【技术】0.25μm大功率pHEMT制程PPH25X，优化后的产品功率密度可达900mW/mm

时间： 2019-11-28 来源：UMS

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UMS代工厂为设计人员提供可靠的高性能GaAs和GaN工艺，该类工艺的性能在国防、航空航天、电信、汽车和ISM等众多的标准产品得到验证。pHEMT，全称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET），是对高电子迁移率晶体管的一种改进结构，采用pHEMT结构的功率器件，具有优异的温度稳定性，同时其输出电阻、跨导、电流处理能力、功率均大幅提升，其噪声更低，广泛的应用在射频芯片中。PPH25X是UMS推出的0.25um pHEMT制程，旨在优化应用在40GHz以下器件的功率性能。

图1. PPH25X工艺制成的放大器微观结构图

PPH25X制程主要特征：

l0.25um pHEMT 功率优化工艺

l典型截止频率50GHz

l内置GaAs电阻、MIM(金属电极)电容

l采用空气桥、穿过基板的通孔结构

l工作电压：9V

l采用厚度70um、直径100mm的晶圆加工

l通过空间部门评估，列入欧洲优选零件清单（EPPL）

PPH25X制程主要包括两个金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM(金属电极)电容、空气桥、穿过基板的通孔、GaAs电阻等特征，其制成的功率放大器微观图如图1所示。

PPH25X在70um厚、直径100mm的晶圆上进行加工，并采用是德（Keisight）公司提供的ADS软件和NI-AWR两家公司合作研发的MwO（微波办公室）软件辅助设计，通过两款软件提供的“原理图自动制版功能”等功能，优化设计后的pHEMT器件功率密度可达900mW/mm（栅极长度0.25um，截止频率45GHz）。主要电气参数如下：

PPH25X制程通过空间部门评估，并列在欧洲优选零件清单（EPPL）中，其制成的器件可广泛的应用在卫星通信，无线中继，雷达，光纤，仪器仪表等多个领域。

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Homer Lv4. 资深工程师 2019-12-30

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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-12-30

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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-12-29

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天涯123456 Lv4. 资深工程师 2019-12-22

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小号 Lv5. 技术专家 2019-12-19

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