读写速率高达1600M/s/p的DDR3，高速存储器的新选择

时间： 2016-03-14 来源：世强

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存储器,AS4C64M16D3,AS4C64M16D3-12BAN,DDR3 SDRAM

ALLIANCE Memory是全球性的专业内存产品供应商，该公司旗下的DDR3 SDRAM AS4C64M16D3-12BAN是一款存储容量为1Gb的高速动态随机存取存储器（SDRAM）。该存储器配置为8个bank，内存组织形式为8 Mbit 16 I/Os 8 Bank，采用双数据率架构以实现高速的数据读写操作，普通应用中的最高读写速率可达1600Mb/sec/pin。

AS4C64M16D3-12BAN具有高速数据读写能力。对内存的一次读写操作包含两个数据传输过程：在内部DRAM核的8n-bit位宽、4个时钟长度的一次数据传输过程，以及在I/O管脚的n-bit位宽、1/2个时钟周期长度的两次数据传输过程。AS4C64M16D3-12BAN基于8n-bit预取结构和专业设计接口实现高速的读写操作，该接口能够使I/O管脚在每个时钟周期内传输2个数据字，从而获得高速的双数据传输速率。

AS4C64M16D3-12BAN的数据读写通过突发传输实现。读写操作的起始标志为Active命令注册，接着执行读命令或写命令；读写操作在内存中的起始位置可选定，接着对突发长度为4或8的可编程序列进行读操作或写操作。通过这样的方式，只要指定了起始地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读或写而不再需要控制器连续提供列地址。这样除了第一笔数据的传输需要若干个周期外，以后每个数据只需要一个周期即可获得。与Active命令重合的注册地址位可用来选择激活的bank或行（BA0-BA2选择bank， A0-A12选择行）；与读或写命令重合的地址位可用来选择突发传输的起始列位置，决定自动预充电命令是否被发出（A10），以及选择BC4 或者BL8 模式‘on the fly’（A12）是否在模式寄存器中启用。

AS4C64M16D3-12BAN的设计符合所有DDR3 DRAM的主要特点，实现了完全同步操作。该DDR3 SDRAM的所有控制信号与地址输入信号均与一对外部差分时钟信号同步，输入信号在差分时钟的交叉点被锁存（CK上升CK#下降），源同步方式中所有的I/O端口与数据选取脉冲DQS差动对同步。

AS4C64M16D3-12BAN产品特性：

• 电源电压：VDD&VDDQ：+1.5V ± 0.075V

• 最大时钟频率：800MHz

• 8n-bit预取结构

• 差分时钟：CK&CK#

• 双向差分数据选取脉冲： DQS & DQS#

• 附加延迟（AL）：0，CL-1，CL-2

• 8192刷新周期/64ms：

--平均刷新周期 7.8μs @ -40℃ ≤ TC ≤ +85℃

3.9μs @ +85℃ ≤ TC ≤ +95℃

• 有OCD校准功能

• 动态ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)

--工作温度：

商业（0℃~95℃）

工业（-40℃~95℃）

• 封装形式96-ball 9 x 13 x 1.2mm FBGA

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每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-09-16

很好

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

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