【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护

2019-02-26 世强
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随着SiC器件在光伏逆变器、车载电源等产品中的应用越来越广泛,如何实现SiC MOS管的可靠驱动及过流保护,成为设计时首要考虑的问题。


针对SiC MOS管运行时高达100kHz以上的开关频率,以及出现短路故障时,更高的di/dt导致SiC MOS管进入退饱和状态的时间更短。对于SiC MOS管的驱动电路需要着重考虑以下两点:

1、  驱动电路的信号传输速率更快,以满足更高的开关频率;

2、  驱动电路要具备Vds退饱和检测功能,且响应时间尽可能快。


图1所示为采用SILICON LABS推出的隔离驱动器Si8285组成的SiC MOS管驱动电路:


图1、Si8285组成SiC MOS管驱动电路


Si8285的驱动电流可达到4A,更高的驱动峰值电流可降低SiC MOS管的开关损耗,其传输延迟时间典型值仅为40ns,可以满足100kHz以上的开关频率。同时,Si8285集成了Vcesat退饱和检测功能,如图2所示:


图2、Si8285实现Vcesat退饱和保护功能


在SiC MOS管出现短路或直通故障时,通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上,此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压,SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能,可以实时监测SiC MOS管的Vds电压,一旦Vds电压进入退饱和状态,会立即软关断SiC MOS管,实现保护功能。


图3所示为母线电压为800V时,SiC MOS管的短路测试波形。其中CH1代表栅极驱动电压,CH2代表母线电压,CH3代表流过SiC MOS管的短路电流值。


图3、SiC MOS管短路测试波形


由图3可以看到,当母线电压电压为800V时,对SiC MOS管做短路测试,从短路故障开始到驱动电路完全关断栅极电压的时间仅为1.5us,可以可靠的实现SiC MOS管短路保护功能。

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  • 棒棒猫 Lv6. 高级专家 2019-02-26
    不错
  • 行行摄摄 Lv7. 资深专家 2019-02-26
    学习一下
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优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  - V2.1 PDF 中文 下载

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