【技术】0.25μm大功率pHEMT制程PPH25X，优化后的产品功率密度可达900mW/mm
UMS代工厂为设计人员提供可靠的高性能GaAs和GaN工艺，该类工艺的性能在国防、航空航天、电信、汽车和ISM等众多的标准产品得到验证。pHEMT，全称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET），是对高电子迁移率晶体管的一种改进结构，采用pHEMT结构的功率器件，具有优异的温度稳定性，同时其输出电阻、跨导、电流处理能力、功率均大幅提升，其噪声更低，广泛的应用在射频芯片中。PPH25X是UMS推出的0.25um pHEMT制程，旨在优化应用在40GHz以下器件的功率性能。
图1. PPH25X工艺制成的放大器微观结构图
PPH25X制程主要特征：
l0.25um pHEMT 功率优化工艺
l典型截止频率50GHz
l内置GaAs电阻、MIM(金属电极)电容
l采用空气桥、穿过基板的通孔结构
l工作电压：9V
l采用厚度70um、直径100mm的晶圆加工
l通过空间部门评估，列入欧洲优选零件清单（EPPL）
PPH25X制程主要包括两个金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM(金属电极)电容、空气桥、穿过基板的通孔、GaAs电阻等特征，其制成的功率放大器微观图如图1所示。
PPH25X在70um厚、直径100mm的晶圆上进行加工，并采用是德（Keisight）公司提供的ADS软件和NI-AWR两家公司合作研发的MwO（微波办公室）软件辅助设计，通过两款软件提供的“原理图自动制版功能”等功能，优化设计后的pHEMT器件功率密度可达900mW/mm（栅极长度0.25um，截止频率45GHz）。主要电气参数如下：
PPH25X制程通过空间部门评估，并列在欧洲优选零件清单（EPPL）中，其制成的器件可广泛的应用在卫星通信，无线中继，雷达，光纤，仪器仪表等多个领域。
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Homer Lv4. 资深工程师 2019-12-30学习学习 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-12-30学习，支持 -
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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-12-29了解一下！！！ -
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小橙子 Lv7. 资深专家 2019-12-28学习 -
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feiying Lv6 2019-12-26好 -
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双目誰无言 Lv6. 高级专家 2019-12-26代工厂 -
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情始皇 Lv5. 技术专家 2019-12-26收藏 -
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用户73656432 Lv4. 资深工程师 2019-12-22学习。 -
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天涯123456 Lv4. 资深工程师 2019-12-22了解一下 -
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小号 Lv5. 技术专家 2019-12-19学习
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【技术】UMS高PAE、高线性性能GH15-10 MMIC GaN HEMT技术，入选欧洲航天局首选部件清单
UMS公司的GH15-10 MMIC GaN HEMT技术，具有高PAE和出色的线性性能，现已通过空间评估，入选欧洲航天局 (ESA) 制定的首选部件清单，非常适合用于无线通信（PtP、5G、FWR）、卫星通信、雷达和宽带多用途应用中。
UMS功率放大器（PA）选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
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IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
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选型表 - UMS 立即选型
【产品】无线中继器TCNZFPC9016433，采用1代IPX，频率最高可达433MHZ
通城无限推出的无线中继器TCNZFPC9016433，频率最高可达433MHZ , 采用1代IPX, 线长60MM，安装更加灵活，增益效率较高，最高可达41%，长度和部分参数可根据客户需求定制。
【应用】噪声系数2.5dB！UMS为24GHz(K波段)卫星通信系统设计提供LNA最佳解决方案
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浙江赛思超低噪声OCXO，国内最高级别秒稳8E-14，助力雷达/仪器仪表精度新阶梯 ∣视频
浙江赛思电子科技有限公司成立于2013年，是一家国内领先的时频科技企业，专注于高性能时钟芯片、晶振、原子钟及语音芯片等产品的研发与生产。公司提供全行业覆盖的端到端时频解决方案，服务于5G通信、工业物联网、北斗导航、电力能源等多个领域。业务范围覆盖海内外10多个国家和地区。目前公司人员有300人，其中研发人员占比70%以上。
【应用】增益达19dB的LNA低噪声放大器CHA2110-QDG助力X波段卫星通信系统设计，噪声系数仅1.2dB
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
通过UMS展现您的才华，通过UMS Foundry服务打造您成功的射频产品
UMS Foundry提供2024/2025年度的共享晶圆厂服务，支持多种射频产品开发。服务包括GaN和GaAs器件，涵盖不同频率范围。提供多个提交截止日期，支持不同工艺流程。详情请访问UMS官方网站或联系相关邮箱获取更多信息。
UMS
UMS混频器/降频器选型表
UMS混频器/降频器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5.5-76，RF Bandwidth (GHz)max：9-86，LO Bandwidth (GHz)-min：3-76，LO Bandwidth (GHz)-max：7.75-77，LO Input Power(dBm)：-4~15，Bias(mA)：1-380.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
LO Bandwidth (GHz)min
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LO Bandwidth (GHz)max
|
IF Bandwidth (GHz)min
|
IF Bandwidth (GHz)max
|
Conv. Gain(dB)
|
Noise Figure(dB)
|
P-1dB IN(dBm)
|
LO Input Power(dBm)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHR3762-QDG
|
降频器
|
5.5
|
9
|
4
|
12
|
DC
|
3.5
|
14
|
1.7
|
-5
|
5
|
100
|
3
|
QFN
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选型表 - UMS 立即选型
UMS 射频开关选型表
UMS 射频开关选型：RF Bandwidth (GHz)min：6-23，RF Bandwidth (GHz)max：4-26，Loss(dB)：0.5-2.9，P-1dB IN(dBm)：20-42.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Loss(dB)
|
Isolation(dB)
|
Type
|
|
CHS2412-QDG/20
|
射频开关
|
23
|
26
|
2.9
|
35
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Reflective
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选型表 - UMS 立即选型
优利德将携多款创新仪器仪表及配套解决方案亮相2024分布式光储论坛暨第四届华中光伏论坛
2024年湖北分布式光储论坛暨第四届华中光伏论坛即将于9月12日在湖北武汉举办。作为中国仪器仪表品牌中率先全方位布局光储运维的企业，UNI-T优利德将携多款创新产品及配套解决方案亮相，展现其专业化、智能化、多功能化的产品创新成果以及深厚的技术实力。诚邀各界同仁莅临，共谋行业发展新篇。
UMS射频移相器选型表
UMS射频移相器选型：RF Bandwidth (GHz)-min：1.2-8.5，RF Bandwidth (GHz)-max：1.4-18，Number of Bits：4-6，Insertion Loss(dB)：-10~13，P-1dB IN(dBm)：3-26.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)-min
|
RF Bandwidth (GHz)-max
|
Number of Bits
|
Phase range(°)
|
Insertion Loss(dB)
|
Phase Error(°p-p)
|
P-1dB IN(dBm)
|
Control voltage(V)
|
Case
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|
CHP3010-QFG
|
射频移相器
|
1.2
|
1.4
|
6
|
360
|
7
|
-1/+3
|
24
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0/3.3 or 5
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QFN
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选型表 - UMS 立即选型
UMS数字衰减器选型表
UMS数字衰减器选型：Insertion Loss(dB)：2-7，Amplitude Control(dB)：15-31.5，P-1dB IN(dBm)：15-25，Number of Bits：4-6.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Insertion Loss(dB)
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Amplitude Control(dB)
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P-1dB IN(dBm)
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Control voltage（V）
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Case
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Number of Bits
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Attenuation error (dB)-min
|
Attenuation error (dB)-max
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CHT3029-QEG/20
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数字衰减器
|
DC
|
35
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4.5
|
15
|
20
|
0/3.3 or 5
|
Die
|
4
|
-0.5
|
0.5
|
选型表 - UMS 立即选型
电子商城
品牌：UMS
品类：GaAs Monolithic Microwave IC
价格：￥169.1086
现货： 1,503
服务
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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