【产品】连续工作电流达100A的N沟道耗尽型MOSFET DMZ1511E，采用SOT-23封装

时间： 2022-12-21 来源：方舟微

技术问答

方舟微推出了一款N沟道耗尽型MOSFET，型号为DMZ1511E，该器件采用SOT-23封装，支持100mA连续工作电流，器件可用于电源管理，同步整流，恒流电路等应用场合。

产品特征：

卓越的防ESD性能
耗尽型功率MOSFET
开关响应速度快
符合RoHS标准
无卤素添加

应用领域：

同步整流

常开开关

线性放大器

高压应用的电源管理器

恒流源

保护电路

通讯电路

订购信息：

极限参数：

T_A=25℃，除非另有说明

注意：超出上述所列极限值可能会造成器件永久性损伤。

热特性：

电气特性

截止参数

T_A=25℃，除非另有说明

导通参数

T_A=25℃，除非另有说明

动态特性：

与工作环境温度无直接相关

电阻开关特性：

与工作环境温度无直接相关

源漏寄生二极管特性：

T_A=25℃，除非另有说明

注释：

[1] T_J=+25℃至+150℃

[2] 重复额定值，脉冲宽度受最大结温限制。

[3] 脉冲宽度≤380µs；占空比≤2%。

典型特性：

图1 最大耗散功率vs外壳温度

图2 最大连续漏极电流vs外壳温度

器件尺寸：

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型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E

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Bringing New Depletion-Mode MOSFETs, ARKmicro and Sekorm Signed a Distribution Agreement

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公司动态发布时间 : 2022-08-12

ARK Microelectronics Co., Ltd. Product Manual

型号- DMZ1315E,FTD06N70CG,DMW17002A,DMD4527,AKM120N080T3A,DMD4523E,DMP10003A,DMU4523D,DMB10080,DMZ6022E,DMX0602,FTP150N12,DMX1015E,FTD04N60AG,FTE10C35G,DMS1072,DMB17001A,DMX2023,DMX1315EL,FTP85N26L,AKF30N5P0SX,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMX15C40EA,DMW10010A,DMU4527,FTZ30P35G,DMB16C20A,DMZ6005E,DMG2016A,FTU4N65CG,DMX5003,FTZ15N35G,AKM120N020T4A,FTB200N11,DMX1315E,DMX6022E,DMX4030,FTG08C20G,FTE02P15G,AKM120N040T3A,FTB80N3P5,DMZ1015E,DMZ1520E,DMB10003A,AKP10M60R,DMW1016A,DMZ1315EL,DMZ8502E,AKF20P45D,DMZ8510E,DMX1514E,DMZ20C15E-A,DMZ6012E,DMZ8530E,FTP60N16L,FTF100N7P5GX,FTP02P15G,DMX1072,AKM120N020T3A,FTE15C35G,AESD05V08ZS,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMA4523D,DMS2023,DMR1514E,DMZ1511E,FTE08C20G,FTF100N10GX,AKM120N080T4A,DMX5530E,FTS01N15G,DMZ8523E,FTF15C35G,AKC20N30DX,DMP5006A,DMB4523E,FTX15N35G,AESD12V04ZS,FTP40N1P5L,DMP4523D,FTX30P35G,DME6010D,DMB12008A,DMS4030,DMS4022E,DMB2014,DMS6013E,DMP10080

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方舟专注电路保护: Depletion MOSFET

型号- DMZ85系列,DMD4523E系列,DMZ1315E,DMZ85 SERIES,DMD4523E,DMX13系列,DMZ60,DM10系列,DMZX10 SERIES,DMZ60系列,DMX1015E,DMS1072,DMX1072系列,DMX1315EL,AKF30N5P0SX,4523,FTS10N15G,DMZ1521E,DMS6014E,DMZ10 SERIES,FTZ30P35G,4022,DMZ6005E,DMX10,1072,FTZ15N35G,DMX13,DMX1315E,DMZ15系列,DMS4022E系列,DMZ15,DM260 SERIES,FTE02P15G,DMZ1520E,DMZ1015E,DMX10系列,DMZ1315EL,DM10,DM13系列,DMZ6012E,DM13,DMZ8530E,DMZ85,FTP02P15G,DMX13 SERIES,DMX1072,DMX4022E,DMS1072系列,DM13 SERIES,DMZ1511E,DMX5530E,DMZ1520E系列,DMX4022E系列,FTS01N15G,DMZ15 SERIES,FTX15N35G,FTX30P35G,DME6010D,DME60,1520,DMS4022E,DMB2014

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DMP03R120A\DMB03R120A 1200V N-Channel Depletion-Mode Power MOSFET Provisional Datasheet

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近年来，耗尽型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET）日益受到重视，广泛应用于固态继电器（NC继电器）、“常闭”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本系列文章中方舟微将为大家浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护。

设计经验发布时间 : 2023-12-21

Littelfuse NPI Summary

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商品及供应商介绍 - LITTELFUSE - 2024/2/22 PDF 英文下载

【产品】最小击穿电压60V的N沟道耗尽型场效应晶体管，可实现世界一流高压MOSFET性能

LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款采用IXYS 集成电路部门专有的第三代垂直DMOS工艺的N沟道耗尽型场效应晶体管——CPC3701。垂直DMOS工艺可提供具有高输入阻抗的稳健器件，可实现世界一流高压MOSFET的性能，特别适用于大功率应用。该芯片具有高度可靠性，已广泛应用于工业和安全应用的固态继电器中。它与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热引起的二次击穿。

新产品发布时间 : 2018-07-22