【产品】连续工作电流达100A的N沟道耗尽型MOSFET DMZ1511E,采用SOT-23封装
方舟微推出了一款N沟道耗尽型MOSFET, 型号为DMZ1511E,该器件采用SOT-23封装,支持100mA连续工作电流,器件可用于电源管理,同步整流,恒流电路等应用场合。
产品特征:
卓越的防ESD性能
耗尽型功率MOSFET
开关响应速度快
符合RoHS标准
无卤素添加
应用领域:
同步整流
常开开关
线性放大器
高压应用的电源管理器
恒流源
保护电路
通讯电路
订购信息:
极限参数:
TA=25℃,除非另有说明
注意:超出上述所列极限值可能会造成器件永久性损伤。
热特性:
电气特性
截止参数
TA=25℃,除非另有说明
导通参数
TA=25℃,除非另有说明
动态特性:
与工作环境温度无直接相关
电阻开关特性:
与工作环境温度无直接相关
源漏寄生二极管特性:
TA=25℃,除非另有说明
注释:
[1] TJ=+25℃至+150℃
[2] 重复额定值,脉冲宽度受最大结温限制。
[3] 脉冲宽度≤380µs;占空比≤2%。
典型特性:
图1 最大耗散功率vs外壳温度
图2 最大连续漏极电流vs外壳温度
器件尺寸:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由安卡翻译自方舟微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【元件】力特推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET CPC3981Z
CPC3981Z,800V、100mA、45欧姆小功率,这是Littelfuse低成本耗尽型MOSFET系列新成员,采用新型SOT-223-2L封装,对于要求高达800V宽输入电压范围应用来说,是绝佳解决方案。
产品 发布时间 : 2023-10-12
【产品】采用第三代垂直DMOS工艺的N沟道耗尽型场效应晶体管CPC3714,导通电阻最大值为14Ω
CPC3714是Littelfuse旗下的IXYS推出的一款N沟道耗尽型场效应晶体管 (N通道耗尽型FET)。它采用IXYS集成电路部专有的第三代垂直DMOS工艺,该工艺可实现世界一流的高压MOSFET性能。
产品 发布时间 : 2022-01-06
【产品】导通电阻的最大值为6Ω的N沟道耗尽型场效应晶体管,漏源电压额定值高达400V
CPC3909是Littelfuse推出的N沟道耗尽型场效应晶体管 (FET),采用 SOT-223 封装 (CPC3909Z) 和 SOT-89 封装 (CPC3909C)。 两者均采用IXYS集成电路部专有的垂直DMOS工艺,通过采用经济的硅栅极工艺可以实现世界一流的高压MOSFET性能。 该器件具有高可靠性,特别适用于电信、安全和电源等领域。
产品 发布时间 : 2021-12-20
【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
技术探讨 发布时间 : 2022-12-29
一文了解MOSFET分类、工作原理及工作区域
MOSFET,全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是一种利用电场效应来控制导通和关断的晶体管,广泛应用于电子电路中。本文介绍MOSFET概念、分类、工作原理及工作区域。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-09
关于ARK(方舟微)产品在充电器上应用的说明
方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品,以更优的特性代替传统电路中的JFET器件,特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求,符合AEC-Q101标准,性能完全达到甚至超过国外同类产品.
应用方案 发布时间 : 2024-10-30
方舟微耗尽型MOSFET选型表
方舟微提供以下耗尽型MOSFET选型:BVDSS (V):60-1200,ID (A):0.01-16,RDSON(Ω) Max.:0.064-1000,提供SOT-223/SOT-89/SOP-8等多种封装,带ESD防护功能。
产品型号
|
品类
|
BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
ID (A)
|
VGS (V)
|
Package
|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
150
|
10~25
|
0.1
|
-3.3~-1.5
|
SOT-23
|
选型表 - 方舟微 立即选型
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
耗尽型 MOSFET 与 JFET 的 D、S 管脚一样具有对称性吗?
JFET 的 D、S 管脚通常是对称的,即 D、S 管脚在使用时可以互换;而 ARK 公司的耗尽型 MOSFET 的 D、S 管脚不具有对称性,在使用时 D、S 管脚不能互换。对于 N 沟道-耗尽型 MOSFET,当电流方向为 D→S 时,电流仅能从沟道流过;当电流方向为 S→D 时,电流较小时从沟道流过(体二极管未导通),电流较大时,会同时从沟道和体二极管流过;N 沟道-耗尽型 MOSFET 关断后只能阻断 D→S 方向的电压。
技术问答 发布时间 : 2024-09-23
Littelfuse NPI Summary
型号- 54100 SERIES,SZSMF4L SERIES,483A SERIES,SP3022-01ETG-NM,59001,IXYK85N,LS0502SCD33,501A,LS05006VPQ33 SERIES,527 SERIES,HWB12 SERIES,MIDI® 498 IL SERIES,SP0115-01UTG,WLTM,658 SERIES,PXXX0S3N-A,IXTY2P50PA,LQ05041QCS6,WLTC,483,SP0115-01ETG,RCM,CG8 SERIES,LQ05022QCS4,PXXX0S3N-A SERIES,LQ05041QCS6 SERIES,483 SERIES,MIDI® 498,59143,DCNLB SERIES,IXYN110N120C4H1,SZSMF4L,CG9,CG8,IXYN110N,LQ05041RCS6 SERIES,WSTC,QS8004XHX,59155,HWB12,59156,54140,LS0504EDD12,10EV SERIES,MEGA® FLEX,IXTY2P50PA SERIES,WSTM,828,407A,PICO® II 521,LQ05041RCS6,LS24062RQ23,WPB,440A,IXYH30N,WPC,59040,3425L,LS24062RQ23 SERIES,SMF4L-T1G SERIES,LS0504EDD12 SERIES,AQ27COM-02JTG,SC24COM-01ETG,RCM SERIES,PXXX0S3N SERIES,828 SERIES,441A,IXYH55N,DCNLM,TPSMC SERIES,DCNLJ,DCNLH,DCNLB,FDA117,PGB2 0201,LS12052BD33,LS2405IDD23 SERIES,PXXX0S3N,LQ05021QCS4 SERIES,IXYH40N,IXYK85N120C4H1,408 SERIES,656 SERIES,LQ05021RCS4 SERIES,QVXX12XHX SERIES,SZ3KASMC,SV8012DRP,EVCC-01,LS12052BD33 SERIES,EVCC,ZCASE® FHZ,MIDI® 498 SERIES,AQ24COM-01,AQ3130E-01ETG,150520 SERIES,10EV,MATE-12B,WPB-A,TPSMB SERIES,QVXX25XHX,54140 SERIES,SP4338,DCNHR,QS8004XHX SERIES,3425L SERIES,881,LTKAK2-L,885,656 & 658,IXYN85N,526,527,408,AQ24COM-02,LPF,QVXX25XHX SERIES,CG9 SERIES,IXYH55N120C4H1,MDMB,SV8012DRP SERIES,MIDI® FLEX,HWB6 SERIES,MDMA,WPC-A,57041 SERIES,422A,L4CA-A,656,SV8012D,PGB2 0201 SERIES,IXYH30N120C4H1,526 SERIES,DCNHR SERIES,WJC-A,Q6035NAH5RP SERIES,20EV,LQ05021RCS4,AQ3118E-01ETG,TPSMC300A,SPDN,MEGA® 298,SP0115-01UTG SEREIS,LTKAK2-L SERIES,MIDI® 498 IL,SZ3KASMC SERIES,SP4338-02WTG,HWB6,MITI-7L,DSR,IXYN85N120C4H1,SP0115-01ETG SERIES,MISM-7L,CPC3981Z SERIES,MEGA® SN,DCNLJ SERIES,K12,MIDI® 498IL,MEGA 298,437A,DSR SERIES,150520,CPC3981Z,LQ05022QCS4 SERIES,SPDN SERIES,TPSMD400CA-A,LPF SERIES,ZCASE® FHZ SERIES,Q6035NAH5RP,57041,438A,TTP,WJC,LQ05021QCS4,DCNLH SERIES,SC24COM-01ETG SERIES,SMF4L-T1G,SSA,DCNLM SERIES,L4CA,TPSMC,L4CL-A,TPSMB,QVXX12XHX,483A,L4CC,TPSMD,LS2405IDD23,SSA SERIES,TPSMD SERIES,PICO® II 521 SERIES,MXB12R600DPHFC,LS05006VPQ33,54100,L4CL,IXYH40N120C4H1
ARK Microelectronics Co., Ltd. Product Manual
型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080
Bringing New Depletion-Mode MOSFETs, ARKmicro and Sekorm Signed a Distribution Agreement
ARK authorized Sekorm to act as the distributor of its depletion MOSFETs, enhanced MOSFETs and protection devices.
公司动态 发布时间 : 2022-08-12
浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护(2)
近年来,耗尽型MOSFET(Depletion-Mode MOSFET)日益受到重视,广泛应用于固态继电器(NC继电器)、“常闭”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本系列文章中方舟微将为大家浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护。
设计经验 发布时间 : 2023-12-21
DMP03R120A\DMB03R120A 1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET Provisional Datasheet
型号- DMP80R120A,DMD80R120A,DMP03R120A,DMB03R120A
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论