【应用】氮化镓增强型功率晶体管选用INN650D150A用在快速瞬变负责测试仪,拥有负压保护电路能避免负压过高损坏电路
某客户的快速瞬变负责测试仪上需要一款氮化镓MOS管,配合前级的PWM驱动芯片,用来测试负载的di/dt。氮化镓MOS要求耐压要到500V,要求快速开启和快速关断,可以做到10ns级和极小的Qg电容。
图1.应用框图
根据客户实际使用场景及需求,笔者给客户推荐了英诺赛科的氮化镓增强型功率晶体管 INN650D150A,主要应用优势如下:
1)该氮化镓增强型功率晶体管耐压值650V,最高瞬态耐压值可达750V,远远大于客户需求的500V耐压值,能较好地应对使用时的突发状况,保证瞬间的大电压不会对器件的性能产生负面影响,甚至可能损坏器件。
2)Qg是MOS导通时栅极需要的总的电荷量,Qg越小则MOS的开关可以越快的进行, INN650D150A的Qg在3nC,有极大的优势,导通电阻也很小,最低可达115mΩ,INN650D150A的低Qg和低Rds可以支持MOS的快速开启和关断。
3) 此外,该氮化镓增强型功率晶体管拥有负压保护电路,可有效避免负压过高损坏电路。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由呦呦鹿鸣提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】国产GaN MOSFET INN650D150A助力家用手持射频美容仪推挽电路设计,实现5M射频输出
传统的射频美容仪大多使用Si MOSFET来设计推挽电路,这样设计的话成本固然会有所降低,但是这样设计的产品最高只能达到2M左右的射频输出。本文介绍的新方案是利用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET,实现5M以上射频输出。
【应用】国产GaN MOSFET搭配驱动+同步整流芯片实现大功率密度65W PD快充,效率可达90%以上
某客户要设计一款高效、大功率密度的65W PD快充,本文重点介绍使用英诺赛科的INN650D150A GaN MOSFET作为主开关管,搭配必易微的驱动芯片+同步整流芯片:KP2206SSGA+KP4060LGA,效率可达90%以上。
【应用】GaN增强模式功率晶体管INN650D150A用于65瓦PD快充插头,导通电阻仅150毫欧
本文讲述的英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率器件的研发与产业化, 其最近推出的GaN产品INN650D150A,导通电阻Rds最大仅有150毫欧,其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求,并且有效提高功率密度及效率。
拆解报告:公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到,公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案,搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口,并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充,增强散热性能。
英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
英诺赛科(Innoscience)INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册
描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet
型号- INN650D02
INN650D070AH 650V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了INN650D070AH型650V GaN增强型功率晶体管。该晶体管采用DFN封装,具有高开关频率、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点,适用于工业应用,符合RoHS、Pb-free和REACH标准。
型号- INN650D070AH
INN700D350B 700V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 该资料详细介绍了INN700D350B这款700V GaN增强型功率晶体管。该晶体管采用DFN封装,具有高开关频率、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点,适用于工业应用,符合RoHS、Pb-free、REACH标准。资料还提供了关键性能参数、应用领域、引脚信息和订购信息。
型号- INN700D350B
【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位?
随着第三代半导体的兴起,GaN已经在各行各业开始普及,但GaN的驱动电压范围偏窄,尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A,讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位?
INN700DC240C 700V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 该资料详细介绍了INN700DC240C这款700V GaN增强型功率晶体管。该晶体管采用DFN封装,具有超高的开关频率、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点,适用于工业应用,并符合RoHS、Pb-free、REACH标准。其主要应用领域包括AC-DC转换器、DC-DC转换器、Totem pole PFC、快速电池充电、高密度功率转换和高效率功率转换等。
型号- INN700DC240C
【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片INN650N140A,具有零反向恢复电荷和超高开关频率等特性
英诺赛科推出的INN650N140A是650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片,具有零反向恢复电荷、低栅极电荷、低输出电荷和超高开关频率等特性。产品符合JEDEC标准的工业应用要求,适用于AC-DC转换器,DC-DC转换器,图腾柱PFC,电池快充等领域。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论