【产品】10V/10A的N沟道功率MOSFET SLD10N10T/SLP10N10,导通损耗最小,开关性能优越

2023-05-13 美浦森
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SLD10N10T/SLP10N10T美浦森(Maplesemi)推出的采用先进平面条纹沟槽技术的N沟道功率MOSFET,这项先进的技术是为实现导通损耗最小化而特别设计的,可提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。器件漏源电压最大额定值为100V,连续漏极电流最大额定值为10A(TC=25℃),具有非常低的漏源导通电阻RDS(ON)、低反向传输电容和快速开关特性,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。


 

产品特点

N沟道:漏源电压100V,连续漏极电流10A(TC=25℃)

漏源导通电阻RDS(ON)=105mΩ(典型值)@VGS=10V

漏源导通电阻RDS(ON)=111mΩ(典型值)@VGS=4.5V

极低的导通电阻RDS(ON)
低反向传输电容Crss
快速开关
100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

 

应用

PWM应用

负载开关

电源管理

 

绝对最大额定值参数(TC=25℃,除非特别说明):

电气参数(TC=25℃,除非特别说明) 

注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制 

2.EAS条件:TJ=25℃,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,IAS=4A

3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤0.5%

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