英诺赛科高压GaN HEMT/INN650DA260A获中国芯“优秀技术创新产品”,继续助力碳减排行动

2022-03-23 英诺赛科
GaN功率器件,高压GaN HEMT,INN650DA260A,英诺赛科 GaN功率器件,高压GaN HEMT,INN650DA260A,英诺赛科 GaN功率器件,高压GaN HEMT,INN650DA260A,英诺赛科 GaN功率器件,高压GaN HEMT,INN650DA260A,英诺赛科

2021年12月20日-21日,2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海举办。在21日同期举办的宽禁带半导体助力碳中和发展峰会上,英诺赛科科技有限公司(以下简称“英诺赛科”)副总经理王怀锋发表了《给绿色地球的一份礼物——GaN》的精彩演讲。


此外,值得一提的是,在本次“中国芯”评选活动中,英诺赛科的高压GaN HEMT/INN650DA260A产品脱颖而出,荣获了中国芯“优秀技术创新产品”的称号。


GaN功率器件:提升系统效率,减少功率损耗

在本次峰会上,王怀锋指出,“工业革命至今已经历4次,我们正经历的是第四次工业革命——数字化。这次工业革命的显著特点就是人工智能、5G、智能驾驶、绿色能源等。”


在数字时代的世界里,我们用智能终端(端),通过高速通讯(管)以及数据中心(云)实现万物互联。与此同时,出现了新的应用场景,比如AI、大数据和数据处理中心,还有电动汽车和自动驾驶等。


王怀锋认为,“这些新应用场景的出现,将会使全球电力的需求急剧增长,到2030年全球电力需求比2020年增长50%以上。有电的地方就需要有电的转换,未来将需要更多的功率器件来推动产业发展。”


更值得关注的是,用电的大幅增加也将导致能耗的增加,这与碳达峰、碳中和等绿色生态的要求形成了较大的矛盾。


“在用电过程中减少电的损耗是我们减少二氧化碳排放的关键。在这方面,有数据显示,使用5G的能源消耗将会比4G高70%。据估计,在2025年全球数据中心的能耗将会占整个全球总能耗的18%,这是能耗的增长点。因此,在用电增长的情况下减少排放,意味着在电转换的过程中对损耗提出了非常高的要求。”王怀锋谈到。


数字时代产业的特点是绿色、高效、智能,因此,更高的电源效率、减少组件以节省电力损耗迫在眉睫。


王怀锋认为,在电的转换过程中功率器件的损耗完全是浪费的,硅功率器件达不到我们现在对环境碳排放的综合标准。而GaN材料具备的高开关频率、低导通电阻、小尺寸、多功能的材料优势,使得GaN功率器件获得更高的系统效率、更少的功率损耗、紧凑的外形和更简化的系统设计。GaN功率芯片性能大幅提升,同时能让系统体积大幅缩小,系统能耗大幅降低,更利于碳减排。


此外,GaN的出现可能成倍地提升器件的性能,给产业应用带来巨大的系统优势。“功率器件是个通用的器件,在每个用电的地方都有功率芯片,只是形式存在不同。不同应用场景对功率器件的需求不一样,在消费、工业、汽车等不同的场景,GaN功率器件都能为产业提升贡献力量。”王怀锋表示。



氮化镓是绿色地球的一个礼物

在新机遇下,GaN的全球产业化竞争也正愈演愈烈。从2009年开始,首颗EPC 100V功率GaN FET面市至今,高低压GaN功率芯片出货量均达到千万级,产业化技术成熟,市场开始爆发,全球GaN主流企业随之崛起,英诺赛科就是其中的佼佼者。


据王怀锋介绍,“英诺赛科2015年12月份成立,2017年11月在珠海通线投产投产,2019年低压和高压的GaN器件量产出货。2021年是英诺赛科启航的元年,苏州的工厂通线投产,高低压芯片的出货量显著的增加,已突破4000万颗 ,规模化量产技术成熟。”


值得一提的是,英诺赛科采用IDM商业模式,集芯片设计,外延生长、芯片制造、可靠性与失效分析于一体的全产业链生产模式,采用8寸的硅基氮化镓,产品成本与价格具有绝对竞争优势;与此同时,英诺赛科还具备完善的可靠性和失效分析平台,产品更新迭代更快。此外,英诺赛科还是目前全球唯一拥有ASML光刻机先进制程的GaN企业,与全球主要竞争对手对比,优势显著。英诺赛科目前可以月产1万片8英寸的硅基氮化镓晶圆,电压范围可以覆盖30~650V。


新事物的出现,离不开事物的发展规律,即都是从比较容易接受的市场逐渐向高端市场渗透。GaN也同样如此,随着产业化技术成熟,GaN功率器件目前形成了两大成熟生态。王怀锋指出,一个是快充,快充是GaN应用市场的先锋,快充市场是一个比较成熟的市场,也是多家供应链共同竞争的领域。另一个是手机的OVP应用,目前英诺赛科氮化镓芯片产品已覆盖这两大生态市场范围。


除了这两大成熟的生态市场外,GaN重点聚焦的还包括数据中心电源、新能源汽车等应用场景。


在数据中心电源方面,GaN可以解决大ASIC芯片的供电瓶颈,例如能有效满足数据中心高算力需求的GPU的供电电流需求已大于1000A。GaN高频优势,可以有效减少供电系统的面积,实现高功率密度供电。采用GaN的数据中心更节能,据测算,一台机柜每年节能等效于少排放8吨二氧化碳。以数据中心的耗电量占比18%来算,GaN对此贡献突出。


对于新能源汽车应用场景,王怀锋表示,GaN是激光雷达的刚需,Si和SiC都没办法解决它快速开关的要求。激光雷达是GaN进入汽车领域的第一个应用场景,此外GaN在车上的应用场景还包括DC-DC、车载充电机等。


王怀锋认为,GaN是绿色地球的一个礼物,它的发展刚刚开始,需要产业链一起努力,把GaN这棵小树培养成大树。




技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由董慧转载自英诺赛科,原文标题为:给绿色地球的一份礼物:英诺赛科用GaN助力碳减排行动,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

太电子2024慕尼黑上海电子展精彩回顾,展示射频和功率器件,模拟和MCU芯片以及高端散热材料等产品

2024年7月8日~10日,为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕。华太电子作为通信与新能源系统核心芯片和器件的提供商,在本次展会展示了射频和功率器件,模拟和MCU芯片以及高端散热材料等产品,为通信和新能源提供系统性解决方案。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-24

自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。

原厂动态    发布时间 : 2024-04-26

聚能创芯参加2024上海慕尼黑电子展,展示650V系列氮化镓功率器件产品

2024年7月8日-10日,2024年慕尼黑电子展在上海新国际博览中心成功举办。此次展会上,聚能创芯展示了650V系列氮化镓功率器件产品,以及45W及65W家居墙插和轨道插座方案、65W氮化镓超薄及高频PD快充方案、120W LED照明方案以及120W适配器方案,得到了众多国内外客户的肯定。

原厂动态    发布时间 : 2024-07-18

研讨会2024模拟电源信号链新技术研讨会

描述- 11月7日直播,带来电源管理革新、汽车电子智能化、可再生能源与储能、光通讯与光模块、医疗健康与个人护理等领域电源信号链新产品新技术,点击了解报名。

议题- 信号链:射频开关,ADC,DAC,运放,比较器,数模混合IC,温度传感器  |  电源管理:锂电管理,氮化镓驱动,马达驱动,高低边驱动,DC-DC,AC-DC,电压基准源  |  汽车:车身电子,HUD,激光雷达,智能座舱,OBC,充电桩,T-BOX,氛围灯,车载摄像头,倒车雷达,热管理,BMS  |  光通讯,光模块,交换机(POE),AFE,个人护理,医疗健康  |  可再生能源:光伏储能(模拟ADC产品)  |  工业:机器人,变频伺服  |  电力:数字电源,电动工具,安防监控  |  SG Micro Corp(圣邦微电子)——十大中国IC设计公司之一,模拟集成电路领导者  |  模拟与嵌入式产品和解决方案供应商——思瑞浦(3PEAK)  |  以模拟技术为优势的电子器件和微波产品,为客户提供最佳的模拟解决方案——Nisshinbo (日清纺)  |  国产首款40V、5A 、AEC 、Q100车规级低能耗高可靠电源降压芯片生产商——芯洲科技(SCT)  |  高性能模拟和数模混合半导体供应商——JW JOULWATT(杰华特)  |  全球首家Force Touch SoC芯片供应商——芯海科技(CHIPSEA)  |  全球电子成就奖●年度微控制器/接口产品奖获得者——国民技术(Nations)  |  专业的高性能模拟器件及数模混合芯片解决方案供应商——拓尔微电子(TOLL)  |  专注于高性能、高品质模拟/混合信号的芯片设计公司:润石科技(Runic)  |  专注于高性能模拟及混合信号芯片设计——领慧立芯(legendsemi)  |  致力打造世界一流高端模拟芯片方案供应商——治精微(ZJW)  |  高端模拟及数模混合芯片和解决方案供应商——类比半导体(AnalogySemi)  |  高性能全范围模拟信号链(放大器/ADC/DAC/基准/电源)芯片供应商——士模(CIMO)  |  致力于向客户提供多品类、全系列电源管理芯片产品及解决方案供应商——ETA SEMICONDUCTOR(钰泰半导体)  |  专注BMS,电源及可编程模拟芯片的知名半导体厂商——芯祥科技(EnergyMath)  |  专注研发小型化、高可靠电源,为客户提供完整可靠的电源解决方案——ZOEYGO(中逸光)  |  专业从事电源产品的研发、生产、销售及综合解决方案的模块电源生产厂家——TOPPOWER(顶源科技)  |  模拟芯片领先设计商——微源半导体(LPSemi)  |  领先的高密度神经刺激芯片和生物传感芯片供应商——Nanochap(暖芯迦)  |  专注于高性能信号链集成电路产品研发——芯聚威(Silicoway)  | 

活动    发布时间 : 2024-06-28

研讨会2024年世强硬创新技术研讨会:IC、元件、材料、电气、电机、国产化等最新产品与前沿技术

立即报名并查看日程!世强硬创新技术研讨会联合全球1000家顶级原厂发布2024最前沿技术、最新产品以及解决方案,助力硬件企业工程师快速了解市场新品动态,点燃创意火花,加速研发项目进度。

活动    发布时间 : 2023-10-24

一篇文章综述中国碳化硅(SiC)产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等,其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体,瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

行业资讯    发布时间 : 2024-09-30

华润微电子(CRM ICBG)功率器件选型指南

描述- 华润微电子功率器件事业群(Power Device Business Group,简称PDBG)是华润微电子旗下全面负责功率器件设计、研发、制造与销售服务的业务单元。其下设有中低压MOS产品线,高压MOS产品线,IGBT产品线,特种器件产品线和模块产品线。拥有CRMICRO、华晶和IPS三个功率器件自主品牌。

型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG MA450T65DSP2A5,CRSY030N04L2Q,HGQ01N04A-G,CRXBD20D065G2,CRSM055N04N2Z,CRTD028N03L2-G,CRJT74N60G2BF,CRST100N06L2,CR16N60FA9K,CS4N65A4R,CRXI12D065G2,HPA800R750PD-G,HPA700R320PC-G,2CR106A8C,CRJT380N65G2,CS4N65A4D,CS21N06A3,CS6N120FA9R-G,CRMM4953D,CRG08T60A93L,CS14N25A4R,CS21N06A4,CRTM025N03L,HPF800R300PD-G,CR2N60A3K,CRRT20L60A,HPD800R1K4PD-G,CR4N60FA9K,CRJQ41N65GCFQ,CS10N045AE-G,CS14N25A8R,CRSS020N08N3Z,CS2837AND,CS8N70FA9RD,CRG40T65AN5H,CRM15QN600S,CS4N80A3HD,CRTT039N08N,CRNT080C65,CRRS40L100A,CRNT200C65AX,CRJF1K2N70G2,HGE055NE4A,CRSZ020N08NZ,CS240N06A0,CS60N12A8,CS240N06A8,CRG25T120BK3SD,CS9N20FA9R,CRSS049N07N,CRSD090N12N,CRTS084NE6N,CRJD1K2N65G2,CRST052N07N,CRG75T65AK5SCD,CRST020N06N2,CRJF74N60G2F,CR6N70FA9K,CRJQ60N65G2BF,CRG75T65AQF5HD,2CR086AC,CS6N90ARH-G,CS10N50A8R,CRXQF160M120G2Z,CS13N50FA9R,CRG50T60AK3HD,2CR108A8C,CS6N40A3R,CRTD080N02S2-G,CS13N50FA9H,CRRT30L45A,CRXMF450P120PDG2AQ,CRXX40M120G2Z,CS2N60FA9H,CRG75T65AK5HC,CRM50TD06R1,CRG75T65AK5HD,CS18N50FA9R,CRJF850N65GC,CRXF08D065G2,CRG15T60A83L,CRSM038N10N4,CRSM120N10L2,CRXU10D120G2,CRJD650N65G2,CS2N60FA9R,CRJB1K4N70G2E,HGQ024N04A,CS17N10A3,CS17N10A4,CS6N40A4R,CRG40T120CK3LDQ,CRSM033N08N4,CRSM105N15N3,HPP800R300PD-G,CRG15T120BNR3S,CRM50TA06E1,CRM60GH15E4,CS5N50FA9R,2CR40K120ABC,CRTD360N10L,3DD4520A3,CRXQ60M065G1,3DD4520A4,CS10N40A4R,CS7N80FA9RZ-G,3DD4520A6,HGQ014N04A-G,CRJL99N65G2F,CRJD900N70G2E,CRST072N12N,CRJQ41N65G2BF,CRJF340N65G2,CRSM058N08N3,CR4N50FA9K,CRRS40L45A,CRSM080N10L2,CRMM4840D,CS5N90A8R,CRST073N15N,CRTS032N06N,CRTE080P03L2P,CS10N50FA9R,CRRT20L120A,CRXI20D065G2,CRJS190N65GCF,CRGMF600T120DVDAH,CRJD650N65GC,CS10N40A3R,CRXI08D065G2,HPF800R450PD-G,CS730A3RD,CR12N60A8K,2CZ20100A8S,CRXU20D065G2,CRTD10DN10L,CS/CRX(XX)NX(XX)(F)AX(X)(D)(Y)□,CRSM046N04N2Z,CS100N03A4-G,CS25N50ANR,CRSQ23N10N4Z,CRXU15D120G2,CR6N70A3K,CRG25T120BKR3S,CRG25T120AK3SD,CRNQ050C65,CRJF600N70G2,CS640FA9H,CS7N80FA9R,3DD4540A9,CRM10QT500S,CRMM6602C,CS30N25A8R,CS40N25FA9R,CRTD052N02S2-G,2CZ20100A8,3DD4518A3D,CRTD028N04L2-G,3DD4540A3,CRTK060P02S2P,CRJD440N70G2,CRXF16D065G2,CRMB0301C,CRSS109N20N,HPD700R320PC-G,CS150N03D8,3DD4540A7,CRST033N08N,CRRA10L100B□,CRTM021N04L2-G,CR6N70A4K,CRXU30D120G2,CRSM080N10N4,CS6N120AKR-G,CRXSP1KM170G1,HPU800R750PD-G,CS830A4RD,CRXQ17M120G1,CRJT065N60G3F-G,HPA600R600PC-G,CRXQF40M120G2Z,CRTT095N12N,CRSG022N10N4Q,CS6N90ARR,CRJF190N65GCF,CRXQF40M120G2Q,CRSG022N10N4Z,CRRT30L100B,CRXQ16D065G2,CRRT30L100A,CRXQ160M120G2Z,CRTD045N03L,CRTT067N10N,CRMM9926,CRJF065N60G3F-G,CRJS750N70G2,CRJH750N70G2,CRSZ025N10NZ,CS4N10AE-1,CRNF300C65,CRRF10L150A,CRTR550N06L,CRXI05D120G2,CRST041N08N,CRMV0604D,CRMD1002D,CS65N03AQ4-G,CS5N90A3R,CRRT20L45A,CRSM010N04L2,CRSS046N08N,CRJD360N70G2,CS10N80AND,CRST060N08N3,CS5N90A4R,CRRT20L100A,CRSM088N12N,CS150N03A8,CRJF99N65G2F,CRRT20L100B,CRTJ200N02U2-G,CS7N65ARD,CRJD900N70G2,2CR30K60A8C,2CR20K60A8C,CRSS109N20NZ,CRSS087N12N,CS5N65A7H,HPA800R1K4PD-G,CS7N10AQ2-1,CRTT088N10N,CS19N10A8,CRSD090N10N4Z,CRSM650N20N3,CRMM3907C,CRSQ027N10NZ,CS2R60A4RP-G,CS7N65ARR,CRTM084NE6N,CR7N60FA9K,CRSZ028N12N3Z,CRNF125C65,CRXI04D065G2,CRJD2KN70G2,CS3N150AHR,CRJS200N70G2,CRSS057N08N3,CRSM067N07N,CRSM072N10N2,CRJF99N65G2BF,CS5N65A8H,CRSS050N10N,CRJQ80N65F,CRME0308D,CS5N65A8R,2CR25K60A8C,CRGMS75T120DV3AH,HPD600R600PC-G,CS7N70B31R-G,CRXQ32D065G2,CRST053N10N,CS2N60A23H,CS3R50A4RP-G,CRG08T60A03L,CRTD125P06LQ,CS8N65A3R -G,CS60N03AQ4-G,CR20N60A8K,CS5N10AE-G-1,HPA800R900PD-G,CRSZ020N08N,CS32N045A4-G,CS6N65FA9,CRXQF17M120G1,CS5N20FA9,CRSY035N04N2Z,CRG75T65AQF5SD,CS8N25FA9R,CRG40T60AK3SDQ,CRTB550P06N2-G,2CR30K60AN,CS2N65A4HY,CRSS053N07N,CRSQ113N20N,CRTD039N04L2-G,CS10N80A8HD,CRJT125N60G2F,2CZ20100A9S,CS12N65A0R,CRST047N12N,CRMV0406D,HPD800R1K2PD-G,CS4N80A3R-G,CRJL190N65GC,CRXD06D065G2,CRM60XX05EAX-BD,HPA650R420PC-G,CRJL190N65G2,CS250N04A8,CS35N04A3-G,CRMB0322D,CRM60GJ15E4,CRJT390N65GC,CS3N90FA9R,CS90N03A3,CRSM054N04N2DZ,CS90N03A4,CS45N25FA9R,CRML0202D,CRSS052N08N3,2CZ20100A0S,CRXQ20D065G2,CS3N150AKR,CRJQ190N65GCF,CS40N25A8R,CRG75T65AK5SD,CRTM030N04L,CS20N60FA9H,CRSE120N10L2,CS3N90FA9H,2CR20K120A8C,CS3N30B23H,CRXQ45M065G1,CRMM3903C,CRXI02D120G2,CS20N60FA9R,CRSE095N06L2,CS24N04A4-G,CRXI15D120G2,CS2N60A3H-G,CRG40T65AK5SD,CRXB08D065G2,CS28N50ANR,CS6N120A8R-G,CRJQ41N65G2,CRTD680P10LQ,CRSE095N06L2A,CRXQ160M120G1,CRTE120N06L,CRJQ41N65GC,CS35N04A4-G,CRXQ3

选型指南  -  华润微电子  - 2024/3/11 PDF 中文 下载

EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

目录- eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128

选型指南  -  EPC  - 2024/1/3 PDF 英文 下载

河南省工信厅组织省半导体行业重点企业代表团到东海半导体参观交流,共同探讨半导体行业功率器件产品经验

2024年9月3日上午9时许,河南省工业和信息化厅组织省半导体行业重点企业代表团到江苏东海半导体股份有限公司参观交流。WXDH ELECTRONICS东海半导体是国内一流的功率器件产品供应商,专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究,为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等全面功率器件产品解决方案。

产品    发布时间 : 2024-09-15

泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南

描述- 2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。

型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

选型指南  -  泰高  - 2023/7/3 PDF 中文 下载

【应用】超级MOS可用于PD快充中,在EMI和效率上拥有出色的性能表现

随着人们生活节奏的加快,快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便,充电器小型化是必然,提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用,使用GaN和SiC材料等。

应用方案    发布时间 : 2021-09-30

SiC 功率器件在车载电源中的应用

型号- WM2A030065L,WM2A020065L,WM2A075120L,WM2A060065L,WM2A040120L

商品及供应商介绍  -  中电国基南方  - 2024年4月 PDF 中文 下载

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?

半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

技术探讨    发布时间 : 2024-07-23

纳芯微电子(NOVOSENSE)栅极驱动IC产品选型指南

描述- 栅极驱动芯片(Gate Driver IC)是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。

型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015

选型指南  -  纳芯微电子  - 2024年6月 PDF 中文 下载

胜金微电子(SMST)时钟芯片/漏电保护器/数字隔离器/功率器件选型指南

描述- 杭州胜金微电子是一家专业从事高端集成电路芯片研发、销售、应用及服务的高新技术企业。公司拥有芯片研发及应用人员100+,并拥有集成电路相关专利近100项。公司围绕安全环保、绿色节能的开发理念布局了高端时钟、数字隔离器、电源管理、GaN功率器件等,主要应用于新能源、5G通讯、工业控制等领域。可为客户提供定制化产品和解决方案。

型号- SMST5381_X,SMST5341_X系列,SMST5351B,SMST539X,SMST5351A,SMST5351C,SMST5341_X,SMST624X,SMST5330X系列,SMST532XX,SMST52112,SMST650D350,SMST530_X,SMST52112_X系列,SMST510_X系列,SMST695X,SMST784X,SMST54133,SMST683X,SMST710X,SMST754X,SMST621X,SMST69XX,SMST54123L,SMST697X,SMST786X,SMST63XX,SMST714X,SMST65XX,SMST52112_X,SMST30C,SMST650D200,SMST530_X系列,SMST54123,SMST650D240,SMST120C,SMST100C,SMST54123F,SMST758XX,SMST54X,SMST532XX系列,SMST696X,SMST684X,SMST650D600,SMST781X,SMST54123A,SMST650D800,SMST5147B,SMST622X,SMST755X,SMST610X,SMST654X,SMST5145,SMST626X,SMST715X,SMST5146,SMST614X,SMST658XX,SMST5147,SMST650D140,SMST510_X,SMST650DXX,SMST5381_X系列,SMST782X,SMST623X,SMST534X,SMST68XX,SMST655X,SMST538X,SMST64XX,SMST615X,SMST5159,SMST5152,SMST150C,SMS5901,SMST5154,SMST5330X,SMST60C,SMST650D190,SMST650D500,SMST650D100,SMST662X,SMST56X,SMST650D2K2,SMST682X

选型指南  -  胜金微电子  - 2023/8/8 PDF 中文 下载

展开更多

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:38,861

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:20,646

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥7.7100

现货:5,990

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥5.9700

现货:4,755

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,539

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

电子商城

查看更多

暂无此商品

千家代理品牌,百万SKU现货供应/大批量采购订购/报价

服务

查看更多

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

射频无源器件定制

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面