602NB- Q1SWR,NSI6602NC- Q1SWR,NSI6622NC- Q1SPNR,NSI6602NC- Q1SPOR,NSI6622NB- Q1SPNR,NSI6622NB- Q1SWR,NSI6622NC- Q1SWR,NSI6602NA-Q1SWR,NSI6602NB- Q1SPOR,NSI6622ND- Q1SWKR,NSI66X2X-Q1,NSI6622ND- Q1SWR,NSI6622NA- Q1SWR,NSI6602NA- Q1SPOR,NSI6622NA- Q1SPNR,NSI6622NB,NSI6622NC,NSI6622NA- Q1SWKR,NSI6622VB,NSI6622VC,NSI6622NC- Q1SWKR,NSI6602NC,NSI6622NB- Q1SWKR,NSI6602NB,NSI6622ND- Q1SPNR,NSI6602NA,NSI6622NA,NSI6622VA- Q1SWR,NSI6622NB- Q1SPOR,NSI6622NC- Q1SPOR,NSI6602NC- Q1SPNR,NSI6622VA,NSI6602NB- Q1SPNR,NSI6602NA- Q1SPNR,NSI6622NA- Q1SPOR,NSI66X2X

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NSI6602 High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver Datasheet

型号- NSI6602,NSI6602X-XSWXR,NSI6602A-DSWR,NSI6602X-XSPNR,NSI6602C-DSPNR,NSI6602B-DSWR,NSI6602X-DLAR,NSI6602C-DSWKR,NSI6602C-DLAR,NSI6602X-XLAR,NSI6602B-DSWKR,NSI6602A-DLAR,NSI6602A-DSPNR,NSI6602B,NSI6602B-DLAR,NSI6602B-DSPNR,NSI6602C,NSI6602A-DSWKR,NSI6602X-DSWR,NSI6602C-DSWR,NSI6602A

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NSI6602V High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver Datasheet

型号- NSI6602VX-XSPNR,NSI6602VB-DSPNR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602VB-DLAR,NSI6602VA-DSWKR,NSI6602V,NSI6602VD-DLAMR,NSI6602VB-DSWR,NSI6602VX-DSPNR,NSI6602VD-DSPNR,NSI6602VC-DSWKR,NSI6602VA-DLAMR,NSI6602VD,NSI6602VD-DSWKR,NSI6602VC,NSI6602VB,NSI6602VC-DSPNR,NSI6602VA,NSI6602VX-XSWXR,NSI6602VX-DLAR,NSI6602VA-DLAR,NSI6602VA-DSPNR,NSI6602VC-DSWR,NSI6602VC-DLAMR,NSI6602VD-DLAR,NSI6602VA-DSWR,NSI6602VX-XLAR,NSI6602VC-DLAR,NSI6602VB-DSWKR,NSI6602X-DSWR,NSI6602VD-DSWR

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NSI66x2x High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver Datasheet

型号- NSI6602NA-DLAR,NSI6642A-DSPNR,NSI6622VD-DSPOR,NSI6602NB-DSWKR,NSI6622NC-DSWKR,NSI6622VD-DSWR,NSI6642D-DLAR,NSI6622NA-DSPOR,NSI6622VC-DSPNR,NSI6642B-DSPOR,NSI6622ND-DSPNR,NSI6642D-DSWKR,NSI6642D-DSPNR,NSI6622VD-DLAR,NSI6622VA-DSPOR,NSI6642A-DSWKR,NSI6622NA-DSWR,NSI6602NC-DSPOR,NSI6642C-DSWR,NSI6622NA-DLAR,NSI6642B-DSWR,NSI6622ND-DSWKR,NSI6622NB-DLAR,NSI6622VC-DLAR,NSI6642C-DSWKR,NSI6602NA-DSPOR,NSI6642C-DLAR,NSI6622NC-DSPNR,NSI6622ND-DSWR,NSI6602ND,NSI6602NC,NSI6602NB,NSI6602NB-DLAR,NSI6602NB-DSPNR,NSI6602NA,NSI6602ND-DSWR,NSI6622VC-DSWKR,NSI6602NA-DSWR,NSI6622VC-DSWR,NSI6602ND-DSPOR,NSI6622VB-DSPOR,NSI6622NB-DSPOR,NSI6602ND-DLAR,NSI6622NC-DSWR,NSI6622NB-DSPNR,NSI6642B,NSI6622VA-DSWKR,NSI6642C,NSI6642A-DLAR,NSI6642D,NSI6602NA-DSPNR,NSI6622NC-DSPOR,NSI6602NC-DSWR,NSI6622VB-DLAR,NSI6602NB-DSPOR,NSI6622VA-DSWR,NSI6622VA-DLAR,NSI6642B-DLAR,NSI6622VB-DSPNR,NSI6622NA-DSWKR,NSI6622NB-DSWR,NSI6602NC-DSWKR,NSI6622ND-DLAR,NSI6622VB-DSWR,NSI6622VD-DSWKR,NSI6602NB-DSWR,NSI6602ND-DSPNR,NSI6622NB,NSI6622NC,NSI6642A-DSPOR,NSI6622ND,NSI6602NA-DSWKR,NSI6622VD-DSPNR,NSI6622NA-DSPNR,NSI6642B-DSPNR,NSI6622VB,NSI6622NB-DSWKR,NSI6622VC,NSI6622VB-DSWKR,NSI6622VC-DSPOR,NSI6622VD,NSI6622NA,NSI6622ND-DSPOR,NSI6622NC-DLAR,NSI6622VA-DSPNR,NSI6642D-DSPOR,NSI6642D-DSWR,NSI6602ND-DSWKR,NSI6602NC-DSPNR,NSI6622VA,NSI6642A-DSWR,NSI6642A,NSI6642B-DSWKR,NSI6602NC-DLAR,NSI66X2X

2023/7/10 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 1.0