【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V
深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，该产品这些出色的特性带来系统优势，具体包括极高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的电磁干扰（EMI），以及减少系统体积大小。
ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。
产品外观和示意图
特点：
低电容高速开关
高耐压，低导通电阻RDS(on)
标准栅极驱动，易于驱动
100%雪崩测试
最高结温为150℃
符合RoHS标准
应用：
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高压DC/DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
电机驱动
最大额定参数(Tc=25℃)：
主要电气特性(Tj=25℃，除非特别说明)：
热特性：(数据手册上第二行大概有误，所以依据前面的符号推测而来)
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