英诺赛科高压GaN HEMT/INN650DA260A获中国芯“优秀技术创新产品”,继续助力碳减排行动
2021年12月20日-21日,2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海举办。在21日同期举办的宽禁带半导体助力碳中和发展峰会上,英诺赛科科技有限公司(以下简称“英诺赛科”)副总经理王怀锋发表了《给绿色地球的一份礼物——GaN》的精彩演讲。
此外,值得一提的是,在本次“中国芯”评选活动中,英诺赛科的高压GaN HEMT/INN650DA260A产品脱颖而出,荣获了中国芯“优秀技术创新产品”的称号。
GaN功率器件:提升系统效率,减少功率损耗
在本次峰会上,王怀锋指出,“工业革命至今已经历4次,我们正经历的是第四次工业革命——数字化。这次工业革命的显著特点就是人工智能、5G、智能驾驶、绿色能源等。”
在数字时代的世界里,我们用智能终端(端),通过高速通讯(管)以及数据中心(云)实现万物互联。与此同时,出现了新的应用场景,比如AI、大数据和数据处理中心,还有电动汽车和自动驾驶等。
王怀锋认为,“这些新应用场景的出现,将会使全球电力的需求急剧增长,到2030年全球电力需求比2020年增长50%以上。有电的地方就需要有电的转换,未来将需要更多的功率器件来推动产业发展。”
更值得关注的是,用电的大幅增加也将导致能耗的增加,这与碳达峰、碳中和等绿色生态的要求形成了较大的矛盾。
“在用电过程中减少电的损耗是我们减少二氧化碳排放的关键。在这方面,有数据显示,使用5G的能源消耗将会比4G高70%。据估计,在2025年全球数据中心的能耗将会占整个全球总能耗的18%,这是能耗的增长点。因此,在用电增长的情况下减少排放,意味着在电转换的过程中对损耗提出了非常高的要求。”王怀锋谈到。
数字时代产业的特点是绿色、高效、智能,因此,更高的电源效率、减少组件以节省电力损耗迫在眉睫。
王怀锋认为,在电的转换过程中功率器件的损耗完全是浪费的,硅功率器件达不到我们现在对环境碳排放的综合标准。而GaN材料具备的高开关频率、低导通电阻、小尺寸、多功能的材料优势,使得GaN功率器件获得更高的系统效率、更少的功率损耗、紧凑的外形和更简化的系统设计。GaN功率芯片性能大幅提升,同时能让系统体积大幅缩小,系统能耗大幅降低,更利于碳减排。
此外,GaN的出现可能成倍地提升器件的性能,给产业应用带来巨大的系统优势。“功率器件是个通用的器件,在每个用电的地方都有功率芯片,只是形式存在不同。不同应用场景对功率器件的需求不一样,在消费、工业、汽车等不同的场景,GaN功率器件都能为产业提升贡献力量。”王怀锋表示。
氮化镓是绿色地球的一个礼物
在新机遇下,GaN的全球产业化竞争也正愈演愈烈。从2009年开始,首颗EPC 100V功率GaN FET面市至今,高低压GaN功率芯片出货量均达到千万级,产业化技术成熟,市场开始爆发,全球GaN主流企业随之崛起,英诺赛科就是其中的佼佼者。
据王怀锋介绍,“英诺赛科2015年12月份成立,2017年11月在珠海通线投产投产,2019年低压和高压的GaN器件量产出货。2021年是英诺赛科启航的元年,苏州的工厂通线投产,高低压芯片的出货量显著的增加,已突破4000万颗 ,规模化量产技术成熟。”
值得一提的是,英诺赛科采用IDM商业模式,集芯片设计,外延生长、芯片制造、可靠性与失效分析于一体的全产业链生产模式,采用8寸的硅基氮化镓,产品成本与价格具有绝对竞争优势;与此同时,英诺赛科还具备完善的可靠性和失效分析平台,产品更新迭代更快。此外,英诺赛科还是目前全球唯一拥有ASML光刻机先进制程的GaN企业,与全球主要竞争对手对比,优势显著。英诺赛科目前可以月产1万片8英寸的硅基氮化镓晶圆,电压范围可以覆盖30~650V。
新事物的出现,离不开事物的发展规律,即都是从比较容易接受的市场逐渐向高端市场渗透。GaN也同样如此,随着产业化技术成熟,GaN功率器件目前形成了两大成熟生态。王怀锋指出,一个是快充,快充是GaN应用市场的先锋,快充市场是一个比较成熟的市场,也是多家供应链共同竞争的领域。另一个是手机的OVP应用,目前英诺赛科氮化镓芯片产品已覆盖这两大生态市场范围。
除了这两大成熟的生态市场外,GaN重点聚焦的还包括数据中心电源、新能源汽车等应用场景。
在数据中心电源方面,GaN可以解决大ASIC芯片的供电瓶颈,例如能有效满足数据中心高算力需求的GPU的供电电流需求已大于1000A。GaN高频优势,可以有效减少供电系统的面积,实现高功率密度供电。采用GaN的数据中心更节能,据测算,一台机柜每年节能等效于少排放8吨二氧化碳。以数据中心的耗电量占比18%来算,GaN对此贡献突出。
对于新能源汽车应用场景,王怀锋表示,GaN是激光雷达的刚需,Si和SiC都没办法解决它快速开关的要求。激光雷达是GaN进入汽车领域的第一个应用场景,此外GaN在车上的应用场景还包括DC-DC、车载充电机等。
王怀锋认为,GaN是绿色地球的一个礼物,它的发展刚刚开始,需要产业链一起努力,把GaN这棵小树培养成大树。
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EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
目录- eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
河南省工信厅组织省半导体行业重点企业代表团到东海半导体参观交流,共同探讨半导体行业功率器件产品经验
2024年9月3日上午9时许,河南省工业和信息化厅组织省半导体行业重点企业代表团到江苏东海半导体股份有限公司参观交流。WXDH ELECTRONICS东海半导体是国内一流的功率器件产品供应商,专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究,为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等全面功率器件产品解决方案。
产品 发布时间 : 2024-09-15
泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
描述- 2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
【应用】超级MOS可用于PD快充中,在EMI和效率上拥有出色的性能表现
随着人们生活节奏的加快,快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便,充电器小型化是必然,提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用,使用GaN和SiC材料等。
应用方案 发布时间 : 2021-09-30
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺,解决车规可靠性最后一块拼图?
半导体技术的进步,特别是碳化硅,产生了具有高功率密度的器件,并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块,可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-23
纳芯微电子(NOVOSENSE)栅极驱动IC产品选型指南
描述- 栅极驱动芯片(Gate Driver IC)是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。
型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015
胜金微电子(SMST)时钟芯片/漏电保护器/数字隔离器/功率器件选型指南
描述- 杭州胜金微电子是一家专业从事高端集成电路芯片研发、销售、应用及服务的高新技术企业。公司拥有芯片研发及应用人员100+,并拥有集成电路相关专利近100项。公司围绕安全环保、绿色节能的开发理念布局了高端时钟、数字隔离器、电源管理、GaN功率器件等,主要应用于新能源、5G通讯、工业控制等领域。可为客户提供定制化产品和解决方案。
型号- SMST5381_X,SMST5341_X系列,SMST5351B,SMST539X,SMST5351A,SMST5351C,SMST5341_X,SMST624X,SMST5330X系列,SMST532XX,SMST52112,SMST650D350,SMST530_X,SMST52112_X系列,SMST510_X系列,SMST695X,SMST784X,SMST54133,SMST683X,SMST710X,SMST754X,SMST621X,SMST69XX,SMST54123L,SMST697X,SMST786X,SMST63XX,SMST714X,SMST65XX,SMST52112_X,SMST30C,SMST650D200,SMST530_X系列,SMST54123,SMST650D240,SMST120C,SMST100C,SMST54123F,SMST758XX,SMST54X,SMST532XX系列,SMST696X,SMST684X,SMST650D600,SMST781X,SMST54123A,SMST650D800,SMST5147B,SMST622X,SMST755X,SMST610X,SMST654X,SMST5145,SMST626X,SMST715X,SMST5146,SMST614X,SMST658XX,SMST5147,SMST650D140,SMST510_X,SMST650DXX,SMST5381_X系列,SMST782X,SMST623X,SMST534X,SMST68XX,SMST655X,SMST538X,SMST64XX,SMST615X,SMST5159,SMST5152,SMST150C,SMS5901,SMST5154,SMST5330X,SMST60C,SMST650D190,SMST650D500,SMST650D100,SMST662X,SMST56X,SMST650D2K2,SMST682X
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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