【应用】氮化镓增强型功率晶体管选用INN650D150A用在快速瞬变负责测试仪，拥有负压保护电路能避免负压过高损坏电路
某客户的快速瞬变负责测试仪上需要一款氮化镓MOS管，配合前级的PWM驱动芯片，用来测试负载的di/dt。氮化镓MOS要求耐压要到500V，要求快速开启和快速关断，可以做到10ns级和极小的Qg电容。
图1.应用框图
根据客户实际使用场景及需求，笔者给客户推荐了英诺赛科的氮化镓增强型功率晶体管 INN650D150A，主要应用优势如下：
1）该氮化镓增强型功率晶体管耐压值650V，最高瞬态耐压值可达750V，远远大于客户需求的500V耐压值，能较好地应对使用时的突发状况，保证瞬间的大电压不会对器件的性能产生负面影响，甚至可能损坏器件。
2）Qg是MOS导通时栅极需要的总的电荷量，Qg越小则MOS的开关可以越快的进行， INN650D150A的Qg在3nC，有极大的优势，导通电阻也很小，最低可达115mΩ，INN650D150A的低Qg和低Rds可以支持MOS的快速开启和关断。
3） 此外，该氮化镓增强型功率晶体管拥有负压保护电路，可有效避免负压过高损坏电路。
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