【产品】瞻芯电子全新碳化硅专用驱动IVCR1412特点及应用
2021年1月，上海瞻芯电子继碳化硅MOSFET专用驱动IVCR1401之后，全新推出碳化硅专用驱动产品IVCR1412，封装更小，可以更靠近MOSFET，最大化的实现驱动效力。
IVCR1412具有以下特点：
• 6脚SOT-23封装
• 0.9A - 2A可编程源
• 80nS 4A 灌电流驱动能力和3欧姆的下拉电阻。
• 电源电压范围达到30V
• 工作电压从4.5V到25V，并带UVLO保护
• 集成-2V电压输出(默认),0V偏置选项
• 密勒效应抑制
主要应用于：
• SiC MOSFET, Si MOSFET, IGBT and GaN 驱动
• 驱动单个和多个并联MOSFET
• 驱动紧凑型AC/DC转换器
• 高密度功率模块设计
Note: CN can be shorten if negative voltage is not needed
管脚定义：
关健参数：
碳化硅MOSFET安全的要点就是可靠的驱动：
驱动多管并联
Si MOSFET，Si IGBT和SiC MOSFET 的驱动要求
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由翊翊所思转载自瞻芯电子，原文标题为:瞻芯电子驱动家族又一力作 IVCR1412 介绍及应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
terrydl Lv9. 科学家 2022-06-20学习 -
![]()
![]()
一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2021-07-22赞 -
![]()
![]()
WilberTse Lv6. 高级专家 2021-07-01不错不错！
相关推荐
【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（上）
基于碳化硅（SiC）MOSFET的应用特点，瞻芯电子创新开发了比邻驱动™（Nextdrive®）系列碳化硅 （SiC）专用栅极驱动芯片，以确保碳化硅MOSFET安全、可靠和高效运行，也能有效降低应用系统的总体物料成本。
新产品 发布时间 : 2023-07-24
【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（下）
比邻驱动™（Nextdrive®）是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅（SiC）专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。日前。本文将继续介绍比邻驱动™（Nextdrive®）系列芯片在车载空调压缩机应用、叉车充电机应用等场景的应用方案。
新产品 发布时间 : 2023-07-29
【产品】瞻芯电子SiC紧凑型栅极驱动IVCR1412实现量产，集成负压和米勒效应抑制功能
近期，瞻芯电子量产了一款比邻驱动®芯片IVCR1412，这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能，且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片，可为SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。
新产品 发布时间 : 2022-08-26
【应用】瞻芯电子20kW碳化硅三相PFC参考设计
三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路，本文介绍瞻芯电子的20kW碳化硅三相PFC参考设计，额定功率为20kW，使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3，以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。
应用方案 发布时间 : 2021-05-05
瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比，多个参数一致
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver，提供系列非隔离低边驱动IC。本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比，以方便有需要研发工程师选型。
器件选型 发布时间 : 2021-11-09
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
当碳化硅遇见新能源：瞻芯电子亮相慕尼黑上海电子展，邀您共同探索高效能源转换技术边界
瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品，规格参数齐全，且有多种贴片、插件、模块封装。同时，我们还围绕碳化硅(SiC)应用，开发了多种系列栅极驱动芯片，包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外，瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-07-11
瞻芯电子紧凑型IVCR1412比邻驱动芯片助力多管并联均流，集成负压和抗米勒效应，消除栅极电阻开关更快
在大功率变换系统中，多管并联能提升电流承载能力，增加输出功率，常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战，这影响了系统中器件的温度分布，进而影响系统可靠性，最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流，瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动™IVCR1412芯片开展了均流研究，在不同均流驱动方案和不同条件下，测试影响均流的因子，以提供均流方案建议。
应用方案 发布时间 : 2024-01-31
【视频】瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案，成本低高可靠性抗米勒效应1200V
型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
瞻芯电子CCM图腾柱PFC芯片IVCC1102被国产3kW碳化硅钛金电源产品批量采用，性能优势显著
楚源3kW碳化硅钛金电源CY0168搭载了瞻芯电子开发的3款核心元器件：CCM图腾柱PFC模拟控制芯片IVCC1102、碳化硅MOSFET IV1Q06040T4及比邻驱动®芯片 IVCR1401 ，效率峰值为96.8%，达到钛金效率标准。
厂牌及品类 发布时间 : 2022-05-30
瞻芯电子通过IATF16949汽车质量管理体系认证，为持续、稳定量产高品质车规级产品提供坚实保障
2023年10月17日，瞻芯电子通过了第三方认证机构TUV的严格评审，正式获得IATF16949汽车质量管理体系认证，表明瞻芯电子碳化硅（SiC）晶圆厂的制造质量管理体系全面符合国际汽车行业质量管理标准，为持续、稳定量产高品质的车规级产品，提供了坚实保障。
厂牌及品类 发布时间 : 2023-11-02
瞻芯电子SIC MOSFET多管并联均流驱动方案：成本低高可靠性抗米勒效应1200V
型号- IV1Q12050T4,IV1Q12017T4,IVCC1102,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IVCR1401
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论