【产品】20V/60A的N沟道功率场效应晶体管PTU06N02，具有超低静态漏源导通电阻特性

时间： 2022-03-16 来源：金誉半导体

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金誉半导体集团旗下的迪浦电子是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业，其推出的N沟道场效应晶体管 PTU06N02 ，采用TO-251封装，漏源击穿电压为20V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为60A（V_GS=4.5V，T_C=25°C），该产品具有超低静态漏源导通电阻和2.5V逻辑电平控制等特性，已通过无铅认证，可用于负载开关、电池开关、便携式产品等领域。

产品特征：

•超低静态漏源导通电阻

•2.5V逻辑电平控制

•TO-251封装

•无铅，符合RoHS标准

产品应用：

•低压侧负载开关

•电池开关

•针对便携式产品的电源管理应用进行了优化，如航空模型、移动电源、无刷电机、主板等

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