EPC在线建模工具库：氮化镓场效应晶体管热计算器，可快速评估氮化镓器件热管理策略的有效性

正芯RealChip®(GaN)氮化镓功率器件量产，国际高性价比

RealChip®正芯®半导体技术，作为20年历史的国际卓越MOSFET功率器件、晶体管及芯片研发设计企业，产品已在全球多个国家被客户广泛应用，于2023年量产多款全球性价比最佳的GaN氮化镓功率器件，为客户追求小体积、高性能、降成本提供了最佳选择。

聚能创芯参加2024上海慕尼黑电子展，展示650V系列氮化镓功率器件产品

2024年7月8日-10日，2024年慕尼黑电子展在上海新国际博览中心成功举办。此次展会上，聚能创芯展示了650V系列氮化镓功率器件产品，以及45W及65W家居墙插和轨道插座方案、65W氮化镓超薄及高频PD快充方案、120W LED照明方案以及120W适配器方案，得到了众多国内外客户的肯定。

【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？

EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

第三代半导体：氮化镓

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（一）——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用

本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。

氮化镓功率器件研发与制造先进企业——致能（ZIENER）

广东致能科技有限公司成立于2018年12月，是一家致力于第三代半导体氮化镓的研发与产业化的高新技术企业。公司总部设立在广州，在深圳、上海、徐州等地设有生产研发基地和市场销售中心。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。

能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件，器件阈值电压提高约60%

能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓（GaN）技术，较常规产品来说，其阈值电压（VTH）提高约60%。

诚芯微65W高密度氮化镓快充参考设计：双口同时输出时支持20+30W功率分配，并支持PPS快充

诚芯微​65W超薄氮化镓快充方案采用反激加同步整流架构，使用了先进的平面变压器技术，初级PWM采用CX1342搭配氮化镓功率器件；输出双C接口采用DC降压芯片CX8571和双C口协议输出，可同时给两个设备进行快充，单口支持65W最高充电功率（5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A）。双口共同输出时为20W+30W功率智能分配。

【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统

宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

美禄科技授权世强硬创代理氮化镓功率器件、平面/超结MOS等产品

产品广泛应用于PD快充、户外电源、UPS、储能、逆变器、充电桩、数字服务器、马达驱动、PD快充、电源适配器、LED照明、通讯电源、白色家电、工业控制、光伏逆变、移动储能等领域。